辫状河流沉积油藏注聚初期调整方法及效果

针对孤岛油田中一区 Ng5 - 6砂质辫状河沉积油藏 ,注采对应程度较低 ,平面矛盾突出 ,在注聚初期表现出了与曲流河沉积油藏不同的动态特点 ,在深化油藏地质特征认识的基础上 ,分析了注聚初期油藏动态变化特征 ,采取了完善井网、水井调剖、调整产液结构等措施 ,取得了良好的开发效果 ,2 0 0 1年累计增油 2 .2× 1 0 4 t     

氮化硼先驱体的合成与研究

以三氯化硼，三乙胺为原料，在氮气保护气下，经低温反应合成了配位键化合物Et3NBCl3，再与（Me3Si2)NH反应，得到了中间产物（Me2Si)2NBC2和（Me2Si)2NB(Cl)NHSiMe3，进而通过热缩合成环和高分 子化后，获得了具有B、N六元环结构的BN先驱体，合成的BN先驱体，软化点为40－50℃左右，且热处理后软化点的温度可提高至60－70℃左右，可纺性能良好，获得的淡黄色，半透明且表面光滑的先驱体丝，在氮气中热分解至1500℃，获得了含有不量Si3N4和SiC的BN粉体，陶瓷转化率为38％。     

玻璃陶瓷基板上铜薄膜的化学气相沉积

使用低介电常数基板和高电导率、高抗电迁移的金属Cu进行布线,可以提高高密度电子封装的传输速度和可靠性。采用乙酰丙酮铜作为前驱体,在常压下利用化学气相沉积技术对玻璃陶瓷基板进行Cu薄膜金属化。利用热重分析、X射线衍射和扫描电子显微镜等技术对前驱体、Cu薄膜进行分析观察。结果表明:影响Cu导体的电阻的主要因素是沉积温度。在温度为290～310℃,N2气流量为200～350mL/min和H2气流量为450～600mL/min的条件下,获得了致密的Cu薄膜,Cu导体方块电阻为25mΩ。     

四-α(2,2,4-三甲基-3-戊氧基)酞菁铜LB膜制备及电子吸收光谱研究

将四-a(2,2,4-三甲基-3-戊氧基)酞菁铜在亲水基片上以Z型成膜方式拉制了多层LB膜。膜崩溃压为60 mN·m-1,分子极限面积为0.33nm2。研究了酞菁铜的成膜条件,表明LB膜形成与水的纯度、铺展剂、铺展量、推膜速度等因素有关。不同层数的酞菁铜LB膜的紫外可见光谱表明,在LB膜中酞菁铜分子之间是以J-聚集形态存在。     

巨磁电阻效应

重点综述了磁性多层膜、颗粒膜、钙钛矿型氧化物及铁磁薄膜隧道结等几种不同结构类型的巨磁电阻效应的研究现状及其进展情况,并简述了巨磁电阻的物理机制及磁传感器、随机存储器和高密度读出头等几方面的应用,还涉及到了制备这些巨磁电阻材料的常用方法,并列举了10种不同组分的巨磁电阻材料,还说明了特大磁电阻和巨磁电阻的不同。     

新型磺化聚酰亚胺的合成

质子导电离子交换膜由于其高导电率和优异的化学性质而广泛应用于H2/O2燃料电池,但是全氟化膜的昂贵的价格限制了它的市场应用,为此,研究者尝试生产廉价的代替品,磺化聚酰亚胺就是被人们看好的代替品之一.用3,3′-二磺酸钠基-4,4′-二氟二苯酮和对氨基苯酚为原料合成一种新型芳香族二胺,再将新型芳香族二胺和二酐以间甲酚为溶剂一步法合成一系列具有不同磺化度的聚酰亚胺,从而避免了由聚合物磺化改性引起的聚合物链的交联与降解.用红外吸收光谱和H NMR核磁共振光谱对新型芳香族二胺单体进行了表征,并用红外吸收光谱表征了聚合物.研究了共聚物的组成结构,溶解性,及磺化度对共聚物的影响.结果表明DMF,DMAc,NMP等均是该磺化聚酰亚胺的良溶剂,聚合物粘度随着磺酸基含量的增加而降低.     

酰胺型杯[6]芳烃聚合物的合成及其对阳离子的吸附性能

通过杯[6]芳烃六乙醚乙酯与多乙烯多胺进行氨解反应，合成了系列酰胺型杯[6]芳烃聚合物，井研究了它们的阳离子吸附性能．发现它们对软金属离子具有较高的吸附容量，其吸附能力与聚合物中杯芳烃的含量成正比，说明杯芳烃单元在吸附过程中有着决定性的作用，聚合物3c对Ag^ 有较好的选择性吸附能力。     

带有油膜轴承的裂纹轴转子系统故障特征分析

通过大量仿真计算，对于带有油膜轴承的裂纹轴转子系统的故障特征进行了较为全面的论证．这些特征是通过三维频谱、转速-振幅特性和周期分岔特性来表达的．除了分析裂纹轴转子系统的基本故障特征外，还重点分析了作为故障特征的一个重要方面的非线性行为．为诊断转子系统裂纹故障提供了理论依据．     

TiO2光催化涂膜的制备及性能研究

研究以丙烯酸—有机硅乳液为粘结剂，以粘结成膜的方式，将Ti02光催化剂固定化。确定了以TiO2和粘结剂为主的光催化涂覆材料的基础配方。适量聚硅氧烷的加入可以提高光催化涂膜的硬度及改善涂膜与基底的附着状况。对涂膜的光催化性能、耐久性和活性等进行了研究。     

氧化铟锡薄膜在光学太阳反射镜上的应用

研究了光学太阳反射镜抗静电放电用氧化铟锡薄膜的设计原则.理论分析和实验结果表明,在将氧化铟锡(ITO)薄膜应用于光学太阳反射镜(OSR)表面防静电放电时,ITO薄膜的表面方阻R□不能小于5 kΩ@□-1,否则会导致OSR的太阳光谱吸收率增加.建议取R□=5～106kΩ@□-1,薄膜厚度d=(150～200)×10-10 m.同时必须保证ITO薄膜接地效果良好,否则会使OSR表面充放电现象更加严重.