一种基于性能势的无折扣强化学习算法

传统基于性能势的学习算法能获得马尔可夫决策问题的最优策略。这些算法主要采用单路径采样的方法,使得学习算法效率不高。将性能势与强化学习相结合,提出了一种基于性能势的无折扣值迭代学习算法——G学习,并将其与经典的无折扣强化学习算法(R学习)相比较,获得了较好的实验结果。     

二氟卡宾与苯环加成反应机理的量化研究

用限制的Hartree-Fock从头算分子轨道理论研究单重态二氟卡宾与苯的环加成反应机理,采用HF/3-21G*方法计算势能面上各驻点的构型参数、振动频率和能量。结果表明该反应途径由2步组成:①两反应物(R1 R2)首先生成一复合物(CM),它是一无势垒的放热反应,放出的能量为6.35 kJ/mol;②复合物(CM)经过渡态(TS)异构化为产物(P),其势垒为199.90 kJ/mol。     

一类带调和势的非线性Schrodinger方程组的爆破问题

研究一类带调和势的非线性Schrodinger方程组的初值问题,通过在Sobolev空间中定义能量空间,运用能量方法,建立质量能量守恒律,利用能量函数,得到了只要初值满足一定的条件,该方程组的解在有限时间内爆破。     

驱动电流密度对低压容性射频鞘电势及离子动能的影响

研究了离子轰击被加工材料表面的能量与射频驱动电流密度之间的关系，在Lieberman的低压容性射频等离子鞘模型基础上，考虑Bohm速度对应的鞘前电势差，将鞘前电势差与Lieberman的鞘内电势合并，发展了Lieberman的模型，并推出了总电势差与驱动电流密度的关系式，利用总鞘电势差计算了经时间平均的鞘电场加速后离子获得的动能，由于鞘电势差和平均离子动能及其增幅随电流密度的增加而增加，因此射频驱动电流密度对鞘电势差及平均离子动能起激励作用，通过实验，测量了时间平均鞘电势差及驱动电流密度值，实验结果与理论结果吻合较好，因此验证了理论分析的正确性。     

三维耗散振子

在谐振子Schr(?)dinger 方程中引入一复位势则可唯象描述环境对振子的耗散作用。本文在球极坐标和柱坐标系中分别讨论了具有各向同性和轴对称性耗散参数的耗散振子波函数、能级、电偶极辐射跃迁的选择定则,及耗散参数大小对非相邻两态间跃迁强度的影响。讨论结果表明,振子非相邻态间的跃迁强度将随环境耗散作用的增加而增强。     

交通枢纽乘客交互作用建模与仿真

从交通枢纽乘客行为的环境影响因素与交互作用出发,建立了面向枢纽复杂环境的乘客交互作用仿真模型.通过探究乘客自组织特性的生成机理,该模型引入环境势能场和个体势能场的概念与方法,提出乘客潜在交互作用模拟的解决方法,能够有效捕捉乘客行为特性,再现乘客在复杂环境中的决策行为.以走廊单/双向乘客流与瓶颈通过场景为实例,应用计算机仿真试验对模型进行了校验.     

电子与原子低能散射的等效绝热极化势研究

本文对常用的等效绝热极化势公式进行了修正,使其在近区具有良好的物理性能,对c—He弹性散射截面在0.5～20eV范围内进行了计算,获得了满意的结果。     

Neutral dissociation of methane in the ultra-fast laser pulse

Neutral fragments of methane were performed using femetosecond laser at an intensity of 10^（13-14） W/cm^2. A new mechanism of neutral dissociation is proposed in this work. The methane molecule is excited to super-excited states, in which it would dissociate into neutral fragments. We made Morse type potential energy surfaces for the super-excited molecules. Furthermore, we investigated the dissociation dynamics of the super-excited states by using quasi-claseical trajectory （QCT） method. The results thus interpret the neutral dissociation of the methane molecule in the ultra-fast laser pulse.     

砷化镓场效应管的潜在性失效

为提高ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ静是放是失效阈值，通过ＥＳＤ实验前、后直流参数和热分布变化获取不足１０％的器件表面为永久性失效，而９０％以上的器件表现为潜在性失效的结果。潜在性失效机理类强电场、大电流及ｎｓ级瞬时冲击下，辅之以电热迁移和扩散，致使ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ肖特基势垒受到不同程度损伤，Ｇ－Ｓ、Ｇ－Ｄ间的界面离化或击穿。研究其潜在性失效机理，找出在设计、工艺和材料上的缺陷，以提高器件抗静电能力。