几种杂环与芳环半导体高聚物的电子结构

用自洽场晶体轨道方法,在能量梯度优化单胞所得几何构型的基础上,研究了3种含硫(或氮)杂环与芳环共聚的高聚物半导体材料的电子结构.由于这些高聚物中杂环与芳环的非共面性,使得它们的能带结构中带宽较窄,带隔较大,在未掺杂时为绝缘体物质.但它们的电离势大小与聚乙炔相应值接近,故是较好的P型半导体材料.     

3-氯丙基二乙氧基氯硅烷乙氧基化方法的研究

以氢氧化钾-乙醇、碳酸钾-乙醇、三乙胺-乙醇、乙醇钠-乙醇四种方法研究了3-氯丙基二乙氧基氯硅烷乙氧基化反应。通过实验比较,三乙胺-乙醇法和乙醇纳-乙醇法较好,反应速度快且收率高,产生的高沸物最少。     

聚季铵型阳离子聚合物在蒙脱土上的吸附最大值现象

用静态吸附的实验方法对三种聚季铵型阳离子聚合物(COP)在蒙脱土上的吸附现象进行了研究,实验结果表明,COP在蒙脱土上的吸附等温线不符合Langmuir规律,而存在吸附最大值现象,用红外光谱法和岩芯流动试验方法也得到相同的结果。     

含氮五员双杂环导电高聚物的能带结构及其掺杂导电机制的研究

本文用量子化学半经验 EHMO—CO 方法计算了含氮五员双杂环高聚物本征态掺杂态的能带结构及净电荷、净π电荷分布。解释了实验测得的三种高聚物导电性强弱。提出了在 P 型掺杂剂作用下三种高聚物的导电机理。     

常压塔计算机控制系统设计与实现

采用多变量Smith预估技术和多变量系统频域方法设计了常压塔多变量计算机控制系统,并在国产0604微机系统上得到实现。现场运行状况和实际测试表明,该系统与通常采用的单变量方法实现的控制系统相比,其质量指标显著改善,获得了明显的经济效益。     

~(27)AINMR对碱式氯化铝的研究

实验室制得的碱式氯化铝,用~(27)Al NMR进行分析,发现在众多聚合体中存在[AlO_4Al_(12)(OH)_(24)(H_2O)_(12)]~(7+)离子,其化学位移相对于六水合铝离子[Al(H_2O)_6]~(3+)的零位移为δ=63ppm,试铁灵定时比色法对其存在进行了验证。研究了反应条件如酸浓度、铝酸当量比和陈化时间对产物组成及质量的影响,得出最佳条件为盐酸浓度16%,铝酸当量比为1:0.5,陈化时间为50h左右。     

高延性钢筋混凝土圆柱的非线性分析

本文提出了一种能够精确地计算在大变形塑性领域的多次重复载荷作用下的高延性钢筋混凝上圆柱的弯矩—曲率滞回曲线的非线性分析方法。该法的计算结果和试验结果吻合较好。     

官能性引发剂法单端基反应性聚二甲基硅氧烷的合成与鉴定

合成了p-(二甲基、羟基)甲硅烷基-α-苯基苯乙烯的锂盐(Ⅰ)。(Ⅰ)可作为环氧烷类单体的官能性阴离子聚合的引发剂。用(Ⅰ)引发六甲基环三硅氧烷聚合得到的聚二甲基硅氧烷的一端基上定量地带有1,1-二苯基乙烯基反应基。该端基反应性聚二甲基硅氧烷可用于与活性聚合物碳阴离子的偶联反应。     

取向高聚物的抗张强度对其形态结构和起始分子量分布依赖性的研究——一种从实验上来测定理论强度的新方法

采用以自增强高聚物(超高分子量聚乙烯和液晶)的非晶区中伸直应力集中链系数作为自变量,建立了等速形变下微区伸直应力集中链(Taut Tie Molecule和/或Trapped Entarglement Chain)的断链动力学方程,经积分和化简后,得到了自增强高聚物的抗张强度同其形态结构、起始分子量和其分布、成型工艺和断裂时间等最一般化定量关系式。当引入起始分子量和成型过程中牵伸化趋近于很大后,再同光子强度理论结果相结合,最后得到超高取向高聚物的抗张强度同理论强度、微区中伸直应力集中链(TTM和/或TEC)的重量分数和热涨落等间的定量关系式。基于该式建议一种从等形变实验来测定取向高聚物理论强度新方法,用该法测定了聚乙烯和尼龙6的理论强度,并讨论了液晶的抗张强度同起始分子量分布的依赖性。     

二氯二聚吡咯合铁的结构和吸附氢行为的CNDO／2研究

应用CNDO／2方法研究了二氯二聚吡咯合铁配合物（DCBPF）的结构和H2在该配合物上的吸附行为，确定了配合物的稳定结构，讨论了被吸附分子相对于配合物的不同吸附取向的影响，优化了各个体系相对于能量的分子间距，探究了吸附的微观机制，得到了一些比较有意义的结果。