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131.
阐明了磁透镜原理,依照磁透镜理论和几何光学理论,给出一种确定磁透镜位置的方法。并将磁透镜技术应用到直流等离子射流化学沉积金刚石薄膜/类金刚石薄膜装置中,很好地消除了边界效应,实现高速大面积沉积高纯度金刚石薄膜/类金刚石薄膜的目标。  相似文献   
132.
蜂窝网络中基于遗传算法的信道分配   总被引:5,自引:0,他引:5  
信道分配问题属于组合优化中的NP完备问题 ,为了更有效的利用频率资源 ,在遗传算法的基础上提出了一种新的信道分配方法·在信道分配中主要考虑三种限制 :同频限制、邻频限制和同位置限制·目标是得到一个用最少的信道数 ,满足话务需求和电磁兼容限制的信道分配方案·采用了最小间隔编码方案 ,利用固定遗传算子 (交叉和变异 ) ,在整个迭代过程中始终满足话务需求的要求·提出了几种遗传算子并进行了验证 ,比较结果表明选择性变异技术能得到很好的结果·对几个著名的benchmark问题进行仿真 ,结果表明 ,它对解决信道分配问题是一个非常有效的方法  相似文献   
133.
萘的六氮取代衍生物电子结构和非线性光学性质   总被引:1,自引:3,他引:1  
在量子化学半经验PM3方法优化几何结构的基础上,采用FF/PM3方法,讨论了萘的六氮取代物及其对位被推、拉电子基团取代衍生物电子结构和非线性光学性质的变化.用NDDO方法计算体系的电子光谱,探讨了分子电子结构对电子光谱及非线性光学性质影响的微观本质.  相似文献   
134.
斜入射到非磁化等离子体的电磁波的吸收   总被引:5,自引:1,他引:5  
研究了不均匀非磁化等离子体片的目标隐身。给出了用WKB方法计算以任意角入射的电磁波在不均匀等离子体中的衰减。等离子体密度采用抛物线模型,计算了电磁波等离子体中的衰减与等离子体碰撞频率、电磁波频率、等离子体最大密度、电磁波入射角的关系。提出了隐身等离子体共振吸收的新概念。并对计算结果进行了讨论。  相似文献   
135.
基于3D-GM-BPM的平行定向耦合器模拟研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了基于伽辽金法的三维光束传播法(3D-GM-BPM),可直接应用于三维波导光电子器件的光波传输模拟,并用它模拟分析了基于脊形光波导的平行定向耦合器遥光波传输特性。3D-GM-BPM最终归结为求角一阶常微分方程组,导出矩阵小,计算效率高。另外,平面映射边界条件使该方法无须引入人工边界条件,因而消除了非物理反射,有较高的计算精度。  相似文献   
136.
库仑场中的束缚光学极化子   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究库仑场中束缚光学极化子的性质,采用线性组合算符和么正变换方法计算了强弱耦合情形束缚光学极化子的基态和第一激发态能量.计算结果表明:库仑场使束缚光学极化子的基态和第一激发态能量的绝对值变大,激发能量变大.不同离子晶体或不同极化材料中,库仑场对光学极化子的影响效果不同。  相似文献   
137.
基于双Wollaston棱镜偏振干涉成像光谱仪的光通量分析   总被引:4,自引:1,他引:4  
光通量是振干涉成像光谱仪的关键参量之一。该文在非理想情况下,通过分析Wollaston分束器和检偏器对入射光强的削弱作用,对基于双Wollaston棱镜的偏振干涉成像光谱仪的光通量进行了讨论,得到了较精确的光通量表达式,给出了最大调制度下的通量数值,并与近似理想条件下的光通量进行了比较。  相似文献   
138.
内联网络安全的研究与探讨   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文论述了当前内联网络网络安全工作对于国家安全和经济建设的重要意义、它所面临的种种威胁、网络安全体系功能需求,并阐述网络安全技术最新发展,给出了一个较为完备的安全体系可以采用的各种加强手段,包括防火墙、加密认证、网络安全扫描、入侵检测等技术。  相似文献   
139.
章讨论相位量化DRFM的关键器件——模数变换器(亦称相位量化器PQ)的单参数加权方法下的优化设计方法.以4bit相位量化为例,提出相位量化器的拓扑结构和编码方法.该拓扑结构具有对称性,消除负载不平衡对量化精度的影响;中编码的目的在于减少贮频信道数,简化DRFM的结构.上述优化设计方法可推广应用于任意比特数的相位量化器设计.  相似文献   
140.
无压渗透法制备SiC颗粒增强铝基复合材料的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
利用无压渗透法制备出SiCp/Al复合材料,研究了SiCp/Al系统的界面微观结构及复合材料的机械性能,研究表明:SiCp/Al系统的界面处存在着界面反应,生成Si、A12O3和A13C4等产物,在界面处存在着Si和Mg元素的富集;复合材料的机械性能受界面反应和Si元素富集的影响,其中界面反应是最重要的影响因素。当界面反应控制在一定程度时,在基体与增强相的界面处形成比较充分的“机械绞合”,才会使复合材料的机械性能有较大提高,界面上Si元素的富集对机械性能的影响较为复杂,一方面它可以控制界面反应的过度发生,另一方面又会产生晶格畴变,这两方面效应的叠加,使之对复合材料机械性能的影响减弱,远小于界面反应对机械性能的影响。  相似文献   
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