四硝基酞菁合钴化学修饰电极的制备及对氧的电催化还原

合成了4,4′,4″,4″′—四硝基酞菁合钴(Ⅱ),并进行了表征,用不可逆吸附法制备了该化合物为修饰物的化学修饰电极,以光电子能谱法进行了表面表征。并研究了分子氧在该化学修饰电极上的电化学行为,发现该化学修饰电极对氧的还原有明显的电催化作用。     

拟塑性流体理论中一类奇异非线性边界值问题

研究了起源于拟塑性流体理论中的一类奇异非线性两点边界值问题正确的存在性和唯一性。     

用边界层理论计算平底闸孔出流的流量

应用边界层理论,对闸孔出流的水力计算方法进行了分析,得出了用边界层厚度表示的流量计算的表达式。该计算式物理意义明确、计算简单,经验证与试验结果一致。     

线性无关向量组正交化的矩阵解法

利用矩阵的初等变换,给出了线性无关向量组正交化的矩阵解法,使用该方法使得线性无关向量组正交化过程更加简捷易行。     

电聚合吡咯膜修饰的葡萄糖氧化酶电极

自制的铂丝电极经铂化处理后,将葡萄糖氧化酶与单体吡咯用循环伏安法共聚合到电极上,铂化后电极表面积的增大增加了固定的酶量,同时也增大了电极对Ｈ２Ｏ２的催化能力,使电极对葡萄糖的响应电流增大到７．５ｍＡ／（ｍｏｌ·Ｌ＾－１）,还测试了聚合液中酶浓度、ｐＨ值和聚合时间等因素对电极特性的影响。     

正蕴涵BCK-代数的伴随半群

本文讨论了正蕴涵BCK－代数的剩余刻划;证明了具有条件（S）的正蕴涵BCK－代数的伴随半群是一个下半格。     

伴随矩阵的若干性质

从特殊矩阵的伴随矩阵的关系考察了伴随矩阵的性质。     

一个两点边值问题多重正解的存在性

利用不动点指数的同伦不变性和最大值原理,经过构造一个函数,得到了非线性两点边值问题至少存在两个正解的新的充分条件．该结果在Ｄｉｒｉｃｈｌｅｔ边值问题的情况下,严格优于文献［１］的相应结果．     

C^＊—代数中的正逼近

讨论了Ｃ＊－代数中的正元逼近问题,研究了逼近度的一系列性质;应用Ｃ＊－代数的万有表示和Ｈａｌｍｏｓ关于正算子逼近的结果,证明了Ｃ＊－代数中的任一元都存在最佳正逼近并且给出了最佳正逼近的表达式。     

锡在金电极上的欠电位单层沉积的分析应用

用循环伏安法研究了Sn2 在金盘电极上的欠电位沉积.在特别提纯的1 mol/L HCl支持电解质溶液中,Sn2 在金盘电极上可以产生清晰的欠电位沉积峰和本体沉积峰.基于Au/Sn欠电位体系优良的电化学特性,发展了一种选择性好、灵敏度高的电化学分析方法.Sn2 浓度在1.96×10-10～2.91×10-s mol/L范围内与峰电流有线性关系.连续7次测定1.0×10-9 mol/L Sn2 得到的相对标准偏差为5.06%.该方法已用于实际样品的测定,所得结果与原子发射光谱(ICP-AES)所得数据相吻合.