构造概率模型巧妙解决数学问题

举例说明如何构造概率模型解决代数、分析中的一些问题，进一步阐述概率思想应用的广泛性．     

一类四阶方程边值问题正解的存在性

得到了一类四阶方程边值问题相应的Green函数。从而将该问题转化为相应的Hammerstein型积分方程，并利用锥拉伸与锥压缩不动点定理，证明了它在一定条件下，至少有一个正解。     

微分电位溶出法测定酒中痕量铅

本文研究了测定酒中痕量铅的微分电位溶出法。该法检测下限为0.1ug·L~(-1)pb,在0～10ug·L~(-1)浓度范围内有良好线性关系,用于酒中痕量铅的直接测定,其相对标准偏差小于4.5%,回收率为98.5～103%,结果令人满意。     

一类闭排队网络引入遗忘因子的优化算法研究

在闭排队网络服务策略的优化中，基于对系统一条样本轨道的仿真进行策略优化是一种很有实用意义的方法，但在具体优化过程中，过多的仿真次数是影响寻优速度的重要因素。该论文提出了一种引入遗忘因子，利用参数取旧值时的仿真中所获得的信息进行优化的方法，使寻优速度有显著提高。     

静电屏蔽物理原理

本文从电场强度、电势两方面探讨了静电屏蔽的物理原理以及静电屏蔽的实质。     

向量变分不等式解的存在性

利用广义向量平衡问题解的存在性结论，给出了向量变分不等式解的存在性定理。     

曲面交互设计的偏微分方程反演方法

提出了一种基于偏微分方程反演自动决定偏微分方程系数和边界条件的PDE曲面造型的新方法，使所得的曲面形状尽量接近用户的选择，若干数值例子说明了此方法是有效的．     

像势对量子阱中类氢杂质结合能的影响

在有效质量近似下，利用变分方法研究了像势对量子阱中类氢杂质结合能的影响。计算中考虑到了阱和垒中电子有效质量的不同。数值计算结果表明：阱和垒中质量的不连续只对阱宽较窄的区域有影响，而像势则在整个区域都有影响．对于阱和垒中介电常数之比较大和阱宽较小的量子阱，考虑像势对阱中杂质结合能的修正是非常必要的     

任意形状导体空腔内的电位及场强分析

由静态场的泊松方程求出任意形状导体空腔内的电位和场强分布，说明即使导体空腔表面的电荷分布不均匀，但空腔内部的电位仍然处处相等，整个导体是等位体，场强分布为零，与导体空腔形状无关．这一结论在分析静电屏蔽及TEM波在空芯金属波导管中的传播有一定的意义。     

新电位溶出分析方法研究

本文对新电位溶出分析方法进行了综述和研究,并着重讨论了流动注射电位溶出分析和间断多次扫描流动注射电位溶出分析.