有源层厚度对非晶硅薄膜晶体管特性的影响

研究了有源层ａ－Ｓｉ∶Ｈ的厚度对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ特性的影响．研究结果表明，ａ－Ｓｉ∶Ｈ层的厚度对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ的静态特性（如开／关态电流比、阈值电压等）有较大的影响．理论分析表明，这是由于钝化层固定电荷在有源层背面引入了背面空间电荷层造成的．详细分析了背面空间电荷层对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ特性的影响，提出了一个ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ有源层厚度优化设计的下限值，理论与实验相符合     

高脆性材料亚临界裂纹扩展机制的细观力学分析

本文从细观力学角度研究了高脆性材料亚临界裂纹扩展机制。根据线弹性断裂力学理论和量子力学理论的近似计算，从理论上求得了经验的亚临界裂纹解理扩展速率公式。理论计算与陶瓷材料的实验结果符合得很好。     

垂直管内降膜吸收过程热—质传递数值计算问题的研究

通过对垂直管内降膜氨－水吸收过程中热－质传递现象的研究，阐述了非绝热吸收过程中传热和传质相互作用，相互影响的关系，建立了吸收过程热质传递的数学模型，并对垂直管内降膜氨－水吸收过程进行数值计算。其研究结果为降膜吸收器的设计提供一种新的、考虑到热－质传递的计算方法。     

环糊精类LB膜新材料的合成和性质

将环糊精与集中人有非线性光学性质官能团的化合物相连合成相应的ＬＢ膜材料，并对它们的性质进行了初步研究。结果表明，它们既保留了环糊精类衍生物出色的成膜性，又有良好的非线性光学性质，是一类有用的ＬＢ膜材料。     

极化子对量子点中的Stark效应的影响

该文采用变分法研究了盒形量子点中Ｓｔａｒｋ效应，计算了电子－受限ＬＯ声子相互作用对Ｓｔａｒｋ能量移动的修正。计算结果表明，电子－受限ＬＯ声子相互作用减弱了Ｓｔａｒｋ能量移动，随着电场强度和量子点尺寸的增大，其对Ｓｔａｒｋ能量移动的贡献也增大。     

厚膜压力传感器的研究

用厚膜工艺制造压力传感器．研究了厚膜电阻浆料的电阻率与压阻系数的关系．承压基片选用ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３３ｍｏｌ％增韧Ａｌ２Ｏ３陶瓷，大大地提高了压力传感器的性能．对承压片的应力分布进行了分析，介绍了压力传感器的结构设计方法     

SnO_2 薄膜光谱透过率及气敏特性研究

研究了半导体氧化物ＳｎＯ２膜及其掺杂薄膜的光谱透过率气敏特性，导出了光波在固体介质中传播时的光折射率、消光系数、吸收系数的表示式，以及在“空气—薄膜—玻璃”三元系统中光透过率的近似表达式；解释了气敏使半导体氧化物薄膜系统光透过率变化的原因。所有这些结果与解释，与我们的实验结果相一致，也与一些文献报导的实验结果相符合［１，２］。     

厚膜二氧化锡材料的气敏特性研究

用液相结晶和高温分解法制备偏离化学计量比的二氧化锡材料，对此二氧化锡进行掺杂，制成由一定原料配方组成的厚膜浆料，以此浆料用丝网印刷技术制备ＳｎＯ２厚膜气敏元件。然后，对系列元件进行气敏特性测试，所制备的ＳｎＯ２气敏元件表现出对乙醇气体的选择敏感性。