Forty Years Research of Faster-Than-Light——Review and Prospects

Since the early work of O. M. Bilanuik and B. C. Sudarshan in 1962 and G. Feinberg in 1967, the research work on the faster-than-light (superluminal) has been performed in the world, such as in USA, Europe and China. In this paper, the development stages of the study are presented, which include beginning stage, transitional stage and experimental stage. Based on the Einstein‘s paper in 1905, the velocities greater than that of light had no possibility of existence. However, in the Einstein‘s papers of 1907 it was founded that the superluminal signal speed could not be refuted absolutely. In this paper, the studies on velocities are classified. The definition of General Information Speed is suggested, which will ease the discussion. After reviewing the researches of 1962-2004, it can be concluded that the faster-than-light is a realizable scientific statement.     

量子态在包括长程相互作用磁耦极相互作用系统中传输的研究

分析了量子态在包括长程相互作用自旋系统中的传输过程,分自旋传输系统处于基态和热平衡态两种不同情形进行讨论.通过自旋系统随时间的自由演化,不需要对系统进行其它的操作,就可以实现量子态从自旋链一端向另一端的传输.再选择合适的时间进行测量,可以提取得到保真度接近1的量子态.初始时刻自旋系统处于基态时,保真度随着测量时间呈准周期变化,并在0.5~1之间震荡.当自旋传输系统处于热平衡态时,最大保真度随着温度的降低而升高.无论体系初始时刻是处于基态还是处于热平衡态,当系统处于适当的外加恒定磁场中,传输效率都会提高.     

隧道量子对称结的制备工艺、特性和Swihart模

本文研究隧道量子对称结的制备工艺和阳极氧化电压谱图特性（ＡＶＳ），发现亲近效应消失，高质量结在势垒厚度大于７ｎｍ时获得。同时推演了结的Ｓｗｉｈａｒｔ模，讨论并代入参量计算比较，证实结内Ｓｗｉｈａｒｔ模的必然存在     

含时谐振子的量子处理方法

系统地回顾了对含时谐振子的量子系统精确求解的各种方法及其应用，分析了这方面工作的主要特点，并着重介绍了３个主要工作。     

金属薄膜中的杂质散射效应

考虑到杂质散射效应，运用量子统计的方法，计算金属薄膜中杂质散射的弛豫时间和电导率．计算结果表明：这些物理量都是金属薄膜厚度的函数，具有量子尺寸效应．     

从塞曼分裂谱线中的裂距确定能级的朗德因子g

本文从塞曼分裂谱线的条数及在测得相邻谱线裂距的基础上，利用格罗川图，计算出原子能级的朗德因子ｇ。     

量子场论的还原性问题

描述粒子物理学的核心语言是可重整化的量子场论。重整化最初是应对量子场论中数学计算无穷大问题的有效策略,是解决理论物理学中“突现”问题的有力手段。本文从重整化操作在量子场论中产生的影响出发,回顾了有效场论思想产生的历史,叙述了重整化方法所引起的哲学争论,旨在对还原论和反还原论在解释量子场论中涉及的“还原”、“突现”、“层次性”等问题予以方法论考察,最后从语境的视角对重整化方法进行诠释,指出对基础理论及理论间关系的探讨是具有境遇性的。     

河流流量时间序列振幅起伏的概率估计

本文从系统分析、概率及随机过程技术的观点建立河流段的系统模型以及通过电脑实验的方法对河流流量时间序列作概率函数估计测量.测量结果表明,流量时间序列的振幅起伏具有超指数特性分布.这可认为是环境随机性的影响所致.尤其是联系到无限的过去在远环境的背景降雨状态.     

GaAs—GaAlAs量子阱中光极化子

本文计及子带跃迁和双声子过程,计算了限制在量子阱中光极化子能级,给出了自陷能和重正化质量数值计算结果,它是阱宽的函数.发现自陷能和有效质量在二维结果和三维结果之间,子带跃迁和双声子过程对自陷能的贡献不是很重要的.     

Ⅱ型量子阱In_(1-x)Ga_xAs/GaSb_(1-y)As_y中激子的结合能

该文提出ρ和Z相耦合的试探波函数,采用变分法计算了Ⅱ型量子阱In_(1-x)Ga_xAs/GaSb_(1-y)As_y中激子的结合能。发现随合金组分(x,y)的增加结合能增加,随阱宽b的减小,结合能单调上升。当阱宽b在10 nm附近时,材料由半导体转变为半金属。此外,还与Ⅰ型量子阱GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs中激子结合能作了比较。