考虑静态安全性和鞍结分岔稳定性的ATC的计算

提出了包括传统静态安全性和鞍结分岔稳定性的可用输电能力(Available Transfer Capability, ATC)的新模型.该模型将系统安全性约束的众多不等式转化为一个半光滑等式约束方程组,结合鞍结分岔稳定性的约束条件,构建了一类同时考虑安全性和稳定性的ATC模型的半光滑方程系统.基于光滑化策略和方法,建立了模型求解的Levenberg-Marquardt计算方法.9节点和30节点系统的计算结果表明该模型和计算方法的可行性和有效性.     

基于压控单元的单电子晶体管宏模型

在对纳米遂穿结(SETJ)及单电子晶体管(SET)的特性进行分析的基础上,笔者采用等效电路的方法,提出了基于压控单元的SET宏模型,仿真得到单电子晶体管的特性曲线.通过器件仿真的输出特性曲线与理想特性曲线的对比,得出曲线的走势与理想曲线基本一致,偏差不大.并且通过计算表明,数值的精度在合理范围内,验证了模型的合理性.     

RhoC和MMP-9蛋白在结直肠癌中的表达及意义

探讨RhoC和基质金属蛋白酶-9（MMP-9）蛋白在结直肠癌发生发展中的作用。选取新鲜结直肠癌标本作为实验组,正常新鲜结肠粘膜组织作为对照组,应用流式细胞术分别检测RhoC和MMP-9的表达,检测其在不同临床病理特征之间的关系。结果表明,RhoC和MMP-9在结直肠癌组织中高表达（P〈0．05）,且其表达均与Dukes分期、浸润深度及炎细胞浸润相关（P〈0．05）,MMP-9的表达与结直肠癌的淋巴结转移密切相关（P〈0．05）,Rhoc和MMP-9在结直肠癌中的表达呈正相关（r=0．3430,P=0．0420）。流式细胞术联合检测RhoC和MMP-9蛋白的表达有望成为判断预后的重要指标。     

GaN／InGaN应变层临界厚度的计算

本文主要借鉴PB模型、Fisher模型和Matthews模型并通过优化其中的组分和滑移间距参数,考虑影响临界厚度的相关因素,对GaN/InGaN异质结应变层临界厚度进行理论计算,再结合实验值进行比较分析,发现PB模型比较能准确估计GaN/InGaN异质结应变层临界厚度.最后进一步考虑热应力对临界厚度的影响时,发现对其影响不大.     

双源真空蒸发制备CdS／CuInSe2多晶异质结薄膜太阳电池

用双源真空蒸发制备CdS/CuInSe2多晶异质结薄膜太阳电池,并对电池的性能进行测试。在AM1．5,100mW/cm^2的碘钨灯下,对1cm^2的太阳电池测得其最大转换效率为6．2％。     

旋风预热器隔热防结皮复合涂层的研制

针对新型干法窑预热器系统存在的严重的结皮堵赛问题 ,研制了一种复合涂层 ,该涂层不仅具有优良的防结皮性能 ,而且还具有良好的隔热性能 ,成本也较低。     

一维介观链中的多电荷孤子研究

采用半经典模型对一维介观结链中存在多个剩余电子时的电势分布进行了研究, 并发现在一维介观链中存在多电荷孤子.多电荷孤子的特征是它的电势峰劈裂为多个峰, 每个剩余电子存在的岛都对应着 1 个峰. 同时也发现单电荷孤子等效的方法在处理多电荷孤子时同样实用.     

Zn1-xCdxSe/ZnSe异质结系统的施主能级

对单异质结界面系统,引入三角近似异质结势,利用变分法讨论在界面附近束缚于施主杂质的单电子基态能量。对Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ系统的杂质态结合能做了数值计算,给出结合能随杂质位置、电子面密度和Ｃｄ组分的变化关系。     

高亮度InGaAlP DHLED结构设计的研究

InGaAlP双异质结LED结构设计的目的在于减少器件的光、电、热损耗 本文分析各层成分、层厚度、掺杂浓度以及有关的辅助技术 ,例如厚电流扩展层、电流隔离层、布拉格反射层、金属电镀反射层、透明衬底等对LED性能的影响 ,提出一个性能优良的高亮度LED应具有的结构模式     

固定结合面参数的计算机模拟计算

对一个包含固定结合面的具体结构,利用有限元分析程序计算了结合面刚度参数和结合风景工参数和结合面位置对结构模态的影响。结果表明,描述结合面切向刚度大小的参数对结构的扭振则镀模态的影响比对纵向振动模态和弯曲模态的影响显著;结合面法向刚度大小的参数对纵向振动模态的影响比地弯曲、扭振模态的影响显著,接合面的位置对结构的固有频率也有较为明显的影响。