砷化镓场效应管的潜在性失效

为提高ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ静是放是失效阈值，通过ＥＳＤ实验前、后直流参数和热分布变化获取不足１０％的器件表面为永久性失效，而９０％以上的器件表现为潜在性失效的结果。潜在性失效机理类强电场、大电流及ｎｓ级瞬时冲击下，辅之以电热迁移和扩散，致使ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ肖特基势垒受到不同程度损伤，Ｇ－Ｓ、Ｇ－Ｄ间的界面离化或击穿。研究其潜在性失效机理，找出在设计、工艺和材料上的缺陷，以提高器件抗静电能力。     

酉阳县土地生产潜力和人口承载量

阐述了酉阳县土地生产潜力和土地人口承载量的估算方法和结果,并对结果进行了一定的分析.     

有电磁感应时磁力对载流导线所作的功

讨论有电磁感应时,载流导线在磁场中的运动规律及磁力对载流导线所作的功。并说明磁力作功的能量来源是电源为克服感应电动势而额外供出的能量。     

关于功能原理之来源之探索

本文分析了由动能定理导出功能原理的过程。     

铸造奥氏体不锈钢在含有Cl~-界质中的点蚀行为

本文采用化学浸蚀法及电化学动态测定了铸造奥氏体不锈钢在含有C1~-介质中的点蚀起源及点蚀规律。实验结果表明:铸造奥氏体不锈钢的点蚀起源于钢中夹杂物处.而含有Cr、Mo的铸造奥氏体不锈钢有良好的抗蚀性能.     

低能正电子与氦原子的弹性散射

对电子与氦原子相互作用的模型势进行了修正.用修正前后的模型势计算低能电子被氦原子散射使得S分波相移与实验结果一致,把同样的模型势(忽略交换势)应用到低能正电子被氦原子散射,得到了低能正电子的分波相移、弹性散射截面、动量转移截面.结果表明,用修正后的模型势所得到的结果与实验值符合得很好.从而说明对模型势的修正是合理的.     

在各向异性介质中电势的多极矩展开

给出在线性各向异性介质中电势的多极矩展开,及其特点和应用实例。     

非零温的正电子湮没率的计算

试用有效位势方法计算金属中非零温的总湮没率.所得结果与实验符合得较好。     

HCl分子基态(X1Σ+)的平衡几何与势能函数

采用密度泛函理论的B3LYP方法和二次组态相互作用的QCISD和QCISD(T)等理论方法,在D95(d),6-311G(d,p)和6-311G(3df,3pd)基组下,对HCl分子基态的平衡结构、离解能和谐振频率进行了优化计算,利用QCISD/d95(d)对HCl分子的基态进行了单点能量扫描,并将扫描结果用正规方程组拟合Murrell-Sorbie势能函数.由拟合得到的势能函数,计算与X1Σ 态相应的光谱常数(Be、αe、ωe和ωeχe),其结果与实验符合得较好.