RED-PD算法的仿真研究

随机早期检测(RED:Random Early Detection)是IETF推荐的一种基于路由器有效的主动队列管理算法,但是在某些情况下,一些数据量很大的数据流会大量占用带宽,从而导致了各流量之间带宽分配的不公平性,甚至产生拥塞崩溃。对M ahajan提出的一种基于RED分组丢弃历史的AQM(Active Queue M anagem ent)算法RED-PD(RED w ith Preferential D ropp ing)进行了深入研究。该算法通过对被检测出的高带宽流的数据包采用提前丢弃的策略,实现带宽分配的公平性。通过仿真发现了RED-PD算法的自适应性,表明此算法有更高的理论和实用价值。     

Ag溅射参数对FePt/Ag薄膜取向生长的影响

采用有交互作用的正交实验方法对磁控溅射法在玻璃基片上制备FePt/Ag纳米双层膜Ag底层的溅射参数进行研究.通过直观分析,方差分析和XRD图分析,可以选出Ag底层诱导FePt层取向生长的最佳溅射条件,为FePt磁性层性能的进一步研究应用奠定了基础.     

聚焦离子束无掩膜注入单晶硅离子浓度深度分布的研究

随着聚焦离子束(focusedion beam,FIB)无掩膜微细加工能力的迅速发展,结合精确定位能力,FIB已成为新型且出色的纳米制造工具.对FIB无掩膜注入单晶硅衬底的注入效果与离子束流、注入剂量的关系进行研究发现,以固定能量注入的离子,当注入剂量恒定,离子浓度随深度的分布与离子束流大小无关;当离子束流恒定,注入离子的表面浓度随注入剂量的增加而增加,但是由于FIB注入的同时会刻蚀材料表面,注入剂量达到饱和值后,会造成材料一定程度的减薄.     

磁控溅射制备FeSi膜的性质

本文利用JGP-560CⅧ型带空气锁的超高真空多功能溅射系统在Si（100）和玻璃基底上沉积了介质薄膜、半导体薄膜、金属薄膜和磁性薄膜,通过实验研究得到各种薄膜较好的镀膜条件;并采用可变入射角椭圆偏振光谱仪对其中一些薄膜的光学性质进行了分析,研究了制备条件对薄膜在可见光范围内光学性质的影响;还研究了直流溅射、射频溅射、反应溅射的特点和它们的适用范围。     

磁控技术成膜的工艺研究与微观表征分析

在氩气的气氛中采用直流磁控溅射方法,在玻璃基片上制备铂薄膜热敏电阻,并对铂薄膜的微观组织进行分析,同时研究了磁控溅射镀膜工艺参数对制备铂薄膜的影响,分析了参数中溅射功率、溅射时间与膜厚的关系。并利用Matlab软件建立了溅射时间、溅射功率与膜厚的三维关系模型图。     

层次分析法在建设工程项目择优评价中的应用

通过对常用建设工程项目择优评价方法的综合分析,论述了应用层次分析法进行建设工程项目择优评价的基本过程,并结合项目选择的实例,提出了择优评价的层次分析模型,从而说明了如何将层次分析法应用于建设工程项目的择优评价.     

聚变堆第一壁材料溅射的计算机模拟

用基于两体碰撞近似的蒙特卡罗模拟方法，研究聚变a粒子对反应堆第一壁材料（C，W，B ,SiC及不锈钢Fe073Cr0.18Ni0.09)的溅员伤，着重讨论上述材料溅射产额随入射能量的变化及家它与实验结果的比较，并且给出具有一定能量分布的α粒子 轰击第一壁时，各种材料的溅产额，溅射粒子能谱，角分布和源深度分布，以及β粒子入射角对溅产额的影响，计算结果表明，在相同入射条件下，不锈钢的溅 额较大，其余几种材料的溅射产额几乎相等。     

中频磁控溅射法制备氧化锌钇薄膜及其性能研究(英文)

利用中频磁控溅射法,溅射氧化锌钇(ZYO)陶瓷靶材,在玻璃基底上制备ZYO透明导电薄膜。研究了氧化钇掺杂量和基底温度对薄膜的结构、电学性能和光学性能的影响。结果表明,ZYO薄膜为钎锌矿型结构,呈c轴择优取向,平均可见光透过率(400～800nm)达到80%以上。制备的ZYO薄膜具有的最低电阻率为1.18×10-3Ωcm。     

利用生产动态数据识别储层非均质性

目前我国大部分油田经历了数十年的生产,现已进入高含水开发阶段,部分地区储层非均质性明显,导致油田的开发投资、成本增加,经济、社会效益大大降低。通过对储层非均质性与油田生产动态数据之间的相关性进行研究,利用数据相关性原理提出一套全新的判别砂岩油藏储层非均质性的思路方法;运用丼间相关性模型通过动态生产数据快速、准确的判别储层非均质特性。将该方法应用于油田现场,预测结果与实际结果相同,证明了方法的准确有效。与传统识别储层非均质性的方法相比,无需测试额外数据、方便快捷、简单有效,可以节约大量的研究费用与时间,具有较好的现场应用价值。     

溅射功率对 ZnO ∶Mn 薄膜结构、应力和光电性能的影响

利用直流磁控溅射法,在玻璃衬底上制备掺锰氧化锌（ZnO ∶Mn）透明导电薄膜．研究了溅射功率对薄膜结构、力学性能和光电性能的影响．功率对薄膜应力影响不是很大,且应力均为负值,表现为压应力．溅射功率通过改变晶粒尺寸和结晶程度而影响薄膜的导电性能：当溅射功率为135 W 时,薄膜的电阻率具有最小值为1．10×10－2Ω·cm．实验表明,功率是影响 ZnO ∶Mn 薄膜性能的一个重要参量．