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71.
硝酸的分子结构特征,决定了硝酸在水溶液中能完全电离,所以硝酸具有强酸性,根据硝酸的标准电极电势,师生可推断出硝酸又具有氧化性。  相似文献   
72.
报道了生成meso-四苯基卟啉时,用二乙酸碘苯作为氧化剂,将卟啉原氧化,目标化合物收率为46%.  相似文献   
73.
厌氧氨氧化反应器的稳定性及其模糊评价   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用统计学和模糊数学方法对厌氧氨氧化(ANAMMOX)反应器的运行稳定性进行了定量的对比研究.结果表明:同一构型的反应器对不同类型的冲击负荷具有不同的效应,基质浓度冲击下反应器的稳定性参数值是水力负荷冲击下的1.68~5.44(平均为2.9)倍;ANAMMOX反应器的抗水力负荷冲击能力明显强于抗基质浓度冲击能力;不同构型的反应器对同一类型的负荷冲击也有不同的响应;颗粒污泥床的抗基质浓度;中击能力最强,生物膜反应器次之,厌氧序批式反应器(SBR)最弱;SBR的抗水力负荷冲击能力最强.颗粒污泥床次之,生物膜反应器最弱.模糊综合评价表明,颗粒污泥床的抗冲击负荷能力最强,生物膜反应器次之,SBR最弱.  相似文献   
74.
热处理对直流磁控溅射ITO薄膜光电学性质的影响   总被引:2,自引:4,他引:2  
利用直流磁控溅射在石英衬底上沉积透明导电的掺锡氧化铟(ITO)薄膜,在相同条件下制备了两种不同溅射时间(30、10min)的样品,样品在400℃的大气中进行1h退火处理.利用分光光度计测量薄膜的正入射透射光谱,并拟合透射光谱得到薄膜的折射率、消光系数及厚度;用Van der Pauw方法测量薄膜电学性质,包括载流子浓度、载流子迁移率和电阻率.实验结果显示退火处理对ITO薄膜的光学、电学性质有重要影响,退火样品在可见光区域的透过率明显提高,且光学吸收边向长波方向移动;然而,退火前薄膜的电学性能更好.  相似文献   
75.
多媒体辅助教学的广泛运用,已对语言教学产生了深远的影响,而外文电影为媒介的视听教学正是其中一部分,为了对其具体的效果进行全面了解,笔者对此进行了调查和座谈,并由此进行了分析,旨在探讨外文电影为媒介的视听教学的新模式。  相似文献   
76.
利用射频磁控溅射复合靶技术,通过调节复合靶的百分比制得富硅的氧化硅薄膜,并在不同的温度下退火,制得含纳米硅的氧化硅薄膜.通过Raman谱的测量,计算出800℃退火的薄膜中纳米硅晶粒的平均尺寸为5.6 nm,用X射线衍射测量同样的样品得出其粒径为6.0 nm.在室温下测量光致发光(PL)谱,探测样品的峰位为360 nm,并结合光致发光激发谱(PLE),研究相应的激发与发光中心.  相似文献   
77.
把反应速率常数和量子产率作为动力学常数,研究了石油烃类化合物的TiO2光催化氧化降解.并采用高光密度法,以K3Fe(C2O4)3做光露计,300 W中压汞灯为光源,在365 nm波长处测定石油烃类的反应速率常数和量子产率.结果表明:正十六烷、正癸烯和萘等石油烃类在365 nm波长下的TiO2光催化氧化降解反应均服从一级反应动力学,其反应速率常数分别为4.3×10-3、6.7×10-3和5.1×10-3m in-1.K3Fe(C2O4)3光解服从零级反应,其速率常数为5×10-5(mol/L)-1.m in-1;正十六烷、正癸烯和萘的量子产率分别为1.20、1.87和1.42,其值均大于1,进而表明了TiO2光催化氧化法对石油烃类化合物的降解反应可能有活性氧参与.  相似文献   
78.
采用铝阳极氧化法和浸渍法制备出新型SO42-/Al2O3-Al固体酸催化剂,通过BET,XRD,XPS等物性表征,考察了阳极氧化时间、焙烧温度等对催化剂制备的影响。BET结果表明,催化剂的比表面积要小于载体Al2O3的比表面积;XRD结果表明,载体Al2O3为无定形结构,且负载SO42-后,催化剂的物相结构没有发生改变;XPS结果表明,催化剂表面主要由SO42-和Al2O3组成。活性评价表明,该催化剂对酯化反应具有较好的催化活性。  相似文献   
79.
三氧化铬酸性水溶液氧化乙酸诺卜酯反应中的主要产物是4-(1-甲基-1-羟基乙基)-1-环己烯-1-乙醇乙酸酯和4-(1-甲基-1-羟基乙基)-1-环己烯-1-乙醇,通过GC-MS分析确定了反应产物中其他几个GC含量相对较高的组分,主要是3组异构体:2,3-环氧乙酸诺卜酯、1-羟基-2,3-环氧乙酸诺卜酯和5-羟基-2,3-环氧乙酸诺卜酯.分析结果表明反应主要是四元环开裂,并进一步水合,另外伴有少量双键环氧化的产物,这些环氧化的产物还可进一步在C1和C5处发生叔氢氧化.  相似文献   
80.
针对镁合金表面处理对参数调节和效率的要求,研制了大功率微弧氧化电源控制系统,该系统以80C196KC为核心,对整个系统的动作程序和工艺参数进行控制,电源实现了双向不对称脉冲输出和在大电流、高电压工况下主要参数的一定范围调节.硬件电路与软件设计中采用有效的抗干扰措施,使整个控制系统稳定、可靠.实验结果表明,该系统可以满足微弧氧化工艺的要求,实现微弧氧化的自动化.  相似文献   
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