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71.
利用格林函数并借助于双杂质的Anderson模型的哈密顿,研究了相干输运通过一嵌入并联耦合量子点(DQD)的非平衡介观电路的磁极化电流的性质,得到了一些新的结果:在有限温度下,磁极化传输电流(MPC)在满足一定的条件会发生方向的反转而突出了MPC对介观电路的磁极化特点,由于加在DQD两端的偏压和电路所处的低温度环境都是实验可以达到的,MPC也达到了利用纳米技术可以观察的程度. 相似文献
72.
研究了二维sinai台球的经典与量子的对应,运用闭合轨道理论及定态展开方法计算了傅立叶变换的量子谱.把傅立叶变换后的量子谱中峰的位置与其所对应的经典轨道长度作对照,我们发现两者之间存在着对应关系.为我们理解量子混沌性提出了新的线索. 相似文献
73.
考虑Rashab自旋-轨道相互作用对半导体量子点中极化子基态能量的影响.采用LLP中耦合的方法处理了电子-声子相互作用.结果表明由于Rashba效应的影响使得极化子的基态能量分列为上下两支而且Rashba自旋-轨道相互作用能与总的基态能及其它能量成分间的比例关系,随电子波矢K变化非常显著.Rashba自旋-轨道相互用作使得量子点中极化子基态能量在无任何外磁场的情况下发生分裂,所以完全不同于强磁场影响下的简单Zeeman效应,然而,自旋-轨道相互作用引起的分裂有时掺杂着Zeeman分裂。因此它引起的分裂属于复杂分裂.声子对总能量的贡献为负,由于声子的存在极化子争裂能较裸电子更为稳定. 相似文献
74.
N,N-二(2-苯并咪唑亚甲基)胺高氯酸盐的晶体结构和量化计算 总被引:1,自引:0,他引:1
合成了N,N-二(2-苯并咪唑亚甲基)胺(N3)的高氯酸盐,对其进行了元素分析及紫外和红外表征,并采用X射线衍射方法测定了该化合物的晶体结构.依据晶体结构的配体模型(a)和分子力学方法所获最低能量构象的配体模型(b),使用Gaussian94程序对2个模型进行了量子化学计算,并对计算结果进行了比较.结果表明,配体N3的2个非质子化的氮原子和胺基氮原子对最高占有轨道的贡献高于最低空轨道的贡献.这说明,这些原子易于提供电子,可以将配体作为组氨酸较理想的模型物用来合成SOD模型化合物. 相似文献
75.
以标题化合物(tbpOH)为配体合成了4种拟SOD模型配合物,对配体及配合物进行了红外、紫外和元素分析表征,并在HF/6-31G基组水平上对配体进行了量子化学计算,由分析计算结果可知,tbpOH可以成为较为理想的组氨酸模拟物.采用经典的邻苯三酚自氧化法对合成的拟SOD模型配合物进行了活性测定,可知所合成的模型配合物均具有一定的拟SOD活性,且活性顺序为Cu2(tbpO)·(CH3COO)·(ClO4)3·2C2H6O·H2O>Cu2(tbpO)·(C6H5COO)·(ClO4)3·1.5C2H6O>Fe2(tbpO)·(CH3COO)·(ClO4)5·CH3OH·H2O>Mn2(tbpO)·(C6H5COO)2·(ClO4)2·4H2O. 相似文献
76.
应用量子化学从头算方法研究了纯过渡金属Cr团簇中的各种组态及金属键,在HF/Lanl2DZ水平进行了研究,并用MP2做了电子相关能校正.通过对其几何结构和电子结构的研究预测:Cr3团簇有直线、V形、正三角形构型;Cr4有平面构型也有立体构型,平面构型原子间存在强弱键现象,即原子间存在定域键;Cr5、Cr6则有平面构型也有立体构型,平面构型有定域键也有离域键,立体构型则都是离域键. 相似文献
77.
硅作为场发射阴极成为可能,硅的场发射研究又重新引起人们的重视.该文将半导体表面的能带弯曲视为一势阱,从而建立了表面势阱作用下硅场致发射的基本方程.并分别应用WKB法和转移矩阵法,求出了垂直于界面的量子能级,并计算了场发射电流.最后对两种方法的结果进行了比较,发现转移矩阵法的结果比WKB近似法更加接近于FN理论的结果,该方法可为复杂势场中的量子化效应及电子特性提供一个有效的分析方法. 相似文献
78.
79.
用AAO模板及脉冲激光溅射制备量子点阵 总被引:5,自引:0,他引:5
利用多孔阳极氧化铝(anodic aluminum oxide,AAO)作为模板,采用准分子脉冲激光溅射方法(pulsed laser deposition,PLD)成功制备了光荧光材料La0.95Eu0.05BaB9O16的量子点阵,用扫描电镜表征了AAO模板和制备的量子点阵,测量了靶材和量子点阵的光荧光谱.讨论了用此方法制备的量子点阵的结构和发光特性.证明此方法可为未来制备其它材料的量子点阵开辟了一条途径. 相似文献
80.
单量子点体系极化电子的输运 总被引:1,自引:0,他引:1
利用Bulka建立的量子点模型,研究了当左右引线的磁矩夹角为θ时该体系的量子输运性质;利用Keldysh非平衡格林函数方法研究了电流随偏压V、温度T和磁矩夹角θ的变化,给出了近滕(Kondo)区中的非线性电导,并得出电导中的近滕顶点高度受磁矩夹角θ的调制的结论. 相似文献