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41.
42.
设计了一种新型的显微/望远两用镜,讨论了此两用镜的光学系统设计方法案和光学系统设计方案和光学系统各结构参数,对所得的象差曲线结果进行了分析,给了一个此光学系统的结构参数实例和产品外形轮廓。  相似文献   
43.
An energy theory is proposed on the buckling of a ferromagnetic thin plate in a transverse static magnetic field. The analytic solution of critical field for plates is obtained by using variational method. It is shown that the critical magnetic field is not only influenced by the ratio of the thickness to the length, but also by the width, total length and the magnetic susceptibility of the specimen. Theoretical calculations agree with experiments reasonably.  相似文献   
44.
《科学通报(英文版)》1998,43(5):399-399
The nonlinear refractive indexes n 2 for the ethanol solutions of 1,10-phenanthroline (2.0×10 -3 mol·L -1), [bis(1,10-phenanthroline) lanthanum (Ⅲ)] nitrate (1.0×10 -3 mol·L -1), and [nitrato-fluoracil-bis (1,10-phenanthroline) lanthanum (Ⅲ)] nitrate (1.0×10 -3 mol·L -1) are first measured, the third-order nonlinear optical susceptibilities χ (3) and <γ> are calculated, and the mechanisms of the third-order optical nonlinearities enhanced by lanthanum (Ⅲ) are discussed preliminarily.  相似文献   
45.
质心层次特征的无约束手写体数字识别   总被引:5,自引:0,他引:5  
光学字符识别(OCR)是模式识别最为成功的应用之一.目前,OCR的研究重点是无约束手写体字符识别.采用了基于字符质心的层次特征对无约束手写体数字进行分类识别.基于字符质心的不均匀分块方法,在一定程度上可以克服无约束手写体数字字形千变万化所引起的不稳定性.层次特征将字符在空间的二维分布转化为一维,特征抽取过程简单,易于实现.将该算法应用于无约束手写体数字的信函分拣系统,单字的平均识别率达97%以上.  相似文献   
46.
以SrS∶Ce和ZnS的混晶为原料用电子束蒸发的方法制备了蓝色SrS∶Ce薄膜电致发光(TFEL)器件,研究了新法制备的SrS∶Ce膜的光致发光(PL)性能和它的电致发光(EL)器件的电致发光性能,并与直接用SrS∶Ce粉末制备的薄膜和器材的性能进行了对比.结果表明混晶法制备的薄膜电致发光器件的亮度和效率比直接法制备的器件要高得多,且ZnS的引入弥补了在SrS∶Ce薄膜S的不足,避免了直接用SrS∶Ce材料蒸发而采用的共S蒸发方法中S气氛对环境的污染.  相似文献   
47.
在分数傅里叶变换的基本性质的基础,通过引入一个定标因子,通过两次切变操作来旋转WDF,给了分数傅里叶变换的一种新的分析该方法可以将原有的分数傅里叶分析从对称光路扩展到的一般的光路。  相似文献   
48.
使用电子束蒸发法沉积了铝掺杂的氧化锌透明导电膜。  相似文献   
49.
前驱体溶液pH值对溶胶凝胶制备钛酸铋薄膜的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用溶胶凝胶技术在石英玻璃基片上制备钛酸铋薄膜,讨论了前驱体溶液的酸碱度(pH值)对薄膜结构和结晶性的影响.pH<2和pH>35的前驱体溶液所制备的薄膜在晶化过程中出现Bi2Ti2O7和Bi2Ti4O11杂相.pH=25~35的前驱体溶液制备的薄膜是钙钛矿Bi4Ti3O12结构的取向薄膜  相似文献   
50.
介绍了Solgel法制备Bi4Ti3O12薄膜的工艺过程,研究了BiTi溶胶在Si基片上的匀胶规律;用TGDTA和TEM技术研究了BiTi干凝胶的形态,并成功地在Pt/Ti/Si基片上制备了c轴取向的Bi4Ti3O12薄膜.  相似文献   
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