a-Si:H的光电导衰退与微结构的关系

目前,主要流行的两类微观机制模型——“负有效相关能模型”和“断键模型”——都表明a-Si:H的光诱导变化与其微观结构有关.本文研究了不同制备工艺条件对a-Si:H微结构的影响,和样品的光电导衰退依赖于微结构的关系.最后,从S—W效应的微观机制作了简短讨论.     

a-SiC:H/a-Si:H复合膜对半导体器件钝化作用的研究

本文简述了用α-SiC:H/α-Si:H复合膜钝化硅平面器件的钝化机理,并成功地应用于硅平面小功率晶体管的表面钝化,实验表明,钝化后的器件反向漏电流降低了2～3个数量级;小注入下的电流放大系数提高了3～4倍;室温—200℃的BT实验表明,未钝化的器件200℃时的电流放大系数比室温时增加了300％,而钝化后的器件只增加了75％。这些结果主要归因于钝化膜中原子态氢在到达SiO_2-Si界面处与界面处悬挂键结合,降低了界面态密度。     

用化学浸蚀形成光致发光多孔硅的研究

在ＨＦ－ＨＮＯ３水溶液中化学浸蚀单晶硅，得到了具有可见光致发光的多孔硅层（ＰＳＬ）。金相显微镜和扫描电镜（ＳＥＭ）观察表明，化学浸蚀后的表面呈绒面状，说明浸蚀具有各向异性。浸蚀过程中出现显色循环，当显色处于临界时间时，样品光致发光最强，与阳极氧化样品相比，化学浸蚀形成多孔硅的光致发光强度要弱近一个数量级，其峰值能量为１．９４－２．０４ｅＶ，半峰宽（ＦＷＨＭ）为０．３５－０．４１ｅＶ。还对比讨论了阳     

碲镁磷对过共晶铝硅合金中硅相形貌的影响

本文通过在高纯过共晶Al-Si合金中调整Te、Mg、P加入量的试验,研究Te对含Mg的Al-Si合金铸态硅相形貌的影响。结果表明,Te、Mg、P中任何一种元素占优势时,都能以该元素为主影响合金的组织形态。     

手性含硅二硫缩醛的合成

在路易斯酸BF3.OEt2的催化作用下，利用手性含硅醛2和Me3SiSMe反应首次合成了手性含硅二硫缩醛5；当2与乙二硫醇反应时，虽然生成了二硫缩醛3，产率为66％，然而与硅相连接的苯基被氟取代．如果没有催化剂，反应都不能进行．化合物3，5的结构经过了IR，^1HNMR，^13NMR，MS等的测定．图2，参11．     

叠氮化钠联合卤化铵燃烧合成氮化硅粉体

采用叠氮化钠作为固态氮化剂,同时以卤化铵作为活性稀释剂,通过对燃烧温度特征曲线和燃烧产物相组成的分析,研究了两者的协同作用对于燃烧合成氮化硅粉体的影响. 研究结果表明:叠氮化钠和卤化铵的热分解可增加硅粉内部孔隙率和氮气渗透性,也能为Si-N反应提供内部氮源. 叠氮化钠和卤化铵均可作为Si-N反应的催化剂,可促进硅粉向氮化硅的氮化转变. 叠氮化钠联合卤化铵的使用能够有效地降低燃烧温度,使燃烧反应以低温模式进行,有利于α-Si3N4的生成. 随着反应物中叠氮化钠含量的增多,燃烧产物中α相氮化硅含量也相应地有所提高.     

磁场退火对无取向硅钢再结晶织构和组织的影响

为了研究磁场退火对金属材料的再结晶织构和晶粒尺寸的影响,对冷轧无取向硅钢薄板进行了普通退火以及0.1,6和12 T下的磁场退火,磁场沿轧向施加.研究表明,磁场退火显著影响再结晶织构的取向密度和晶粒尺寸,且与磁感应强度成非线性关系.磁场退火增强有利的η(〈001〉∥RD)和{100}织构,减弱不利的γ(〈111〉∥ND)织构,该效应在6 T磁场下较显著;再结晶晶粒尺寸在6 T磁场退火时较大,普通及12T磁场退火时居中,0.1 T磁场退火时较小.从磁场降低晶界可动性和提供与取向相关的附加晶界迁移驱动力的角度,分析了磁场作用机制.     

碳纤维催化石墨化的研究概况

论述了催化剂种类、含量及石墨化温度三因素对碳纤维催化石墨化反应的影响。以非金属元素硼、硅为例,从催化作用机理方面阐述了碳纤维在催化石墨化过程中微观结构的变化及宏观力学性能的改变,并对催化石墨化技术的研究发展进行了展望。     

碳化硅、氮化硅材料力学性能的研究

用电显微技术研究了纳米Si3N4-SiC复相陶瓷的显微结构，分析了显微结构与力学性能的关系。     

多晶硅太阳电池的有效等离子体氢钝化

文章报道了一种用于多晶硅太阳电池氢纯化的简单试验装置，等离子体氢是通过辉光放电方法产生。三类完成电极制作的多晶硅太阳电池用于氢纯化试验，伏安特性测试结果表明，经过等离子体氢纯化后的太阳电池性能都有所提高，电池的光电转换效率相对改善高达10.6%。