ZnSe/ Zn_(1-x)Cd_xSe非对称双量子阱中电子声子相互作用(英文)

采用转移矩阵方法研究了 Zn Se/Zn1-x Cdx Se非对称双量子阱结构中界面光学 ( IO)声子模和电子 -IO声子相互作用哈密顿量 .发现 IO声子的色散关系和电子 -IO声子耦合强度是波矢的复杂函数 ,并且长波声子是主要的 .使用简化的相干势近似数值计算 Zn Se/Zn1-x Cdx Se非对称双量子阱结构 ,结果表明高频声子与 IO声子的相互作用较低频声子与 IO声子的相互作用强     

五次对称准晶的动力学裂纹扩展

文章结合准晶弹性,首先推导出五次对称准晶平面问题的应力-应变关系,然后应用准晶的弹性动力学模型,推出其弹性动力学方程,接着用有限差分方法研究了裂纹扩展,声子的波传播、相位子的扩散效应及其相互影响.对于不同的裂纹扩展情况,这些影响是不同的.因为除了波的扩展、扩散和声子-相位子的耦合作用以外,由于运动边界造成的非线性的作用也是很明显的.     

AlN/GaN量子阱中光学声子所限制的电子迁移率

在介电连续模型和单轴模型的框架下,采用雷-丁平衡方程理论,考虑量子阱中界面光学声子模和局域体光学声子模的影响,分别计算了纤锌矿型和闪锌矿型AlN/GaN量子阱中电子平行于异质结界面方向的迁移率,给出迁移率随阱宽的变化关系,并讨论了结构各向异性效应对电子迁移率的影响.     

表面光学声子对表面杂质激发态的影响

用变分法计算了表面光学声子对表面浅态杂质原子的激发态的影响，发现表面光学声子对其激发态也有明显的影响。     

晶体中束缚光学极化子的声子平均数

研究晶体中束缚极化子的性质，采用Tokuda改进的线性组合算符、Lagrange乘子和变分法讨论了晶体中强、弱耦合极化子的振动频率和光学声子平均数与拉格朗日乘子u的关系，以RbCl晶体为例进行了数值计算，结果表面：束缚极化子的振动频率，基态能量和声子平均数随拉格朗日乘子u的增加而增大。     

Ga_(1-x)Al_xAs半导体的T0声子形变势引起共振喇曼散射

研究了Ga_(1-x)、Al_xAs 半导体的TO_1和TO_2声子的共振喇曼散射。利用半导体带隙随温度变化,使它与固定激光线调谐,曲此完成共振散射实验。按准静态近似计算共振散射曲线,并从微观散射机制讨论共振曲线最大值偏移,较好地解释实验结果。从实验中求出x=0.71和x=0.61 两种样品的直接带隙E_0 分别为2.44 eV和2.31 eV。     

表面吸附单原子层的声振动模式

在谐和近似及计入近邻与次近邻相互作用的条件下,我们以格林算子技术,计算了表面吸附了单原子层的半无限晶体的声振动模式。计算分顶位吸附及中心吸附两种情形进行。文中给出了吸附单原子层及衬底的各原子层分别对体模及表面模的贡献。本文的方法和结果对于表面物理的研究将是有用和有意义的。     

对称纤锌矿结构量子阱中的准受限声子及电声相互作用的哈密顿量

在介电连续模型下,得出多层对称纤锌矿结构异质结、量子阱中的准受限声子的P-本征极化模,色散关系和电子与准受限声子相互作用的哈密顿量.此结论具有普遍的意义,对进一步研究纤锌矿结构异质结、量子阱中的准受限声子及其电声耦合强度,具有一定的理论价值.     

VO2金属-绝缘结构相变第一性原理研究

基于密度泛函理论和密度泛函微扰理论的第一性原理计算了R相和M1相VO2的电子能带结构和声子色散关系.计算发现：R相VO2的金属性主要来自于未满的t2g轨道中能量最低的3条轨道,当温度低于340 K时,由于V原子链的二聚化和扭曲作用使M1相中的2条t2g轨道降至费米能级以下,从而使M1相表现出半导体特性;在VO2的声子色散谱中沿ΓM和ΓZ方向出现了明显的声子软模,导致这一软模出现的原因是晶体中的电-声相互作用;因此,电-声相互作用是导致VO2金属-绝缘结构相变的直接原因.     

多壁碳纳米管与基体之间界面热输运分子动力学模拟

碳纳米管与基体之间的热耦合对纳米结构界面热输运起主导作用。采用非平衡态分子动力学模拟了垂直生长多壁碳纳米管与Si基体之间的热耦合,得到界面热导的温度效应和作用力效应并利用声子输运理论进行了分析。低温下多壁碳纳米管与Si之间声子的态密度匹配较好,界面热输运能力主要取决于界面两侧低频声子的耦合振动,高温下近界面区域内热输运能力受高频声子的非弹性散射影响而逐渐增强。随着范德瓦尔斯力增强,界面热导线性增大。