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31.
强受限半导体量子点的形状对受限激子的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
在有效质量近似下,采用无限深势阱模型研究了强受限范围内球形、圆柱形、立方形半导体量子点的形状对受限激子的影响。结果表明对于采用体激子的等效Rydberg能量R^*比较大的材料制备的量子点,其形状带来的影响是显著的。 相似文献
32.
杨亚天 《福建师范大学学报(自然科学版)》1998,14(4):34-38
如同无限小正则变换服从正则方程一样,经无限小酉变换后的态矢量服从以生成元为哈密顿量,以小参数为“时间”的薛定谔方程,直接用酉变换给出量子系统超收敛微扰的简化推导。 相似文献
33.
只用两个偏振态的量子密码术方案 总被引:2,自引:0,他引:2
本文提出一种基于海森堡测不准关系的、只用两个非正交偏振态光子的量子密码术新方案,对其原理和防窃听性进行了详细的讨论,并和国际上流行的几种方案进行了比较。 相似文献
34.
李晓薇 《河北师范大学学报(自然科学版)》1998,22(3):335-339
运用量子统计要函数方法和久保公式分别计算一维金属线、二维金属薄膜的杂质散射电导率,计算结果表 尺寸金属系统的电导率跟金属系统上有关,具有量子尺寸效应。 相似文献
35.
利用推广的Hnsch-Mahan量子输运方程,求解了分形子-电子相互作用系统的电阻率.克服了电阻率的低温发散困难,给出了电阻率反常处的温度. 相似文献
36.
用一种非对称零标架研究了Vaidya-Bonner-de Sitter黑洞的Dirac方程,对所得方程的各项系数进行了讨论,得出了黑体谱、Hawking温度与视界表面引力. 相似文献
37.
38.
InxGa1-xN/GaN应变量子点中激子的结合能 总被引:2,自引:0,他引:2
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了InxGa1-xN/GaN应变量子点中的激子结合能随量子点结构参数和量子点中In含量x的变化规律.结果表明,随着量子点高度L和半径R的增加,结合能降低,随着量子点中In含量的增加,激子的结合能增大.对给定体积的量子点,激子结合能存在一最大值,此时电子、空穴被最有效的约束在量子点内.对不同体积的量子点,最大值的位置在量子点高度L=1.7nm附近取得. 相似文献
39.
经典的多用户检测技术,其求解最优解的时间复杂度为0(2n),这是一个NP难解问题.在Pauli算子的基础上建立量子多用户信道模型,给出利用Grover算法的多用户检测解决方法.该算法的时间复杂度为O(√2n),并且当2n足够大时,其错误的概率趋近于0. 相似文献
40.
以量子化介观电路为基础,侧重数值方法考察和分析压缩参量对介观电路中电压、电流量子涨落的影响.结果表明,电压、电流量子涨落的乘积随压缩参量(r,θ)的变化曲线出现2个峰值,峰值出现在相同的r值处,其峰值比电压或者电流量子涨落的峰值大,且曲线关于θ=180°对称. 相似文献