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41.
导电高分子和无机氧化物为基灵巧窗口的探索 总被引:3,自引:0,他引:3
用电化学合成的方法在氧化铟锡导电玻璃上分别镀上了电致变色的三氧化钨和聚苯胺膜,并将这两种ITO玻璃用高分子电解质粘结形成灵巧窗口。当外加电压在-1.4V-+1.4V之间变化时,灵巧窗口在可见光区具有很显的透光率变化。 相似文献
42.
通过对一种典型陶瓷材料──Al2O3-TiC陶瓷的电火花线电极切割加工试验,分析在不同的工作液、不同的电加工参数下,对试件变质层厚度的影响,提出了减小变质层厚度的途径. 相似文献
43.
醇盐水解制备Al2O3纳米粉的先驱物体系及控制工艺研究 总被引:11,自引:1,他引:11
从工业生产可行性及经济角度对氧化铝纳米粉制备的 先驱物体系-铝醇盐及溶剂种类进行了研究,并探讨了醇盐水解技术及工艺条件对颗粒大小、形状及粒度分布等的影响。结果表明:以民划丙醇铝为先驱物、甲苯为溶剂采用两步解技术、通过控制水量,添加剂等条件,可控制颗粒的大小与形状。 相似文献
44.
赵文麒 《重庆大学学报(自然科学版)》1997,20(2):51-56
根据镉镍蓄电池直流屏的工作原理,分析了直流屏在系统发生故障状态下的几种运行结线方式,提出了在不可靠运行方式下也能可靠切除故障的控制回路改进方法。 相似文献
45.
研究了三烷基氧膦对酒石酸溶液的萃取和反萃取条件,对温度、初始PH、萃取剂浓度和被萃液浓度影响因素进行了讨论。确定了萃取过程的最佳工艺条件,研究了萃取及反萃取过程的热效应,并根据实验确定的平衡等温线计算了萃取和反萃取过程的理论级数。 相似文献
46.
SnO_2 薄膜光谱透过率及气敏特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了半导体氧化物SnO2膜及其掺杂薄膜的光谱透过率气敏特性,导出了光波在固体介质中传播时的光折射率、消光系数、吸收系数的表示式,以及在“空气—薄膜—玻璃”三元系统中光透过率的近似表达式;解释了气敏使半导体氧化物薄膜系统光透过率变化的原因。所有这些结果与解释,与我们的实验结果相一致,也与一些文献报导的实验结果相符合[1,2]。 相似文献
47.
侯榆青 《西北大学学报(自然科学版)》1997,27(4):297-300
用液相结晶和高温分解法制备偏离化学计量比的二氧化锡材料,对此二氧化锡进行掺杂,制成由一定原料配方组成的厚膜浆料,以此浆料用丝网印刷技术制备SnO2厚膜气敏元件。然后,对系列元件进行气敏特性测试,所制备的SnO2气敏元件表现出对乙醇气体的选择敏感性。 相似文献
48.
氧化铁/活性炭复合吸附材料去除水中砷的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
以实验室制备的氧化铁、经硝酸和草酸铁改性的活性炭12×40(AC 1)为原料,分别制成两种氧化铁/活性炭复合吸附材料(FeO/AC-H和AC/Fe2(C2O4)).通过X射线衍射仪、氮气吸附仪、扫描电子显微镜和X射线光谱仪进行吸附的表观特性和物化性能分析,结果表明,活性炭的表面物质有磁铁矿(Fe3O4)、磁赤铁矿(γ-Fe2O3)、赤铁矿(α-Fe2O3)和针铁矿(α-FeO(OH)),而且这些物质的存在对活性炭的比表面积影响不大.采用静态吸附实验方法,用AC 1,FeO/AC-H和AC/Fe2(C2O4)三种吸附剂吸附去除水中砷,获得了吸附等温平衡数据,用Langmuir模型和Fre-undlich模型进行回归分析.结果表明,FeO/AC-H和AC 1对As(Ⅴ)的吸附更符合Langmuir吸附模型,而复合吸附剂AC/Fe2(C2O4)对As(Ⅴ)的吸附比较符合Freundlich吸附模型. 相似文献
49.
石墨基PbO2阳极的电化学性能 总被引:1,自引:0,他引:1
用热分解和电沉积法制备了C/PbO2、C/SnO2 SbOx/PbO2和C/SnO2 SbOx M nO2/PbO2电极.EDS测定了电极的表层成分,考察了该类电极在硫酸溶液中的使用寿命,测定了其极化曲线和动力学参数,并求出其分形维数.同时测定了阳极生成臭氧的浓度.结果表明C/SnO2 SbOx M nO2/PbO2电极在4A.cm-2的高电流密度下寿命可达20 h,其a值相对较小,io较大,分形维数Df=1.804 8. 相似文献
50.
热处理对直流磁控溅射ITO薄膜光电学性质的影响 总被引:2,自引:4,他引:2
利用直流磁控溅射在石英衬底上沉积透明导电的掺锡氧化铟(ITO)薄膜,在相同条件下制备了两种不同溅射时间(30、10min)的样品,样品在400℃的大气中进行1h退火处理.利用分光光度计测量薄膜的正入射透射光谱,并拟合透射光谱得到薄膜的折射率、消光系数及厚度;用Van der Pauw方法测量薄膜电学性质,包括载流子浓度、载流子迁移率和电阻率.实验结果显示退火处理对ITO薄膜的光学、电学性质有重要影响,退火样品在可见光区域的透过率明显提高,且光学吸收边向长波方向移动;然而,退火前薄膜的电学性能更好. 相似文献