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101.
多孔介质应力关系方程 总被引:9,自引:0,他引:9
李传亮 《应用基础与工程科学学报》1998,(2)
Terzaghi方程(σ=σG+P)是描述多孔介质应力关系的经典方程,由于方程同时定义了二个不可测量,因而是不实用的;方程没有引入反映多孔介质特性的最重要参数(φ),因而是不妥当的;鉴于方程存在的问题,本文对其进行了深入的研究,重新建立了多孔介质应力之间的关系方程:σ=φP+(1-φ)σG;由于φ的引入,新方程更全面、更合理地反映了多孔介质固有的力学特性. 相似文献
102.
剪切与吸附对弱凝胶深部调驱作用的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
分别用玻璃微珠、石英砂、露头砂制作填砂模型,研究了弱凝胶体系的动态性能变化以及剪切与吸附对其深部调驱作用的影响。研究结果表明,动态条件下弱凝胶体系在3种介质中均可发生交联反应,其封堵能力、有效作用距离、深部调驱作用在玻璃模型、石英模型、露头模型中依次降低,水驱后弱凝胶均呈颗粒状。剪切作用可破坏弱凝胶三维结构及聚合物分子链,延长动态成胶时间,降低弱凝胶的封堵强度及其深部调驱作用;吸附作用可富集交联剂,加快交联速度,缩短动态成胶时间,降低弱凝胶本身强度、可运移性及其深部调驱作用。 相似文献
103.
104.
多空陶瓷材料内部由众多均匀分布的桥联拱形微孔衔接而成.作为一种重要的功能性材料,与常规结构陶瓷材料相比,多孔材料有更多的优越性能.诸如:均匀的孔径大小,较高的比表面积,极强的抗酸碱腐蚀性能,较好的抗磨损性等.本文综述了多孔陶瓷的类型工艺制备及应用前景. 相似文献
105.
对纯水和NaCl溶液在砂床中冷冻干燥的特性进行了实验研究,分析了冻干过程中砂床温度的分布特性,研究了在不同颗粒尺寸砂床中,溶液浓度对干燥时间的影响和干燥后非挥发性质砂床中的分布。 相似文献
106.
齐济 《大连民族学院学报》2003,5(3):42-44
揭示了生产中浮法玻璃气泡形成的机理、位置、尺寸、组成与操作工艺条件之间的规律,对生产高质量的玻璃有指导意义。 相似文献
107.
利用蒙特卡洛法对多孔材料的内部结构进行了重构,并验证了重构模型具有自相似性和标度不变性的分形特性.对重构的多孔材料模型进行网格划分,利用二值化原理识别网格中的固体基质和流体孔隙,构筑材料内部真实传热过程的串并联混合热阻阵列图,建立适用于各种均质和非均质多孔材料热导率的计算方法——二值化阵列法.基于该方法,对闭孔泡沫铝和硅酸铝耐火纤维材料的热导率进行了计算,并与文献中的实验测量值进行了比较,具有较好的一致性,验证了本方法的正确性和普适性. 相似文献
108.
PLGA组织工程支架的构建及降解行为研究 总被引:12,自引:0,他引:12
用本体开环聚合方式合成不同摩尔比的PLGA(n(dl-LA)n(GA)分别为85/15,75/25,65/35,55/45)共聚物。^H NMR和溶解试验结果表明,共聚物各链段呈无规分布,GA序列长度在1.3-1.8之间。通过溶液浇铸造-低热模压-粒子沥滤技术构建了高度多孔的PLGA组织工程支架,考察了它们在Na2HPO4-NaH2PO4缓冲溶液中的降解行为。结果表明:随着水解的进行,PLGA的特性粘度及构建的多孔支架的压缩强度迅速下降,共聚物中GA组分含量赵大,下降的速度越快,与之对应的多孔支架的多孔结构形态保持时间也随共聚物中GA组合分含量增加而下降,分别为8周(n(dl-LA)/n(GA)分别为85/15和75/25)、4周(n(dl-LA)/n(GA)为65/35)和2周(n(dl-LA)/n(GA)为55/45);但质量损失速率比[η下降速度慢得多,多孔支架的降解速率慢于薄膜的降解速率。 相似文献
109.
魏芹芹 《山东理工大学学报:自然科学版》2006,20(5):68-71
用阳极电流腐蚀法制备多孔硅(PS),并将其分散到无水乙醇中形成溶胶.用荧光光谱仪测定了多孔硅溶胶的荧光强度与浓度的关系,研究了不同表面活性剂的掺入对溶胶体系的稳定性及其荧光强度的影响.进行了多孔硅溶胶的电迁移实验,并发现不同的表面活性剂的加入可使多孔硅溶胶带不同电荷,从而使多孔硅溶胶的电迁移变的可控.用扫描电镜(SEM)和X光电子能谱(XPS)对多孔硅溶胶电迁移沉积层进行了对比分析.研究表明,溶胶体系中表面活性剂的加入对沉积层的成分没有影响,可以用这种方法实现多孔硅纳米粒子的可控组装. 相似文献
110.
阳极腐蚀条件及单晶硅类型对多孔硅光致发光性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了阳极腐蚀条件及单晶硅的导电类型和掺杂原子浓度等多多孔硅微结构与室温可见区光致发光性能的影响。结果表明,延长腐蚀时间、提高电流密度降低腐蚀液中氢氟酸浓度,都能引起多孔硅发光波长蓝移,发光强度的变化则较复杂;由轻掺杂硅制备的多孔硅不仅发光效率高,而且波长蓝移,硅片导电类型多孔硅发光的影响不显著,这些结果可根据量子限制疚与多孔硅的形成机制来解释。 相似文献