非晶硅／多晶硅太阳电池吸收层厚度的设计优化

为非晶彬多晶硅太阳电池设计增加了一层重掺杂的非晶硅薄膜作为背场,利用AMPS程序模拟发现电池的光伏性能明显改善．模拟中还发现,有无背场时,电池的转换效率分别在吸收层厚度为5μm和15μm时达到峰值,故有背场的太阳电池更有利于节约材料,降低成本．     

悬浮培养型 BHK -21 细胞的生长规律和不同接种密度培养效果的研究

为探索悬浮培养型BHK-21细胞的生长规律和最佳接种密度,以3．0×10^5个／mL、4．0×10^5个／mL、5．0×10^5个／mL、6．0×10^5个/mL和7．0×10^5个／mL等5个接种密度培养了悬浮培养型BHK-21细胞,绘制了细胞生长曲线和活力变化曲线．结果显示,悬浮培养型BHK-21细胞生长曲线呈“S”型,接种培养前24h细胞处于适应期,生长曲线上密度增长不大,期后细胞进入对数增长期,生长密度呈指数增长．以3．0×10^5个／mL和4．0×10^5个／mL接种培养的在120h达到最大增殖密度,分别为4．65×100个／mL和5．59×10^6个／mL,倍增时间分别为26．9h和26．7h;以5．0×10^6个／mL、6．0×10^6个/mL和7．0×10^6个／mL接种培养的在96h就达到最大增殖密度,分别为5．14×10^6个／mL、5．36×10^6个／mL和5．1×10^6个／mL,倍增时间分别为22．4h、24．1h和25．2h．各组在培养的96h以前细胞活力均在90％以上且变化较小,120h和144h时细胞活力开始下降,且接种密度越高活力下降越快．该细胞以4．0×10^5个／mL、5．0×10^5个／mL、6．0×10^5个／mL接种培养能达到较高培养密度,细胞生长快,且细胞峰值持续时间长．     

利用固体电解质氧浓差电池测定铝镇静钢中的铝量

铝镇静钢的质量与其含铝量的控制有极其重要关系,本文根据钢液中氧活度α[o]与含铝量[Al]sol间存在的平衡关系,利用固体电解质氧浓差电池快速测定α[o],并对应于取样分析[Al]sol量,建立实测的α[o]—[Al]sol关系。从而,可通过直接测定钢液中氧的活度来测定钢液中含铝量,并通过测氧达到控制铜中铝量,确保钢质量的目的。     

彗星电泳检测细胞DNA损伤应用新进展

彗星电泳是近年发展起来的一种测定单个细胞DNA损伤的方法 ,因其操作简单、快速及灵敏等特点 ,应用范围十分广泛 .着重介绍了这一技术的发展、图形分析及应用进展     

纳米ZnO制备及共沉淀掺杂的溶液理论模拟

应用多元平衡理论对氨法生产纳米ZnO的最佳制备工艺条件及硅、钛、锆、铁、铜、银等离子的氧化物与ZnO复龠 人沉淀的可能性进行了理论模拟和分析，研究结果表明，当锌离子的总浓度为0.1mol/L时，使氨溶ZnO全部转化为[Zn(NH3)4]^2 络离子的最佳条件为[NH3]=2MOL/l,且CO3^2-的浓度与Zn^2 一致，同时在氨法工艺中仅ZrO2可实现与ZnO的复合共沉淀，最佳共沉淀的pH范围在10－12之间。     

陡脉冲肿瘤治疗仪的研制及应用

在一定电场强度陡脉冲的作用下，细胞膜会形成大量微孔，其数量和孔径会随电场强度的增加而激增，从而引起膜组织断裂，导致细胞死亡，这种现象被称为不可逆性电击穿，为了研究陡脉冲对肿瘤细胞的不可逆性电击穿，应用现代电力电子技术和高电压新技术，研制出了一套脉冲峰值、脉冲宽度、脉冲重复频率和脉冲陡度独立可调的能量可控陡脉冲肿瘤治疗仪。分析了该治疗仪各部分电路的工作原理，在实验室调试成功的基础上，应用该仪器对人卵巢腺癌SKOV3细胞进行了细胞实验，调试时的示波器实测波形和细胞实验的电镜结果表明，该治疗仪性能稳定，能够方便地调节输出脉冲的能量，能有效地杀伤肿瘤细胞。     

器官发育及细胞程序化死亡的基因调节研究

用线虫实验模型系统研究调节器官发育及细胞程序化死亡的基因，且发现这种基因在人体中也存在，这一成果获得了2002年诺贝尔生理学医学奖。“程序性细胞死亡”机理的发现为艾滋病、肿瘤和癌症等疾病的治疗提供了寻找新方法的可能，将在人类战胜疾病过程中发挥重要作用。     

负载型金属氧化物常温精脱硫剂的制备与表征

以γ—Al2O3为载体，用浸渍沉淀法制备复合金属氧化物脱硫剂，添加竞争吸附剂得到高分散、均匀型金属氧化物精脱硫剂。常温、缺氧条件下精脱H2S穿透硫容可达16．8％．采用EP、TEM技术分析了金属氧化物活性组分的均匀分布及脱硫前后的脱硫剂微表面的变化。     

无钴高强高韧钢中奥氏体相价的电子结构

利用固体与分子经验电子理论(EET)对无钴高强高韧钢奥氏体中含碳与不含碳晶胞的价电子结构进行了计算和分析·得到含碳晶胞的nA值大于不含碳晶胞的nA值,故在相的转变中主要考虑含碳晶胞的影响·在含碳晶胞中合金元素Ni,Si,Cr,Mo与碳原子形成偏聚区,且Ni,Si与C的结合力比Cr,Mo的大,偏聚区能降低C的扩散能力,阻碍位错运动,推迟马氏体相变;使基体中保持高度的位错,也会导致材料中有一定数量的残余奥氏体,并细化奥氏体晶粒,使转变的马氏体尺寸减小,这对材料的韧性有利·     

文昌鱼Rbx1同源基因的克隆，进化分析和表达图式的研究（英文）

在青岛文昌鱼中首次克隆到一个RING box同源基因,对其进行了序列特征和系统进化学分析,并且研究了该基因的胚胎发育和成体表达图式 。AmphiRbx1演绎的蛋白序列与已知其他无脊椎动物和脊椎动物的同源分子表现出很高的相似性。利用原位杂交和RT PCR技术研究该基因的表达,结果显示AmphiRbx1在胚胎发育各期均有表达,特别是在 卵裂期胚胎和有高速分裂细胞的组织中有很强的表达。实验结果表明,Rbx1基因在进化中相当保守,AmphiRbx1可能在细胞分裂的调节中发挥作用。