浅谈磁电式与霍尔式速度传感器在汽车上的区别

文章针对应用较广的磁电式传感器和霍尔式传感器展开论述，分别介绍了两者的工作原理和区别。     

电能质量问题及对策

概述了电能质量问题的产生及日益引起关注的原因，介绍了国际电工委员会(IEC)和电气与电子工程师协会(IEEE)对电能质量的定义，并针对电能质量问题提出了具体对策。     

极板上半圆柱形凸起对高压电容器性能的影响

分析了柱形导体对均强电场的影响并以此为依据说明了有柱形凸起的高压电容器易击穿的原因是最凸部场强为远离凸部场强的 2倍。     

C波段低剖面双圆极化微带阵列天线小型化设计

设计了一种工作在C波段的5×5小型化低剖面双圆极化微带阵列天线.与传统的阵列相比,通过相邻2×2子阵列的贴片交错,可以缩小单元间距,实现小型化;采用两个T型功分器馈电网络,同层分布,可以拓展带宽.测试结果表明,左右旋圆极化的阻抗带宽（VSWR<2）和轴比带宽（AR<3dB）分别达到20%和16%,在频段5.3-6.36 GHz内,左右旋增益最大值为15.2dBi.天线阵列尺寸为3.05λ0×2.74λ0×0.037λ0.     

从射影观点看三角形“五心”定理的变形

本文用射影观点考察三角形的“五心”定理,通过配极变换推出五个新的命题。     

真空开关介质强度恢复的研究

电力系统的瞬态恢复电压对真空开关的介质强度恢复影响极大,根据是否考虑这一影响可把真空开关的介质恢复过程分为实际恢复过程和固有恢复过程。本文在相同的实验模型和电路参数下对这两种恢复过程作了比较性的实验研究。提出了“鞘层”与“金属蒸气”相结合的理论模型,并对相关的问题进行了讨论。     

单模光纤的偏振特性分析

本文分析了性能不完善的单模光纤产生偏振特性的机理,并解释了偏振特性引起的几种物理现象,论证了性能完善的单模光纤不存在偏振特性。     

The Relation between the Sensitivity and HeatingVoltage of ZnSnO 3 Gas Sensor

对ＺｎＳｎＯ３气敏元件特性的测试结果表明,元件灵敏度随加热电压的变化而变化．当加热电压小于某一特定值ＶＨ０时,灵敏度不变;当加热电压大于３倍ＶＨ０时,灵敏度降低,元件失效。通过Ｘ射线衍射和ＳＥＭ二次电子能谱等检测实验,找出了气敏元件灵敏度降低的原因．     

变电站电压无功优化控制器

根据电网的终端变电的二次母线（１０ｋＶ或３５ｋＶ）的接线特点,以母线电压和网损作的目标函数,以有载调压变压器和并联电容器作为调节手段,推导出变电站电压无功控制器的控制规律,并着重分析了抽头变化、并联电容器的投切效果与系统网络参数的关系。此外本文还论述了ＶＱＣ变电站电压无功能控制器的硬件、软件设计思想、主要特点及采用的新技术;介绍了现场运行的情况;提出了ＶＱＣ－Ⅱ型变电站电压无功控制器对ＶＱＣ－Ⅰ型     

壁电荷对ACPDP中气体击穿电压的影响

用电容平衡法测量ACPDP宏放电单元在维持放电期的壁电荷变化,并根据宏放电单元壁电荷电压和外加最小维持电压的测量结果计算实际施加在放电气体上的击穿电压,探讨壁电荷电压对放电气体实际击穿电压的影响.实验结果表明:随着ACPDP外加最小维持电压的增加,壁电荷电压升高,气体的击穿电压也随之升高;有壁电荷时的气体击穿电压明显高于无壁电荷时的气体击穿电压,随着壁电荷电压从7.62 V升高到67.89 V,有壁电荷时的气体击穿电压比无壁电荷时的气体击穿电压分别提高了6.98 V到57.09 V;壁电荷增加会显著提高了放电气体的击穿电压阈值,使ACPDP内放电气体的击穿变得困难.