磁控溅射镀铜芳纶织物的制备及其性能研究

芳纶纤维具有优异的力学性能和加工性能,还具有极好的耐热和耐化学药品性能、尺寸稳定性、耐疲劳性及耐腐蚀性等。磁控溅射镀膜法是一种高效的薄膜沉积工艺,具有装置性能稳定、操作控制方便、无环境污染等优势。采用磁控溅射法在芳纶织物表面镀覆纳米铜薄膜,使纺织品表面金属化。镀铜芳纶织物采用XRD与扫描电镜进行表征,且评价镀铜织物的抗静电性、导电性及拒水性。结果表明,溅射镀膜50 min的镀铜纤维表面致密地沉积纳米铜;XRD图显示铜的结晶存在。溅射镀膜50 min的镀铜芳纶织物接触角高达132.5°,表面电阻为129Ω/sq,抗静电半衰期为0.4 s。表明其具有良好的拒水、导电及抗静电性。     

降雨条件下含大孔隙土柱水-气两相流试验

为揭示降雨条件下含大孔隙土中水—气两相流运移机制,基于室内人工降雨试验,通过自行设计试验装置并借助各类试验设备,对不同工况下大孔隙和基质域的含水率、孔隙水压力、孔隙气压力分别进行实时监测.结果表明：大孔隙的存在可明显加快水分入渗速率,使土柱湿润锋呈现漏斗状,大孔隙附近水分入渗速率明显较快(即产生优先流),但是降雨需持续一定时间才会产生优先流;模型箱底部边界开通有利于气体的排出,可降低孔隙气压力,从而更有利于水分的入渗;大孔隙存在情况下,增加降雨强度可加快优先流的产生,使水分更快地沿着大孔隙入渗至土壤深层,并沿着大孔隙壁向周围基质扩散.此外当降雨强度大于水分入渗速度时,会在土体表面形成积水,一定程度上增加孔隙气压力.     

基于比较静态模型的FDI优惠政策指数门槛值的求解

针对FDI （foreign direct investment） 优惠政策拉大中国区域差距及挤压内资企业投资的问题,基于比较静态分析方法,在Romer内生模型基础上,求解了市场均衡时FDI优惠政策指数的门槛值,并对影响门槛值大小的因子进行了分析. 结果表明,最终生产部门人力资本存量的增加、研发部门生产率的提高,以及本国技术吸收能力的增强都会使FDI优惠指数变大,但市场平均利率的上升却带来FDI优惠指数的减小,而FDI优惠政策指数对经济增长率的贡献度则无法判断.     

粉末溅射SnO2:Pt薄膜及SnO2/SnO2:Pt薄膜电导在CO中的振荡现象

采用粉末溅射方法制备了体掺杂型SnO2 :Pt薄膜和SnO2 /SnO2 :Pt双层膜 .这两种薄膜材料不仅对CO气体有很高的灵敏度 ,良好的选择性和较低的工作温度 ,而且其电导在CO气体中均出现了振荡现象 .本文分析了电导振荡温区、振幅和频率与CO气体浓度及膜厚的关系 ,介绍了其振荡特性并对有关问题进行了讨论     

WTO对我国涉外税收优惠政策的挑战与思考

加入WTO以后，中国经济将面临怎样的机遇和挑战，是当前的一个热点问题。本文分析了我国现行涉外税收优惠政策及存在问题，并对完善我国税收优惠政策进行了探讨。     

微波ECR等离子体高速溅射装置的研制

研制了一台高速率溅射的ＥＣＲ等离子体沉积装置．采用微波真空波导及反常模式或输入技术，利用腔内双靶构成的电场镜，使高能γ电子在电场镜中振荡，从而获得高密度的等离子体．并且，导电膜能连续高速沉积，在２．７×１０－２Ｐａ的低气压下，铜膜的沉积速率可达１２０ｎｍ／ｍｉｎ．     

用不同靶材制备B-C-N薄膜及其红外表征

采用射频磁控溅射方法,分别利用六方氮化硼(h-BN)、硼(B)和石墨(C)靶,在氩气和氮气的氛围中,沉积B-C-N薄膜.傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析表明:在1200～1800cm-1和1000～1750cm-1处出现了较宽的吸收峰;在2200cm-1处出现了CN键的特征吸收峰.表明在沉积的薄膜中,C原子与N原子相结合.分别溅射C和h-BN靶,红外光谱分析表明,B—C键在1100cm-1处未产生吸收峰,即利用h-BN和C靶沉积的B-C-N薄膜倾向于相分离,利用B和C靶沉积的B-C-N薄膜中的原子实现了原子量级的化合.     

Photoluminescence from Ge-SiO2 thin films and its mechanism

Ge-SiO₂ thin films were deposited on p-type Si substrates using the radio frequency (rf) magnetron sputtering technique with a Ge-SiO₂ composite target. Films were annealed in N₂ ambience for 30 min at 300℃—1000℃ with an interval of 100℃. Through the X-ray diffraction, the average size of Ge nanocrystals (nc-Ge) was determined. They increased from 3.9 to 6.1 nm with increasing annealing temperature in the range of 600℃—1000℃. Under ultraviolet excitation, all samples emit a strong violet band centered at 396 nm. With the formation of nc-Ge, the samples exhibit another emission of orange band with the peak at 580 nm and its intensity increases with the increasing size of nc-Ge. The peak positions of two bands do not shift obviously. Experimental data indicate that the violet band comes from GeO defect and the orange band originates mainly from the luminescence centers at the interface between the nc-Ge and SiO₂ matrix.     

基片温度对CNx薄膜性能和结构的影响

采用离子束溅法，在单晶Si（100）基片上制备CNx薄膜。研究了基片温度对CNx薄膜性能和结构的影响。结果表明：随着基片温度的提高，薄膜生长致密，表面光滑；薄膜硬度逐渐提高，但温度升高到200℃后，硬度增加缓慢。同时，基片温度升高使薄膜中的N含量增加，促进C－N化合物结晶。X射线衍射结果证明在850℃时，薄膜中产生α－C3N4晶相。     

辉光放电阴极溅射,瞬变原子化／原子吸收光谱分析性能的研究（Ⅱ）

通过一些元素的测定，进一步研究了辉光放电阴极溅射、瞬变原子化／原子吸收光谱分析技术的如下分析性能：不同Ａｒ气压力下放电电流与放电电压的关系；放电电流、放电功率分别与吸光度的关系；石墨阴极空穴溅射时间对元素分析灵敏度的影响；分析校正曲线的线性范围：基体干扰等。试验表明；增加放电功率是提高分析灵敏度的关键；采用峰面积吸光度方式将大大扩展一些元素分析校正曲线的线性范围。