复杂曲面数控自动编程中自由曲面描述新方法

长期以来,因为反求算法的困扰,Bezier曲面模型一直难于在复杂曲面的数控自动编程中得到应用。本文解决了Bczier曲面模型的这一缺陷,使共计算和处理都非常方便,这种便利在曲面的求交、显示、加工等操作中,具有特殊的意义。     

Lattice distortion of nanoscale silver particles

The lattice distortion of nanoscale silver particles prepared is studied by using the chemical method. The particles lattice contract was found, and the lattice contraction become greater while the particle size decreases. The results were explained with surface energy and surface tension.     

高雷诺数下双圆柱绕流的数值模拟

使用表面涡法研究高雷诺数下不同排列方式双圆柱绕流的流动状态．计算了双圆柱在并列、级列的情况下的各种流动结构,涡街的变化及作用在圆柱上的受力情况．计算结果清楚地描述了双圆柱绕流复杂的流动状况,与实验显示的流动状况十分相似,斯特罗哈数与阻力系数均与实验结果相符．     

磷化处理在铁路轴承中的应用研究

对高温磷化工艺及磷化成膜机理进行了理论分析。在大量实验的基础上,探讨了铁路货车轴承零件在高温磷化过程中,磷化组份和磷化工艺条件对磷化速度及磷化膜耐蚀性的影响。分析讨论了锰系高温磷化应用于铁路货车轴承防锈时的最佳工艺参数以及促进剂ＮｉＮＯ３的添加量的最佳控制范围。     

CuO／CeO2体系中表面Cu（Ⅱ）组份的状态及还原过程

采用ＴＰＲ结合ＸＲＤ定理研究了ＣｕＯ／ＣｅＯ２体系中Ｃｕ（Ⅱ）的分散状态及还原过程，结果表明：ＣｕＯ在ＣｅＯ２表面的分散容量为１．１５ｍｍｏｌ／１００ｍ＾２，Ｃｕ（Ⅱ）可以以高分散态Ｃｕ（Ⅱ?嵌入到表面空位中以晶相ＣｕＯ（当ＣｕＯ含量超过分散容量时）形式存在，在还朱过程中首先是处于表面空位中的Ｃｕ（Ⅱ）被还原，随后晶相ＣｕＯ中的Ｃｕ（Ⅱ）进入该空位再被还原，从而导致表面连续嵌入和还原过程的发生。     

钨钼室温脆性的研究

对不同实验条件下制备的钨和钼的试样作扫描电镜、透射电镜和俄歇电子能谱分析。断口形貌分析表明,在室温下烧结态和再结晶态的断口呈典型的晶间脆性断裂,低形变及再结晶试样为晶间脆断和穿晶解理的混合型断裂,高度形变的试样断口呈纤维状韧性断裂特征,是纤维束撕裂、分层,而后单个纤维出现缩颈、微孔合并所致。在10~(-9)Torr高真空度下对新鲜断口作俄歇电子能谱分析证实,间隙杂质磷、氧和碳是钨的主要晶界杂质,而钾、氧和碳则在掺杂钨的晶界明显富集,可以确认这些在晶界大量富集的杂质是削弱晶界强度,造成钨钼室温脆性的基本原因.文中还分析了晶粒结构和亚结构对室温脆性的影响。     

表面强化处理钢的疲劳断裂韧性

本文首次把疲劳断裂韧性概念引入到表面化学热处理强化钢中。试验结果表明:在较低过载应力下存在内部疲劳裂纹时,“鱼眼”半径可定义为临界裂纹半长;对每一处理状态,疲劳断裂韧性可视为一定值;除强度和塑性外,表面化学热处理钢中所特有的残余应力对疲劳断裂韧性也具有重要的影响;在碳氮共渗层中,当裂纹向着高碳含量方向扩展时,残余压应力对裂纹的扩展起着显著的抑制作用。     

计算机绘制曲线、曲面的数学方法

本文讲述目前在CAG和CAD设计过程中所遇到的曲线和曲面的数学模型,给出主要类型的曲线和曲面确定的几何条件、方程及其简单的几何性质。为解决三维图形的计算机显示问题,给出三维图形在计算机上显示的数学公式。     

半导体表面吸附分子的表面增强喇曼散射

本文介绍了半导体材料表面吸附分子的表面增强喇曼散射(SERS)研究工作.至今,人们主要在二类半导体材料表面进行了SERS 实验:一类是半导体材料表面吸附分子的SERS 实验;另一类是被银修饰了的(silver-modified)半导体材料表面吸附分子的SERS 实验.文章还简单介绍了对半导体材料表面SERS效应所作的理论解释.最后对半导体材料表面SERS 研究的发展和应用前景作了展望.