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51.
针对寄生通带降低了耦合微带带通滤波器选择性的问题,设计了1/4波长型阶跃阻抗谐振器(SIR)的微带带通滤波器.以平行耦合微带线为基础。从上层微带线结构着手,对SIR的谐振特性和设计参量进行了推导,根据微带带通滤波器的设计指标,在馈线端端接相应的SIR谐振结构。使带通滤波器在寄生通带处的衰减达到了.45dB,提高了带通滤波器的选择性.采用插入损耗和网络综合的方法,利用ADs仿真工具对该滤波器进行优化仿真设计。结果表明。基于SIR结构的滤波器克服了寄生通带对设计通带的影响,提高了滤波器的带外抑制能力. 相似文献
52.
薛宛绳 《科技情报开发与经济》2005,15(24):245-245,249
论述了靖远松叶蜂的生活习性,介绍了利用苦参烟碱烟雾剂防治靖远松叶蜂的方法,提出了在使用该方法的过程中应注意的问题。 相似文献
53.
通过对兴安岭地区小蠹虫寄生蜂的种类和自然寄生率的调查,共发现有小蠹虫寄生蜂13种,其中茧蜂科4种,广肩小蜂科2种,金小峰科6种,姬小蜂科1种;分析了天敌寄生蜂的自然控制作用,发现天敌寄生蜂对小蠹幼虫的寄生率为5.41%,对小蠹蛹的寄生率为8.46%,对小蠹成虫的寄生率为0.33%。 相似文献
54.
三维多介质电容计算的有效方程组织方法 总被引:1,自引:2,他引:1
随着 VL SI电路集成密度急剧增长及特征尺寸不断缩小 ,快速准确地计算三维互连寄生电容已成为集成电路辅助设计中一个研究热点。提出一种有效的多介质直接边界元方程组织方法。该方法排列直接边界元方程组中的源点和变量 ,使系数矩阵非零元分布极有规律 ,通过最少的数组存储非零矩阵块 ,以达到加快方程迭代求解的目的。该方法可应用于任意复杂结构的三维寄生电容计算 ,对介质数目较多的虚拟多介质计算 ,加速方程求解的效果尤其突出 相似文献
55.
体硅CMOS IC内不可避免地存在着寄生pnpn四层结构,在一定条件下,导致器件闭锁失效.本文结合专门用于研究CMOSIC内锁定的微电子测试图形,对以设计、工艺制备的一系列组合测试结构,进行测试,并对锁定现象作对比分析,提出了优化设计的途径. 相似文献
56.
本文应用显微组织化学鉴定的方法,氯化三苯四氮唑(TTC)法,对寄生植物肉苁蓉种子的活力进行测定并对TTC法的测定方法和测定条件进行了研究。同时在大田进行了肉苁蓉种子播种试验。研究结果表明;寄生植物肉苁蓉种子的活力可采用组织化学的方法进行测定,细胞色素氧化酶、过氧化物酶、三磷酸腺苷酶的活性随种子年代的加长呈明显下降趋势,与TTC法测定结果一致。用TTC法测定寄生植物肉苁蓉种子活力的适宜测定条件是:用pH7.0磷酸缓冲液37℃、浸泡种子8h.然后在0.5%TTC溶液中、23℃、自然光照下染色16h。 相似文献
57.
220kV柱式电压互感器是高压电网中重要的电气设备,建立高压柱式电压互感器的暂态电路模型对研究其快速暂态过电压分布具有重要意义。首先利用矢量网络分析仪测量得到了高压220kV柱式电压互感器的宽频阻抗参数,然后根据220kV柱式互感器的内部结构,建立了考虑寄生电感和杂散电容影响的互感器暂态电路模型,并将该暂态电路模型与测量得到的宽频阻抗参数进行对比,验证了互感器暂态电路模型的有效性;最后利用考虑寄生电感和杂散电容影响的暂态电路模型计算了在工频和雷电冲击电压作用下柱式电压互感器二次回路输出电压,获得了柱式电压互感器的宽频传递特性。 相似文献
58.
2012年5月至11月在福州闽侯洋里金田农场生态茶园,对间作白三叶、印度豇豆和生产茶园3种不同茶园的寄生蜂群落结构和假眼小绿叶蝉及其卵缨小蜂消长动态进行调查和分析。3种不同茶园的寄生蜂群落结构基本相似,间作2种绿肥提高了寄生蜂物种数、个体数和多样性指数,但对均匀性指数和优势集中性指数没有影响。3种不同茶园的假眼小绿叶蝉数量消长趋势一致,其高峰期都在7月底和10月底-11月,但生产茶园的小绿叶蝉个体数都显著低于2种间作绿肥茶园,这可能与生产茶园的农药使用有关。3种不同茶园茶梢内的小绿叶蝉着卵量消长趋势基本一致,都有2个着卵高峰期(6月下旬和11月上旬),第二高峰期梢内的叶蝉平均着卵量显著高于第一高峰期;整个调查期间,生产茶园梢内的叶蝉着卵量均低于2种间作茶园,这可能也是生产茶园的农药使用造成的。3种不同茶园茶梢内的叶蝉卵寄生率在调查期间内总体呈上升趋势,并于11月19日达到65.19%-76.52%。 相似文献
59.
60.
用固相反应法制备了二元稀土掺杂的La1/3Ndl/3Ba1/3Mn03多晶庞磁电阻块材.x射线衍射分析表明在1200℃烧结的样品具有立方对称的晶格结构.热磁曲线显示材料在低温处于自旋冰状态.自旋冰的熔点随着外磁场的增大而降低.在磁场达到40kOe时,自旋冻结现象消失.材料的居里温度为-250K,但室温磁化曲线中出现由微弱不均匀品格畸变造成的寄生铁磁性行为.电阻率一温度曲线出现双峰现象.在居里温度附近出现的电阻率峰由晶体的本征特性贡献,在低于居里温度的~190K附近出现的电阻率峰由界面隧穿效应贡献.电阻率在~40K附近出现极小值.经过曲线拟合证实,其行为与近藤效应相似.研究结果较为全面地分析了单相多晶CMR材料的基本磁电相关特性. 相似文献