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21.
利用浸渍法制备了一系列不同掺杂量的V2O5/CeF3光催化剂,通过光催化降解丙酮实验考察了催化剂的光催化性能,并采用X射线衍射(XRD)、BET比表面积和紫外可见光谱(UV-vis)等方法表征了催化剂的物理化学性质.结果表明:少量(摩尔分数≤15%)V2O5的掺杂有利于催化剂比表面积的增加,有利于催化剂光催化性能的提高;而当V2O5含量进一步增加时,由于CeVO4晶相的出现,使催化剂的比表面积减小、禁带宽度增加,从而降低了催化剂的光催化活性.其中,摩尔分数为15%的V2O5/CeF3催化剂具有最佳的光催化性能,丙酮降解率可达85%.  相似文献   
22.
通过高温压缩热模拟实验,研究了50Mn18Cr4V高锰无磁钢在变形温度为900~1100℃、应变速率为01~10s-1条件下的热变形行为.结果表明,VC第二相的应变诱导析出对50Mn18Cr4V的热变形行为产生重要影响.当变形温度为900~1000℃,应变速率为5s-1时,VC第二相不能充分析出,与应变速率为1s-1相比,对动态再结晶的阻碍作用减弱.应尽量使实验钢在高温段完成热加工,并适当提高应变速率.随着变形温度降低到950℃以下,材料的塑性变差,若以较低的应变速率变形,容易造成晶界开裂;应变速率过高,容易造成流变失稳,因此,以5s-1的应变速率变形,较为适宜.确定了50Mn18Cr4V无磁钢的再结晶激活能为7769kJ/mol.通过实验数据回归,建立了实验钢的高温变形抗力模型.  相似文献   
23.
作者采用3×1017/cm2和8×1017cm2两种注量对Ti-4Al-2V合金样品进行了N+离子注入,N离子能量75keV,在注入过程中样品温度控制在200℃以下.对注入前后的样品进行了X射线衍射(XRD)以及光电子能谱(XPS)分析.由XRD衍射谱表明,离子注入后有新相TiN和TiO2生成.由XPS宽程扫描谱表明,注入后样品表面主要为Ti,C,N和O.对Ti2p和N1s的XPS窄程扫描谱也证明,离子注入后致使合金近表面形成了TiN和TiO2.  相似文献   
24.
有限余相关模及模和环的有限余相关维数   总被引:2,自引:0,他引:2  
给出了有限余相关模的刻画,用有限余相关模刻画了余Noether环和V-环,给出了余正则环为V-环的条件和遗传环为半单环的一个条件。定义了模和环的有限余相关维数,研究了它们的一些性质,对于余凝聚环,这种维数具有一些好的性质。  相似文献   
25.
在1.33~101.32 kPa下测定了175个窄馏分油相平衡常数。介绍了测试装置,进行了计算。结果表明:将这类油作为理想体系是不恰当的。以Maxwell-Bonnel图拟合式、对比态Antoine方程及Pitzer-Riedel关联式分别求算饱和蒸汽压P°,并随之用Raoult K值(K=P°/P)计算窄馏分相平衡常数,均未取得满意的结果。提出了两种修正模型,并由实测平衡常数回归修正模型的常效。推荐使用修正的对比态Antoine方程进行低压体系馏分油的汽液平衡计算。该修正模型对温度预测的平均绝对误差为3.45℃;平衡常数预测的平均相对误差为7.32%。  相似文献   
26.
精密电压调节器TL431三种应用电路设计   总被引:3,自引:0,他引:3  
贺桂芳 《山东科学》2006,19(1):50-52
介绍了三种精密电压调节器TL431的应用电路:不平衡直流电桥输出信号的稳定和线性化电路,恒流源电路,4~20mA/0~5V电流/电压转换电路。分析了电路工作原理,给出了电路设计方法。所设计的电路简单、新颖、实用。可广泛用于模拟电子电路,特别是传感器的信号调理电路中。由于采用了精密电压调节器TL431做基准电压源,因此电路精度高,稳定性能好。  相似文献   
27.
通过对3D激光沉积TC4在较宽温度(298~1 073 K)和应变率范围(0.001~5 000 s-1)内的单轴压缩试验,系统研究了该材料的塑性流动行为,分析了材料的微观组织特性及其变形断裂微观机制.结果表明材料在压缩载荷下具有明显的应变率硬化和温度软化效应.在压缩加载条件下,材料的破坏模式为绝热剪切带的萌生和拓展,而初始缺陷成为诱导剪切带形成的主要原因.3D激光沉积TC4材料屈服强度与铸造TC4接近,略低于传统锻造TC4.文中基于位错动力学热激活理论建立了可以较好描述材料在不同温度不同应变率下的塑性流动行为物理概念的本构模型.  相似文献   
28.
利用水热合成技术,合成了1个基于{V8O24}8-阴离子簇的Zn(Ⅱ)配合物[Zn2(Hdpa)3]2V8O24(dpa=2,2′-dipyridylamine),通过X-射线单晶和粉末衍射、红外光谱和热重-差热分析手段进行了表征.单晶X-射线衍射分析表明化合物是由2种不同的阳离子片段([Zn(dpa)2]2+和[Zn(dpa)]2+)连接{V8O24}8-阴离子簇形成的1D带状结构,其中{V8O24}8-阴离子簇展示了清晰的椅式构型,2个[Zn(dpa)]2+单元分别被支撑在椅式构型的两侧.  相似文献   
29.
文章研究用V4L2的架构模型开发ARM11 - S3C6410芯片的USB摄像头视频设备.首先分析V4L2的图像采集驱动和流程;然后在Qt环境下设计并实现视频采集终端软件设计,最后在友善之臂Tiny6410平台上移植嵌入式视频采集终端.在S3C6410芯片的开发板上实现实时动态采集视频图像,并且将视频传输到PC机上.本...  相似文献   
30.
在硅酸钠-氢氧化钠电解液中以Na5P3O10作为稳定剂,通过改变Ce(NO3)3/Ce2(SO4)3的含量对Ti6Al4V合金进行微弧氧化,用XRD、SEM、EDS对试样表面所获得的氧化膜进行表征,并研究电解液中不同Ce(NO3)3/Ce2(SO4)3含量对氧化膜表面形貌的影响.结果表明,随着电解液中Ce3+的加入量增加到0.3 g/L,氧化膜表面的致密性减小,在此基础上加入0.5 g/L的Na5P3O10时,氧化膜致密性增加.EDS分析结果显示,膜层含有Ti、Na、Al、Si、P、O及Ce等元素;XRD分析结果表明,氧化膜的相组成为Ti、锐钛矿以及金红石.  相似文献   
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