四川资阳汉族7项不对称行为特征的研究

以四川省资阳地区作为取样点,调查了497例(男220例,女277例)简阳市汉族高中生的7项不对称行为特征(扣手、利手、叠臂、叠腿、利足、起步类型和优势眼).研究结果显示:(1)四川资阳汉族7项不对称行为特征出现率均R型高于L型.(2)四川资阳汉族7项不对称行为特征的出现率均不存在性别间差异.(3)四川资阳汉族与蒙古族等12个民族R型率比较,经u检验显示,除藏族外,与其他12个民族均有4项及以上不对称行为特性与其出现显著差异.(4)与其他7个地区汉族人群比较的u检验显示,四川资阳汉族与其他6个地区汉族均有3项以上不对称行为出现显著差异.(5)分析了四川资阳汉族7项指标间的相关性,发现扣手与利足、扣手与起步、利手与利足、利手与起步、叠腿与利足、叠腿与起步、利足与起步也存在显著的相关性,且R-R型组合(右型-右型)的出现率远高于L-L型组合(左型-左型)的出现率.     

对向靶溅射法中直流负偏压对FeN化合物薄膜的结构和磁性的影响

对向靶反应溅射法制备的FeN化合物薄膜的结构和磁性对基板偏压的变化很敏感,不同的偏压数值作用的效果不同。我们用基板偏压促进成膜原子间的相互扩散,以及对负离子排斥降低膜中N的浓度和粒子轰击对膜再溅射的观点解释了FeN膜的结构和磁性的变化。     

电力电子器件表面溅射膜的保护机理研究

本文研究了用直流硅靶溅射反应法制备的溅射膜的导电特性和表面屏蔽作用,得出低含氧气氛下(O_2/Ar<30%)生成的溅射膜是一种半绝缘性的含氧非晶硅.它用于电力电子器件表面作内层保护能屏蔽外界电荷,因而可以大幅度提高器件的耐压稳定性.     

离子束溅射非晶软磁薄膜

用离子束溅射方法制成了非晶态软磁薄膜,具有良好的软磁特征。本文研究了离子能量、氩气压强、沉积速率和入射角对磁膜性能的影响。     

φ16cm宽束离子源的设计

本文介绍了一种口径为φ１６ｃｍ的宽束离子源的设计．该源采用了多极场型放电室，结构紧凑合理，便于清洁维修以及更换离子引出系统．使用二栅引出系统时，可获得５０～１５００ｅＶ的离子束．距源１０ｃｍ处，５００ｅＶ的氩离子束的束流密度可达０．９５ｍＡ／ｃｍ２，且±８％均匀性的均匀区域达φ１４ｃｍ．     

Au/(C/SiO2)/p-Si结构中的电流输运机理研究

采用射频磁控溅射方法制备了镶嵌纳米碳粒的SiO2薄膜，利用Au／（C／SiO2）／p-Si结构的I-V特性曲线，对其电流输运机理进行了分析．结果表明，正向偏压较小时，薄膜中的电流符合欧姆电流输运机制；正向偏压较大时，薄膜中的电流主要是Schottky发射和Frenkel-Poole发射2种电流输运机制的共同作用结果．这一结论与样品的EL（electroluminescence）是由SiO2中的发光中心引起的结论相一致．