温场对CZ硅单晶氧含量和径向扩展电阻均匀性的影响

利用测量熔体温度、液流模拟、红外吸收和扩展电阻探针研究了温场对硅单晶的氧含量和径向扩展电阻均匀性的影响。高温场中整个熔体的温度梯度与重力方向一致,矮温场中只有上部熔体的温度梯度与重力方向一致,而下部熔体的温度梯度与重力方向相反。高温场中整个熔体有热对流,矮温场中只有上部熔体有热对流。高温场中生长的单晶的氧含量明显高于矮温场中生长的单晶。高温场中生长的硅片,径向扩展电阻分布有中央平坦部分、剧烈起伏部分和边缘波纹起伏部分,矮温场中生长的硅片无剧烈起伏部分。这一部分可能是熔体中泰勒柱与热对流区之间的切变层是高氧熔体造成的。     

晶界碳化物对15Cr—25Ni不锈钢拉伸性能的影响

利用单相奥氏体及晶界碳化物＋奥氏体的两种 １５Ｃｒ－２５Ｎｉ不锈钢，研究了晶界碳化物对室温及８６０℃拉伸性能的影响。结果表明，室温下晶界碳化物对屈服强度几乎没有影响，但提高了抗拉强度约１４％，降低材料塑性（断面收缩率）约３８％，在８５０℃，晶界碳化物对抗拉强度没有影响，但提高了村料的塑性，其延伸率反断面收缩率分别提高约７０％和５８％，探讨了晶界碳化物影响拉伸性能的机制，室温下由于碳化物与基体界面结构与晶界结构不同导致与位错的不同交互作用，在高温下则是晶界碳化物阻碍晶界的滑移。     

七星草乌化学成分的研究（Ⅱ）

本文报道从毛茛科乌头属植物七星草乌(Aconitum contortum Finet et Gagnep)的根中分离得到9个化合物.根据其物理化学常数和IR,UV,NMR和MS分析,分别确定为七星草乌碱(1),三十二烷(2),十三烷(3),三十一烷(4),二十烷(5),二十六烷(6),二十一烷(7),单斜硫(8),化合物(9)结构待定.七星草乌碱(1)为未见报道的新化合物.     

偏光因子与Pendell sung条纹

本文用完整晶体的动力学理论讨论了 Pendell sung 条纹的形成条件。以 Si、Ge 为试样用同步辐射光源,模拟出了偏光因子剧烈变化条件下容易产生 Pendell sung 条纹的参数,并依照这些参数在同步辐射上最先观测到这一由偏光因子的变化而形成的新型的 Pendell sung条纹。     

碱卤晶体的热膨胀系数

本文利用 Vinet 等人提出的普适能量函数和 Grüneisen 第二定则,计算了12种NaCl型结构碱卤晶体的热膨胀系数,得到和实验一致的结果。     

二维Frenkel激子有效质量与温度的关系

本文计及晶格的原子结构讨论了二维Frenkel激子的性质。用二次量子化方法处理晶格振动及其与激子的相互作用,导出了二维Frenkel激子的自陷能以及它的有效质量与温度的关系。     

宾主型黑色液晶的配制及宾主材料对其性能的影响

采用经验配方和计算机配方,配制了十几个向列和相变黑色液晶样品。色差△E在经验配方中达1.62,计算机配方中达0.1;有序参数达0.66～0.79;寿命在2.73×10~4～3.06×10~4h范围;电光参数能达到显示要求。实验结果表明,计算机配方具有快速、简便、准确的优点。宾主型相变黑色液晶响应时间快、显示对比度高,不加偏振片即可用作显示器。又探讨了染料、液晶对黑色液晶性能的影响。     

碘化汞单晶体的生长与品质研究

报道了用温度振荡法(TOM)进行碘化汞(HgI_2)大单晶体的生长过程。并对晶体的形态、结构、化学配比和位错密度等进行了研究,结果表明,TOM是生长大尺寸优质HgI_2单晶体的有效方法。     

手性液晶的研究——Ⅵ.2,5-二苯基吡啶类

设计合成了(+)-2-[4-(2′-甲基丁氧基)苯基]-5-(4″-烷氧基苯基]吡啶和(+)-2-[4-烷氧基苯基]-5-[4′-(2″-甲基丁氧基)苯基]吡啶两个系列共七个手性液晶化合物。进行了结构分析,确证其结构。它们具有右旋近晶相、宽的相变温度、稳定性好等性能。     

苯二酚酯类液晶的合成和性能——Ⅳ.双-(对烷氧基苯甲酸)-2,3-二氯-1,4-苯二酚酯

合成了正烷氧基R为C_1～C_(10)的文题化合物,并合成了中间体2,3-二氯对苯二酚,其产率比文献值提高10%。测定了这十个化合物的介电各向异性△_ε、液晶相变温度和相态等,证实这类化合物是负性液晶。