首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   10178篇
  免费   425篇
  国内免费   693篇
系统科学   449篇
丛书文集   328篇
教育与普及   50篇
理论与方法论   47篇
现状及发展   93篇
综合类   10329篇
  2024年   20篇
  2023年   55篇
  2022年   114篇
  2021年   132篇
  2020年   136篇
  2019年   123篇
  2018年   112篇
  2017年   167篇
  2016年   168篇
  2015年   243篇
  2014年   416篇
  2013年   314篇
  2012年   537篇
  2011年   562篇
  2010年   413篇
  2009年   441篇
  2008年   504篇
  2007年   672篇
  2006年   568篇
  2005年   600篇
  2004年   473篇
  2003年   428篇
  2002年   490篇
  2001年   390篇
  2000年   393篇
  1999年   346篇
  1998年   311篇
  1997年   296篇
  1996年   272篇
  1995年   242篇
  1994年   247篇
  1993年   207篇
  1992年   200篇
  1991年   176篇
  1990年   140篇
  1989年   127篇
  1988年   121篇
  1987年   68篇
  1986年   43篇
  1985年   22篇
  1984年   3篇
  1955年   4篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 906 毫秒
121.
煤矸石制多孔玻璃微珠   总被引:3,自引:0,他引:3  
基于煤矸石综合利用技术,以煤矿的废弃物——煤矸石为原料,使用立式成珠炉反应装置,利用热分相和酸浸析方法制备了多孔玻璃微珠。应用氮吸附静态容量法,获得该多孔玻璃微珠的氮吸附等温线、比表面和孔分布曲线,并探讨了多孔玻璃微珠的吸附特性和成珠条件。结果表明:1273K温度的立式成珠炉内,在833K热分相温度、3tool/L HCl酸浸析条件下,煤矸石和添加剂粉末可制得孔径分布在12nm左右、孔隙率较高的白色多孔玻璃微珠。  相似文献   
122.
InxGa1-xN/GaN应变量子点中激子的结合能   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了InxGa1-xN/GaN应变量子点中的激子结合能随量子点结构参数和量子点中In含量x的变化规律.结果表明,随着量子点高度L和半径R的增加,结合能降低,随着量子点中In含量的增加,激子的结合能增大.对给定体积的量子点,激子结合能存在一最大值,此时电子、空穴被最有效的约束在量子点内.对不同体积的量子点,最大值的位置在量子点高度L=1.7nm附近取得.  相似文献   
123.
经典的多用户检测技术,其求解最优解的时间复杂度为0(2n),这是一个NP难解问题.在Pauli算子的基础上建立量子多用户信道模型,给出利用Grover算法的多用户检测解决方法.该算法的时间复杂度为O(√2n),并且当2n足够大时,其错误的概率趋近于0.  相似文献   
124.
以量子化介观电路为基础,侧重数值方法考察和分析压缩参量对介观电路中电压、电流量子涨落的影响.结果表明,电压、电流量子涨落的乘积随压缩参量(r,θ)的变化曲线出现2个峰值,峰值出现在相同的r值处,其峰值比电压或者电流量子涨落的峰值大,且曲线关于θ=180°对称.  相似文献   
125.
Ni-P化学镀层相变过程研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
针对镍磷化学镀镀层相变过程中存在的问题,通过X射线衍射、差热分析和透射电镜等手段对含磷原子数分数12.15%的镍磷镀层的镀态组织和晶化过程进行了初步研究。结果表明,这种中磷含量的镍磷镀层镀态下组织为非晶态,晶化起始温度321℃;退火过程中,非晶组织中先形成镍纳米晶,然后纳米晶镍伴随晶化过程进行迅速长大,并在镍基体上析出亚稳过渡相Ni12P5和稳定的Ni3P相,400℃退火90min后的组织为晶粒尺寸为微米级的镍基体上分布着弥散的Ni3P相和少量的Ni12P5相。  相似文献   
126.
半个世纪以来,人们普遍接受了建立在广义相对论基础上的大爆炸学说,后来又确立了大爆炸早期的暴涨阶段,对于在这个标准模型中存在的疑难,人们试图从宇宙的创生期,应运量子理论来找出答案,文章尝试着从这个探索过程中,理清量子宇宙学的形成、内涵及影响,并期望能为以后的研究理清一个思路。  相似文献   
127.
文章分别用微波法和前驱物法合成了ZrW0.8Mo1.2O8的四方相,该相尚未见公开报道.对其进行了XRD分析和指标化.对比了两种合成方法和合成产物的形貌,阐明了微波合成的优越性。  相似文献   
128.
The microscopic phase-field approach is applied to model the early precipitation process of Ni75AlxV25-x alloy. Without any prior assumptions, this model can be used to simulate the temporal evolution of arbitrary morphologies and microstructures on atomic scale. By simulating the atomic pictures, and calculating the order parameters and volume fraction of the θ (Ni3V) and γ'(Ni3Al) ordered phases, we study Ni75AlxV25-x alloys with Al composition of 0.05, 0. 053 and 0. 055 (atom fraction). Our calculated results show that,for these alloys, θ and γ' phases precipitate at the same time; with the increase of Al content, the amount of γ' phase increases and that of θ phase decreases; the precipitation characteristic of γ' phase transforms from Non-Classical Nucleation and Growth (NCNG) to Congruent Ordering Spinodal Decomposition (CO SD) gradually; otherwise, the precipitation characteristic of θ phase transforms from Congruent Ordering Spinodal Decomposition (CO SD) to Non-Classical Nucleation and Growth (NCNG) mechanism gradually. Both θ and γ' phases have undergone the transition process of mixture precipitation mechanism characterized by both NCNG and CO SD mechanisms. No incontinuous transition of precipitation mechanism has been found.  相似文献   
129.
含向列液晶交联剂的液晶弹性体液晶性能   总被引:2,自引:1,他引:2  
把向列液晶交联剂 4 (ω 烯丙酰氧基己氧基 )苯甲酸 2 叔丁基 1,4 二酚酯和胆甾液晶单体 4 烯丙氧基苯甲酸胆甾醇酯接枝到含氢硅氧烷链上 ,交联剂的质量分数由 0至 12 %,得到系列液晶弹性体P1~P7·通过热分析、偏光显微分析等手段研究了向列液晶交联剂对弹性体液晶性能的影响·结果表明 ,P1~P7都有液晶性能 ,均为胆甾液晶织构 ,系列液晶弹性体的tg 随交联剂在链中浓度增加而降低 ,ti 变化不大 ,具有较宽的液晶区间 ,在 182℃以上·交联剂质量分数为 2 %时 ,即从P4 开始弹性增加 ,当交联剂的质量分数大于 8%时 ,液晶相存在至热分解温度 ,所有液晶弹性体的热稳...  相似文献   
130.
Log Gabor小波性能分析及其在相位一致性中应用   总被引:6,自引:0,他引:6  
对Gabor函数与log Gabor函数进行比较,构造了log Gabor小波,从人类视觉系统认知特性的角度分析了该小波的性能,并与Gabor小波进行了比较,最后将log Gabor小波应用在相位一致性的图像特征检测中,实验证明,使用log Gabor小波不但可以提高特征的定位精度,而且在检测效果相似的情况下,log Gabor小波比Gabor小波可以节约一半的计算量。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号