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231.
采用噪声分析法,用普通的计算机声卡代替专用数据采集卡,利用LabVIEW虚拟仪器软件平台,设计了基于PC机的虚拟齿轮故障测试系统.能实现齿轮噪声信号的实时采集和信号时域分析和频谱分析功能,达到监测和诊断齿轮故障的目的. 相似文献
232.
本论文通过对几种不同的预测电视覆盖的方法的原理介绍,进而时比各种方法的优劣程度,并且对每种方法可能存在的问题加以分析,提出在规划台站时选用最适合的覆盖分析方法. 相似文献
233.
全光纤安防系统模式识别混合编程的实现 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了宽域全光纤监控预警系统及光纤扰动信号模式识别算法.利用小波包分解对信号进行分解与重构,并提取各频段内信号分量能量谱作为特征向量;应用综合考虑观测数据和确定性先验知识的BVC-RBF神经网络实现信号分类,提高了网络的泛化能力.利用Matlab引擎、动态链接库(DLL)、组件对象模型(COM)3种混合编程方法将Mat... 相似文献
234.
考虑调制不对称度和信息位宽的不确定度,研究了实际伽利略搜救信号信息位宽、到达频率(FOA)、到达时间(TOA)估计的Cramer-Rao界(CRB).推导了伽利略搜救信号Fisher信息矩阵中各元素的计算表达式,利用单位冲激函数的性质和Parseval定理,将单位冲激函数的平方和转换到频域进行计算,得到了信息位宽、FOA和TOA估计的CRB的解析结果.数值分析和Monte Carlo仿真结果表明,CRB具有有效性,可以用于评估上述参数估计算法的性能. 相似文献
235.
干线协调交叉口多相公交信号优先控制策略 总被引:1,自引:0,他引:1
针对干线协调交叉口多个相位有公交车到达的情况,为降低公交车延误,建立了以不破坏协调绿波带为前提的多相位公交优先控制策略.在该策略中,提出了“就近原则”以解决多个相位的公交优先申请冲突,对公交优先级别进行排序,并建立了多相位公交优先控制流程;考虑最高优先级别公交车的不同相位属性,采用绿灯延长和绿灯提前起亮两种优先方式,分... 相似文献
236.
在脉冲耦合神经网络(PCNN,pulse coupled neural network)中,基于神经元脉冲震荡的时间序列概念,利用平均时间序列和平均欧氏距离的方法实现了人脸识别.实验仿真表明了该方法的有效性,对不同人脸和复杂表情的人脸均具有较好的识别效果. 相似文献
237.
作为盲信号处理的独立成分分析方法的扩展,独立子空间分析具有更广阔的应用前景.本文首先给出了独立子空间分析的一般定义和正则化定义,同时把其与独立成分分析方法进行了对比.此外,讨论了独立子空间分析的可分离性与解的唯一性问题.基于极大似然估计和自然梯度方法,本文给出了独立子空间分析的自然梯度算法.仿真实验通过二维的独立子空间... 相似文献
238.
基于空间分集和轨迹连续的实时Fingerprint定位算法 总被引:1,自引:0,他引:1
在室外复杂环境下,接收信号强度的浮动是制约Fingerprint定位精度的一个主要问题。传统的方法利用时间分集和平均滤波器来减小信号的浮动,这增加了定位的延迟,无法满足室外实时定位的需求。为了解决信号浮动和定位延迟问题,在分析接收信号强度空间相关性的基础上,提出了一种实时的Fingerprint定位算法,利用空间分集减小信号的浮动和定位延迟,同时根据运动物体轨迹的连续性提高定位精度。室外环境下的实验结果表明了所提算法能显著提高Fingerprint定位系统的性能。 相似文献
239.
溅射金膜对氧化铝陶瓷纳秒脉冲真空沿面闪络的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了溅射金膜对氧化铝陶瓷在真空环境中、纳秒脉冲高电压作用下沿面闪络特性的影响规律.通过对氧化铝陶瓷表面粗糙度、电极接触形式的研究,并结合表面态陷阱、界面能带结构、电荷注入过程的分析,探究了影响氧化铝陶瓷溅射金膜后沿面闪络电压的主要原因.在50 ns/1.2μs脉冲下、电极间距10 mm时,测量各试样的闪络电压60次,取后30次平均值作为稳定的闪络电压.研究结果发现,氧化铝陶瓷在溅射金膜电极试样的闪络电压比直接压接电极试样的闪络电压低,这是因为在不同电极接触方式下,氧化铝陶瓷材料的表面态对真空中的电子发射和材料表层的电荷注入的影响不同所致. 相似文献
240.
通过正交实验法研究了影响脉冲电流法合成MnO2超级电容器电极材料性能的影响因素,发现影响效果由大到小依次为:脉冲电流关断时间,醋酸锰水溶液浓度,脉冲电流密度,脉冲电流导通时间.在正交实验法得出的最优条件下,即醋酸锰浓度为0.5 mol/L,电流密度为250 A/m2,导通时间为0.01 s,关断时间为0.2 s,所制备的MnO2薄膜电极材料表面具有丰富的纳米球结构,在10 mV/s的扫描速率下,3 mol/L的KCl溶液作为电解液,比容量可以达到575 F/g,并且在2 000mV/s的快速充放电条件下,仍然能够保持良好的电容特性. 相似文献