含纳米硅粒SiO2薄膜的光致发光

采用RF磁控溅射技术制备含纳米硅的SiO2薄膜.通过对Si-SiO2复合靶的比分进行调节控制,并在不同的温度下进行高温退火得到不同粒径的纳米硅.利用XRD对样品进行分析得出纳米硅的平均粒径;对样品测量光致发光谱,其发光峰分别位于361 nm和430 nm,比较发现光致发光的峰位随比分的改变有微小的蓝移.文中对发光机理进行初步讨论.     

用UNIXLEX／YACC生成PL／0编译器

给出利用ＵＮＩＸ系统的语言开发工具ＬＥＸ和ＹＡＣＣ生成把ＰＬ／０语言源程序翻译成８０８８汇编程序的编译器的原理和方法，并给出一个编译实例．     

利用电力线载波和GSM实现电力线智能故障检测

介绍了利用低压电力线载波通信和GSM网络相结合的方式,实现电力线智能故障检测系统.载波通信通过扩频调制解调电路来实现,选用电力载波芯片PL3105,并采用GSM的短消息业务实现数据远传.说明了系统结构和工作原理,并给出电路原理图以及软硬件设计方案.     

3C—SiC晶体薄膜的退火特性及其光荧光

采用HFCVD技术,通过两步CVD生长法,以CH4＋SiH4＋H2混合气体为生长源气,在Si衬底上生长3C－SiC晶体薄膜。对所制备的样品薄膜在氮气气氛中分别采取了快速退火和慢速退火处理,并对退火前后的样品进行了光荧光（PL）分析。结果显示,未经退火处理的样品其PL谱为一覆盖整个可见光区域展宽光谱线,主峰位置在520nm附近;经快速退火处理后样品的PL谱在450nm位置附近出现了又一较强峰,再经慢速退火处理后此峰基本消失,但室温PL峰发生红移。比较结果说明快速退火处理极易给3C－SiC晶体薄膜造成应力损伤。     

Mn2+、Ce3+共掺杂Zn2SiO4材料的溶胶-凝胶法制备及光学性能研究

采用溶胶-凝胶、化学掺杂方法制备了Mn2 、Ce3 离子掺杂Zn2SiO4材料;用X射线衍射仪、透射电子显微镜、吸收光谱仪以及荧光光谱仪对其结构、形貌和光致发光性能进行测试分析;结果表明,900℃热处理基本形成Zn2SiO4晶体,一次颗粒尺寸大约为200 nm左右;在空气中1 100℃和H2气氛中900℃热处理后,样品中存在2个发光峰:Mn2 产生的522 nm强绿光发射,Ce3 离子产生的398 nm弱紫光发射。     

无杂质空位诱导InGaAs／InP量子阱结构的光荧光研究

用光荧光谱（PL）方法研究了无杂质空位诱导（IFV）InGaAs/InP多量子阱（MQWs）结构的带隙蓝移，实验中选用Si3N4作为电介质层，用以产生空位，并经快速热退火处理，产生扩散，实验结果表明，带隙蓝移同退火温度和退火时间有关，最佳退火条件的800℃，10s。同时二次离子质谱（SIMS）的分析表明，电介质盖层Si3N4和快速热退火（RTA）导致量子阱中阱和垒之间元素互扩，这种互扩是导致带隙蓝移的主要原因。     

Photoluminescence from Ge-SiO2 thin films and its mechanism

Ge-SiO₂ thin films were deposited on p-type Si substrates using the radio frequency (rf) magnetron sputtering technique with a Ge-SiO₂ composite target. Films were annealed in N₂ ambience for 30 min at 300℃—1000℃ with an interval of 100℃. Through the X-ray diffraction, the average size of Ge nanocrystals (nc-Ge) was determined. They increased from 3.9 to 6.1 nm with increasing annealing temperature in the range of 600℃—1000℃. Under ultraviolet excitation, all samples emit a strong violet band centered at 396 nm. With the formation of nc-Ge, the samples exhibit another emission of orange band with the peak at 580 nm and its intensity increases with the increasing size of nc-Ge. The peak positions of two bands do not shift obviously. Experimental data indicate that the violet band comes from GeO defect and the orange band originates mainly from the luminescence centers at the interface between the nc-Ge and SiO₂ matrix.     

大型数显式8098世界时钟控制系统及PL／M语言的应用

本文论述了一种先进可靠的世界时钟微电脑控制系统,并且使用了一种先进的单片机开发语言——PL/M语言。该系统的特点是巧妙地利用交流电源实现了显示数据的串/并转换,大大提高了系统的可靠性。另外,PL/M语言的使用加快了该系统的开发速度。     

纯相CaAl4O7∶Tb3+(Sm3+)的自蔓延燃烧合成及光致发光特性#br#

用自蔓延燃烧合成(SPCS)技术制备CaAl₄O₇∶Tb³⁺和CaAl₄O₇∶Sm³⁺两种荧光材料, 并通过X射线衍射(XRD)、 Fourier变换红外光谱(FT-IR)、 扫描电子显微镜(SEM)、 紫外-可见漫反射谱(UV-Vis DRS)等方法考察两种荧光材料的结构、 形貌及光吸收性质. 结果表明: SPCS技术可显著降低合成温度; 样品的结晶度较好, Tb³⁺和Sm³⁺掺杂后, 未改变CaAl₄O₇的单斜晶系结构与空间群特征, 但使晶格轻微畸变且使其吸收主峰和吸收带边红移; CaAl₄O₇∶Tb³⁺和CaAl₄O₇∶Sm³⁺分别发射特征绿光和粉红光, 其激发光谱和发射光谱均呈较精细的结构特征.     

一种增强多孔硅光致发光稳定性的方法

以n型单晶硅为基底材料,采用电化学阳极氧化工艺和光化学氧化后处理工艺制备氧化多孔硅,利用扫描电子显微镜、红外光谱仪、荧光光谱仪研究氧化多孔硅形成前后的表面形态、组成、光致发光、耐碱性的变化.结果表明:光化学氧化后处理使n型多孔硅表面岛状硅柱间沟槽变窄,结构中出现Si―O键(波数1 146 cm-1和1 140 cm-1)、OSi―H键(波数2 254 cm-1)振动峰,在碱性介质中具有一定的耐蚀性;空气中贮存50 d,氧化多孔硅光致发光强度下降缓慢,发光峰位置无明显变化,具有良好的光致发光特性.