多晶3C-SiC薄层的淀积生长及结构性能分析

采用ＨＦＣＶＤ生长法,以较低生长温度,在Ｓｉ（１１１）衬底上淀积３Ｃ－ＳｉＣ（１１１）薄层。用ＸＲＤ、ＶＡＳＥ、ＸＰＳ等分析手段研究了薄层的结构、光学常数、组分及化学键等性能。ＸＲＤ显示薄层具有明显的择优取向特征。ＶＡＳＥ测量出薄层的折射率为２．６８６,光学常数随深度的变化曲线反映出薄层的多层结构。ＸＰＳ深度剖面曲线表明薄层中Ｓｉ／Ｃ原子比符合ＳｉＣ的理想化学计量比,其能谱证明Ｃ１ｓ与Ｓｉ２ｐ成键形成具有闪锌矿结构的３Ｃ－ＳｉＣ。     

不均匀场中静磁波的传播和导波光衍射效应

理论分析了磁光薄膜垂直不均匀静磁场对静磁波以及导波光衍射效率的影响,并以抛物线分布的不均匀磁场为例对Ｂｉ：ＹＩＧ薄膜波导进行了计算,计算表明,在适当分布的不均匀场作用下,与均匀磁场情形相比,波导中传播的静磁波振幅以及导波光的衍射效率都有显著增加。     

电聚合吡咯膜修饰的葡萄糖氧化酶电极

自制的铂丝电极经铂化处理后,将葡萄糖氧化酶与单体吡咯用循环伏安法共聚合到电极上,铂化后电极表面积的增大增加了固定的酶量,同时也增大了电极对Ｈ２Ｏ２的催化能力,使电极对葡萄糖的响应电流增大到７．５ｍＡ／（ｍｏｌ·Ｌ＾－１）,还测试了聚合液中酶浓度、ｐＨ值和聚合时间等因素对电极特性的影响。     

高温氧化膜Cr2O3和NiO中应力松弛过程

用Ｘ射线原位应力测定了高温氧化膜Ｃｒ２Ｏ３和ＮｉＯ中的应力．结果表明,Ｃｒ２Ｏ３／Ｃｒ和ＮｉＯ／Ｎｉ体系氧化膜的生长应力分别为－１．９４９ＧＰａ和６５２ＭＰａ．在冷却过程中,Ｃｒ２Ｏ３／Ｃｒ体系发生很大的应力松弛过程,其主要表现形式为氧化膜翘曲和开裂;而在ＮｉＯ／Ｎｉ体系中,由于ＮｉＯ薄膜具有双层结构承受不同应力状态而获得松弛．     

泛光照明效果的计算机模拟

从实际灯具的配光曲线及被照面材料的反射特性入手,运用光度学和色度学的计算方法,详细介绍了泛光照明效果的计算机模拟程序的设计思想和分析方法,按照这一思想设计的软件在泛光照明设计中将十分有用。     

新法制备高亮度蓝色SrS∶Ce薄膜电致发光器件

以ＳｒＳ∶Ｃｅ和ＺｎＳ的混晶为原料用电子束蒸发的方法制备了蓝色ＳｒＳ∶Ｃｅ薄膜电致发光（ＴＦＥＬ）器件,研究了新法制备的ＳｒＳ∶Ｃｅ膜的光致发光（ＰＬ）性能和它的电致发光（ＥＬ）器件的电致发光性能,并与直接用ＳｒＳ∶Ｃｅ粉末制备的薄膜和器材的性能进行了对比．结果表明混晶法制备的薄膜电致发光器件的亮度和效率比直接法制备的器件要高得多,且ＺｎＳ的引入弥补了在ＳｒＳ∶Ｃｅ薄膜Ｓ的不足,避免了直接用ＳｒＳ∶Ｃｅ材料蒸发而采用的共Ｓ蒸发方法中Ｓ气氛对环境的污染．     

弱酸性介质中Silicalite—1分子筛膜的制备与表征

在ＳｉＯ２－ＴＰＡＢｒ－ＮＨ４Ｆ－Ｈ２Ｏ弱酸性氟离子体系中,在玻璃基片上采用水热晶化法制备了Ｓｉｌｉｃａｌｉｔｅ－１（全硅ＺＳＭ－５）分子筛膜．通过ＸＲＤ,ＳＥＭ分析测试手段对所合成的分子筛膜进行了表征,并对膜合成中硅源,水量等影响因素进行了考察．     

前驱体溶液pH值对溶胶凝胶制备钛酸铋薄膜的影响

采用溶胶凝胶技术在石英玻璃基片上制备钛酸铋薄膜,讨论了前驱体溶液的酸碱度（ｐＨ值）对薄膜结构和结晶性的影响．ｐＨ＜２和ｐＨ＞３５的前驱体溶液所制备的薄膜在晶化过程中出现Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７和Ｂｉ２Ｔｉ４Ｏ１１杂相．ｐＨ＝２５～３５的前驱体溶液制备的薄膜是钙钛矿Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２结构的取向薄膜     

高分辨率磁旋转编码器磁鼓材料的研制

采用磁浆涂布工艺制作了磁鼓涂层材料.研究了不同组分的配方对磁鼓涂层材料性能的影响,制备出性能良好的磁鼓.对Φ32～40mm的磁鼓进行了充磁测试,写入了128和256对极.采用金属薄膜磁电阻传感探头检测磁鼓表面分布磁场,信号通过电路放大、整形后接入示波器和计数器,结果显示输出信号波形良好,计数完整.     

激光热致相变核-壳微胶囊的合成与性能

以甲基丙烯酸甲酯作为主要的核单体，甲基丙烯酸缩水甘油酯作为壳单体，叔胺盐作为壳的改性剂，合成了平均粒径为55nm具有激光热致相变性能的核壳微胶囊。用红外光谱对其结构进行了表征；用透射电镜观察了微胶囊形貌；用示差量热分析法、热重分析法测定了热性能、接触角仪测定了相变前后的亲水性，探讨了对相变效果的影响因素。核聚合物的玻璃化转变温度为56.2℃，壳聚合物的玻璃化转变温度为85.3℃；该微胶囊感激光后发生相变，接触角由初始的20°变为93°。