Gd/Nd掺杂对BiFeO3结构和铁电性能的影响

采用快速液相烧结工艺制备了多铁陶瓷材料Bi1-xGdxFeO3(x=0.00,0.05,0.10,0.15)和Bi1-xNdxFeO3(x=0.00,0.05,0.10),研究了稀土离子Gd/Nd掺杂对多铁材料BiFeO3相结构和铁电性能的影响.X射线衍射谱显示对于Gd/Nd掺杂Bi1-xRxFeO3体系,适量掺杂有助...     

利用选择共振作用实现相位门

提出一个在高品质腔中实现相位门方案.该方案通过控制原子和腔之间的相互作用,选择所需要的共振作用,而让其它的原子跃迁由于大失谐可以绝热去除.由于仅原子基态参与作用,该方案有效抑制了原子自发辐射的影响;同时,不需要对腔中原子独立寻址,进一步降低了实验难度.     

浅析继电保护微机技术应用

随着信息技术的迅速发展,微机技术在供电企业继电保护工作中得以深化应用,文章浅析了现阶段微机技术在防止继电保护三误事故方面的应用及未来可能的发展方向。     

PWM整流器的双采样控制策略研究

提出一种新的脉冲双采样控制策略与一个快速的相角估计器用于PWM整流器控制.常规的PWM控制策略只在一个开关周期内采样一次,而提出的双采样控制策略在一个开关周期内采样两次.双采样控制策略两次采样的特点保证了系统更加准确快速和很好的低频特性,能显著减少控制延迟时问与扩展最大允许控制带宽,虽然计算量增大,但采用高速数字信号处...     

两表面层铁电薄膜体介质层效应理论研究

基于横场伊辛模型的平均场近似理论,研究了具有两个表面层铁电薄膜的体介质层对整个铁电薄膜相变性质的影响.给出了一个适合于研究任意层数具有两个表面层及体介质层铁电薄膜相变性质的递归公式.研究了体介质层的交换相互作用参量和横场参量对整个铁电薄膜相图的影响,以及交换相互作用参量对横场参量过渡值的影响和横场参量对交换相互作用参量的影响.结果表明,相图中铁电区、薄膜的居里温度、体介质层的横场参量过渡值均随体介质层的交换相互作用参量的增大而增大;体介质层的交换相互作用参量随体介质层的横场参量的增大而增大;而相图中铁电区、薄膜的居里温度却随体介质层的横场参量的增大而减小,并且发现体介质层的交换相互作用参量对薄膜的影响比其横场参量稍大些.最后也给出了两个表面层的交换相互作用对相图的影响.     

基于重构相图相似性检测的单相接地故障选相方法

配电线路在发生单相高阻接地故障时,由于故障特征微弱导致传统以求解电气参量为依据的选相方法存在困难.依据故障支路附加状态的三相电流中健全相与故障相存在幅值相角不一的差异,提出一种利用相空间重构方法对故障附加状态的三相电流进行升维重构,然后依据重构相轨迹图的差异作为故障特征进行单相接地故障选相的新方法.该方法可通过重构相轨...     

相参频率捷变雷达目标稀疏重建性能边界综述

相比频率固定的脉冲多普勒体制, 频率捷变体制在抗干扰方面具有显著优势。但在该体制下, 基于匹配滤波的信号处理算法存在旁瓣平台问题, 难以与动目标检测兼容。压缩感知理论将目标参数估计建模作为欠定方程求解, 为该问题提供了解决思路。在相参频率捷变雷达中, 压缩感知能否准确重建目标是一个基础性问题。本文梳理了针对该问题的相关研究, 借助相变理论与相变曲线的解析表达式, 定量描述了捷变频雷达重建目标的成功概率与主要系统和目标参数之间的关系; 该理论性能边界与仿真实际所能达到的性能相接近。此外, 还探讨了现有成果在实际应用中的价值, 展望了未来研究方向。     

超声波场影响Langmuir吸附相平衡的机理分析

从分子动力学规律出发,建立了Langmuir吸附系统在外场作用下的吸附相平衡关系式,并根据超声条件下吸附相分子的受迫振动和非吸附相分子的波动,分别讨论了吸附相分子及非吸附相分子在超声波场中获得的能量,结果表明:在超声波场中,吸附相分子比非吸附相分子获得更多的能量是Langmuir吸附平衡等温线降低的本质所在.理论结果进一步表明:当超声波频率一定时,Langmuir平衡吸附量随超声波场能流的增大而减少;当超声波能流一定时,可通过调节超声波频率达到吸附相分子的固有频率而使吸附相分子获得最大的能量,从而使Langmuir平衡吸附量最小.     

Banach空间中2类压缩映射不动点的具误差的Ishikawa迭代序列的收敛性

讨论了Banach空间中拟压缩映射对和广义压缩映射的具误差的Ishikawa迭代序列的收敛性问题,得出了在一定条件下,这2类压缩映射分别强收敛于它们的不动点.这些结论推广和发展了已有的相关结果,使这些结果的适用范围更广.     

介观金属环中量子干涉晶体管对电子相干性的影响

研究了介观金属环1个通道上的量子干涉晶体管的栅极电压及其在通道上的位置对电子相干性的影响。理论结果表明,一般情况下改变栅极长度L6(下通道长度L2)会使透射率以π(2π)周期性变化。同时发现栅极在通道上的位置对透射率的周期性不产生影响,仅改变透射率的大小。但当kL6=nπ时,透射率为kL2的函数,周期为π;当kL6=(2n+1)2π时,量子干涉晶体管的位置不影响电子透射率的相干性;当上、下通道长度相等,且kL2=kL=nπ时,透射率恒为1,与栅极长度及其在通道上的位置无关。