蓝斑核内注入乙酰胆碱、新斯的明及胆碱能受体阻断剂对迷走—加压反应的影响

采用微量注射药物的方法，研究了４７只大鼠蓝斑核内注入新斯的明、乙酰胆碱及受体阻断剂对迷走—加压反应的影响．结果表明，蓝斑（ＬＣ）内注入新斯的明及乙酰胆碱，迷走—加压反应加强；注入阿托品加压反应减弱；注入六甲双胺加压反应与注药前无明显改变．结果提示，ＬＣ参与迷走—加压反应，并且是该反应产生通路中一个重要组成部分．ＬＣ内的乙酰胆碱经Ｍ受体加强迷走—加压反应．     

贵金属的高压熔解温度

利用热力学等式从Ｓｈａｒｍａ等人提出的扩散振动的熔解理论导出一个新的熔解关系式，对贵金属所作检验表明：由该式获得的计算结果与实验值的一致性是十分令人满意的。     

抽油机电液伺服模拟系统伺服阀前压力脉动的分析

抽油机电液伺服模拟系统伺服阀前压力脉动的主要原因是油泵输出压力的脉动和伺服阀输出流量的变化．伺服阀前压力脉动和伺服阀输出流量的变化．伺服阀前压力脉动会影响抽油机悬点运动规律的模拟精度且冲次愈高影响愈严重．抑制和减弱伺服阀前压力脉动的途径是合理选用液压滤波器件，对有蓄能器滤波和无蓄能器滤波两种工作过程中的伺服阀前村力脉动进行了数字仿真，仿真结果与理论分析基本相符     

第三系软弱岩体蠕变理论

采用自行研制的重力杠杆式岩石蠕变试验机并配 三轴压力室，从而对泥岩进行了三轴为试验，根据试验结果，提出了软弱岩体的蠕变理论，并用于地下工程应力场，位移场和流变地压的分析与计算。通过算例分析，井巷围岩周边位移的流变地压的发展规律符合现场实际情况。     

Transient reconnection caused by non-homogenous dynamic pressure

It is proposed that local and transient reconnection in the plasma boundary layer can be caused by the impact and switch-off of non-homogenous dynamic pressure. Magnetohydrodynamic simulation is used to investigate the reconnection processes in these two cases. It is found that if the inflow is homogeneous, the reconnection will not take place; if the inflow is a shearing flow, no matter how great the shear of the flow is, the reconnection can be caused either during or after the impacting period. It is pointed out that a sudden stop of external force may be an important triggering mechanism of energy transformation and reconnection in the plasma boundary layer region.     

C_(60)晶体生长初探

:C60单晶的制备是一个动力学过程,与许许多多的因素有关,很小的微扰就可能直接影响到单晶的成核与长大的形状.本文试图用单晶生长理论,对单晶制备中出现的“各种角度的孪晶”,“较大的枝蔓晶”和“台阶生长的空心晶体”等进行分析,以便能找出生长单晶的最佳工艺条件和理论依据.     

压力容器带防腐层表面磁粉探伤的研究

采用人工裂纹试样的方法，模拟压力容器涂刷油漆防腐层的状况进行磁粉探伤，得出了油漆防腐层厚度与裂纹检出灵敏度的定量关系；结合ＣＶＤＡ《压力容器缺陷评定》规范，探讨了实验方法对一般在役压力容器不除去油漆的情况下进行磁粉探伤检验的可行性。     

涡旋压缩机自调背压机构压力的优化分析

系统地分析了涡旋压缩机自调背压机构的工作原理和主要性能，通过推导摩擦损失功率和泄漏损失功率的计算式，建立自调背压机构压力优化分析模型，并给出可应用该模型进行背压求解的方法．     

模糊理论在恒压供水控制系统中的应用

介绍可编程序控制器和变频器等组成的恒压供水自动控制系统，分析该系统应用模糊控制理论、实现恒压供水的工作原理。系统结构简单，运行稳定，节约能源。     

射频离子镀氮化钛的实验研究

较系统地研究了射频离子镀氮化钛工艺。分析了各参数之间的制约关系,提出了合理控制工艺参数的方法。研究结果表明,射频离子镀的成膜速度随炉内压力的减小而加快,电子枪功率的加大将提高了离子束电流强度,基板与蒸发源距离的加大将降低成膜速度;粒子的入射角度在 45°—135°为宜。但成膜速度与射频起振器功率、基板的负偏压无关。要想提高离子的密度,必须加大电子枪功率,同时要增大射频的起振动率。