硅低速刻蚀和钨膜刻蚀研究

针对半导体器件研制过程中等离子体刻蚀工艺的具体需要,研究了硅的低速率刻蚀和钨薄膜的刻蚀,得到了加磁场条件下刻蚀速率与刻蚀气体流量,射频功率的关系曲线,得到了不加磁场时不同的刻蚀气体流量下钨的刻蚀速率,以及在刻蚀气体中掺杂不同比例氧气时硅的刻蚀速率,对上述结果加以简单的讨论并给出了符合工艺要求的刻蚀条件。     

等离子体刻蚀对纤维结构的影响

本文讨论了等离子体刻蚀作用对纤维结构的影响,并应用差示扫描量热法、X-射线衍射法、光电子能谱法、红外光谱法、光学双折射法以及表面润湿性分析等测试手段进行了测定分析。实验结果表明,等离子体刻蚀后,纤维的结晶部分和取向情况均有明显改变,纤维大分子基团亦发生变化,并优先向亲水基团转变。通过层叠薄膜刻蚀实验可以看到,等离子体的刻蚀作用不但明显改变纤维表面结构,而且已经影响到整根纤维,是一种整体效应。本文认为这种整体效应主要由等离子体区域中的紫外线远程辐射引起的。     

非均匀快速傅立叶变换在音频编码中的应用

在音频变换编码中,一般采取均匀变换的方法进行频谱分析和心理声学模型计算,比如快速傅立叶变换（FFT）,移位离散傅立叶变换（SDFT）和改进离散余弦变换（MDCT）.但均匀频谱分析方法并不符合人耳听觉特性,需要进行额外的非线性映射,并且在低频段分辨率不足.本文在音频编码中引入非均匀快速傅立叶变换（NUFFT）,可以直接使频谱在不同频段具有不同的频率分辨率,非常有利于提高编码效率 同时根据音频编码的需求提出一种专门的近似求逆方法,尽管这种方法存在一定误差,但是可以证明这些误差主要与人耳不敏感的高频信息有关,并且采用此种近似求逆方法,NUFFT相对于FFT有更好的算法稳定性.最后给出了利用NUFFT和FFT进行变换操作的测试结果,从数据精度和客观音质评价两方面都说明在低码率下NUFFT的表现优于FFT.     

关于计算系统熵的事件加权方案的研究

研究了具有非均匀权重分布样本的系统熵的计算方法．利用PYTHIA蒙特卡洛模型对两种常用的加权方案进行了检验,得到了较好的事件加权方案,并验证了其无偏性．     

金属辅助化学刻蚀法制备尺寸可控的硅纳米线

为制备粗细均匀、大长度的硅纳米线,通过金属辅助化学刻蚀方法,以银作为辅助金属,利用场发射扫描电镜(FESEM)和FIB/SEM双束系统作为检测手段,结合微加工工艺,研究了不同的反应离子刻蚀时间和化学刻蚀时间对制备的硅纳米线的尺寸和形貌的影响。结果表明,通过该方法制备的硅纳米线粗细均匀、长度较大。控制反应离子刻蚀时间和化学刻蚀反应时间,可以控制硅纳米线的形貌与尺寸。     

载药金属微针的结构设计及制备

摘要：
提出一种新型载药微针结构设计方案,采用硅的各向异性刻蚀工艺与SU 8胶光刻工艺相结合的方法制备硅与光刻胶复合载药微针模具,将硅的各向异性刻蚀所得棱锥结构用于复制微针的尖端部分,SU 8胶曝光套刻出的带凸起结构的柱体用于复制微针的柱体部分,以此微结构为模具,通过2次聚二甲基硅氧烷（PDMS）浇铸复制而得PDMS凹三维结构.在此结构上,溅射金属种子层后采用小电流电铸技术电镀金属Ni,脱模得到载药金属微针.经力学性能测试,其断裂强度为366 MPa,远大于刺穿皮肤所需断裂强度3.183 MPa. 关键词：
微针; 光刻胶; 各向异性刻蚀; 断裂强度 中图分类号： TN 302
文献标志码： A     

基于阳极腐蚀的多孔硅成长速度研究

提出基于阳极腐蚀的多孔硅的形成同时包含多孔硅的形成和电抛光体硅两部分组成 .把电抛光体硅的电流密度Je 与总的腐蚀电流密度J的比值定义为抛光因子α .推导出了多孔硅的成长速度与腐蚀电流密度、多孔度和抛光因子α之间的关系式 .在实验误差的范围内 ,三组文献提供的实验数据验证了本文结论的正确性 .     

线路板蚀刻废液资源化处理清洁生产工艺

研究了广州市白云区南溪化工厂开发的一套对线路板蚀刻废液资源化处理零排放新工艺.该工艺利用摇床重力分选得到氧化铜,滤液加生石灰碱化加热回收氨.通过正交试验确定了最佳工艺条件,得到的氧化铜纯度为96.5%,回收率达97.1%.     

真空微电子触觉传感器场致发射阵列的研究

阐述了真空微电子触觉传感器的工作原理。采用半导体集成电路加工技术和硅微各向异性腐蚀及氧化锐化工艺,在电阻率为３～５Ω·ｃｍ的ｎ型（１００）硅片上制备了真空微电子触觉传感器的场致发射阴极锥尖阵列,锥尖密度达３９００个／ｍｍ２,起始发射电压为２～３Ｖ,反向击穿电压大于３０Ｖ,收集极在２０Ｖ在电压时,单尖发射电流达０．２μＡ,实验结果表明这种真空微电子触觉传感器具有良好的触觉效应。     

化学腐蚀法制备发光硅纳米颗粒

用硝酸和氢氟酸的混合酸液腐蚀普通硅粉,经过超声空化作用,分别在去离子水、无水乙醇中制备出硅纳米晶颗粒.硅纳米颗粒的平均粒径约为2 nm,它们或单独存在,或包裹于非晶态物质中.在320 nm的光激发下,硅纳米颗粒的悬浮液在390 nm处呈现一明显的紫外发光峰,理论分析证明该发光峰与硅量子点的量子限制效应有关.