射频磁控溅射透明ZnO薄膜的退火性质分析

采用射频(RF)磁控溅射法在玻璃衬底上制备了c轴择优取向的ZnO薄膜。对所制备的ZnO薄膜在空气气氛中进行不同温度(350~600℃)的退火处理。利用XRD研究退火对ZnO薄膜晶体性能和应力状态的影响;用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜的表面形貌;用分光光谱仪测试薄膜的透光率。研究表明,随退火温度的升高,ZnO薄膜(002)衍射峰强度不断增强,半高宽逐渐减小;ZnO薄膜中沿c轴方向存在着的张应力在500℃退火时得到松弛;退火处理后薄膜的平均透光率变化不大,但透射光谱出现了“红移”现象。     

厚度对ZnS薄膜结构和应力的影响

用射频磁控溅射法在单晶Si基片上制备了4种不同厚度的ZnS膜,采用XRD和光学干涉相移法对薄膜的微结构和应力进行研究。结构分析表明,不同厚度的ZnS膜均呈多晶状态,并有明显的(220)晶面择优取向,晶体结构为立方晶型(闪锌矿)结构;随着薄膜厚度的增加,平均晶粒尺寸随之增大;薄膜的晶格常数在不同厚度下均比标准值稍大。应力分析表明,随着膜厚的增加,ZnS膜的应力差减小,在厚度为768 nm时的选区范围内应力差最小,应力分布较均匀。     

Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜的磁控溅射法制备与介电性能研究

用磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上沉积Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜.研究沉积气压和衬底温度对BST薄膜结构及介电性能的影响.应用XRD和AFM表征薄膜的物相结构及其表面形貌,通过阻抗分析仪测量薄膜的介电性能.结果表明在3.0 Pa沉积气压和600℃衬底温度下制备的Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜有较好的微结构和介电性能.     

工作气压对磁控溅射法制备硼碳氮薄膜结晶度的影响

本文用六方氮化硼和石墨靶材采用射频（频率为13．56MHz）磁控溅射法沉积硼碳氮薄膜,得到的硼碳氮薄膜可用红外,拉曼表征。工作气压从0．2Pa升高到6．0Pa。我们可以观察到工作气压可以明显的改变硼碳氮薄膜的晶体结构和结晶度。硼碳氯薄膜的半高宽随工作气压的增加而变化并且在工作气压1．0Pa时得到较好结晶度的薄膜。     

网络科学的理论模型探索及其进展

简要评述了复杂网络分类和研究概况,着重概述了近年来本研究项目在网络科学的理论模型方面的探索及其进展。提出和探索了若干模型:和谐统一的混合择优模型,大统一混合网络模型,量子信息网络模型,纳米相干网络模型,局域世界演化模型,非局域连接模型,社区网络模型,属性连接网络模型,含权科学家合作模型,同步最优网络模型,以及广义同步和集团同步等问题。     

一种改进型遗传算法的网格工作流调度研究

用有向无环图表示的网格工作流调度问题是一种典型的NP-完全问题,因而,有效的调度算法是必不可少的。为解决这一问题,提出了一种改进型的遗传算法。运用适应度差的染色体与最优个体进行二级优先杂交和变异,不仅保障了种群的多样性,也提高了种群的收敛速度。采用Gridsim工具进行模拟后,证实该算法较标准的遗传算法更适用、更有效。     

四川资阳汉族7项不对称行为特征的研究

以四川省资阳地区作为取样点,调查了497例(男220例,女277例)简阳市汉族高中生的7项不对称行为特征(扣手、利手、叠臂、叠腿、利足、起步类型和优势眼).研究结果显示:(1)四川资阳汉族7项不对称行为特征出现率均R型高于L型.(2)四川资阳汉族7项不对称行为特征的出现率均不存在性别间差异.(3)四川资阳汉族与蒙古族等12个民族R型率比较,经u检验显示,除藏族外,与其他12个民族均有4项及以上不对称行为特性与其出现显著差异.(4)与其他7个地区汉族人群比较的u检验显示,四川资阳汉族与其他6个地区汉族均有3项以上不对称行为出现显著差异.(5)分析了四川资阳汉族7项指标间的相关性,发现扣手与利足、扣手与起步、利手与利足、利手与起步、叠腿与利足、叠腿与起步、利足与起步也存在显著的相关性,且R-R型组合(右型-右型)的出现率远高于L-L型组合(左型-左型)的出现率.     

对向靶溅射法中直流负偏压对FeN化合物薄膜的结构和磁性的影响

对向靶反应溅射法制备的FeN化合物薄膜的结构和磁性对基板偏压的变化很敏感,不同的偏压数值作用的效果不同。我们用基板偏压促进成膜原子间的相互扩散,以及对负离子排斥降低膜中N的浓度和粒子轰击对膜再溅射的观点解释了FeN膜的结构和磁性的变化。