SiCl_4制备正硅酸乙酯的工艺研究

为寻找一条工序简单、耗价低、易于工业放大路线,实现多晶硅副产物四氯化硅(SiCl4)废物资源化制备正硅酸乙酯(TEOS),本文以多晶硅副产物SiCl4和无水乙醇为原料制备TEOS,在半连续化生产工艺的基础上研究了SiCl4与乙醇的摩尔比、反应温度、反应时间等因素对TEOS产率及纯度的影响。正交实验优化结果表明:15℃下,以恒定速率滴加14.21 g无水乙醇于15 g四氯化硅中,反应35 min,补加8.12 g无水乙醇;55℃下恒温40 min,经减压蒸馏,除去低沸点的乙醇和氯化氢,TEOS产率达到86.61%。对正交实验优水平下制得的产物进行红外光谱(IR)和气相色谱(GC)分析,结果表明:产物中TEOS结构正确,其纯度大于99.0%,达到市售分析纯纯度。     

Design of radiation hard phase-locked loop at 2.5 GHz using SOS-CMOS

Abstract: A radiation hard phase-locked loop (PLL) is designed at 2.5 GHz using silicon on sapphire complementary metal-oxide-semiconductor process. Radiation hardness is achieved through improving circuit design without sacrificing real estate. Stability is guaranteed by a fully self-bias architecture. The lock time of PLL is minimized by maximizing the loop bandwidth. Frequency tuning range of voltage controlled oscillator is significantly enhanced by a novel load configuration. In addition, multiple bias stages, asynchronous frequency divider, and silicon on sapphire process jointly make the proposed PLL more radiation hard. Layout of this PLL is simulated by Cadence Spectre RF under both single event effect and total induced dose effect. Simulation results demonstrate excellent stability, lock time < 600 ns, frequency tuning range [1.57 GHz, 3.46 GHz], and jitter < 12 ps. Through comparison with PLLs in literatures, the PLL is especially superior in terms of lock time and frequency tuning range performances.     

闪速燃烧合成的Fe-Si3N4中FexSi粒子的形成机理

采用SEM、EDS等手段研究了闪速燃烧合成的氮化硅铁及其原料FeSi75的组成、结构,并结合闪速燃烧合成工艺和热力学分析,揭示氮化硅铁中FexSi粒子的形成机理.结果表明:在以74μm的FeSi75氮化制备氮化硅铁过程中,金属硅和ξ(FeSi2.3)相中部分硅氮化为氮化硅,而氮化硅铁中FexSi粒子则来源于ξ相的氮化;当ξ相被氮化到其中的[Si]摩尔分数降低近25%时,[Si]的活度aSi趋于0,氮化趋于平衡,ξ相中不能被继续氮化的部分即为FexSi粒子,其Fe∶Si原子比例大约为3∶1;FexSi粒子的大小、均匀分布状况与ξ相颗粒粒径大小及分布状况有关.     

高骨架填充率的SiO2有序大孔材料的制备

以SiO2有序大孔材料制备作为研究对象,系统考察了胶晶模板法中影响前驱物填充率的诸因素,包括填充方法、填充时间和填充次数.研究表明,直接浸渍法易导致大孔结构的收缩、脱落和表面覆盖.本文提出的在模板表面添加盖片再填充的方法有效解决了上述问题.当填充时间为5 min、填充次数为两次时,SiO2有序大孔材料的骨架填充率较高.扫描显微镜(SEM)和分光光度计的表征结果证实,实验成功制备了填充率高达22.53%的大面积SiO2有序大孔材料.     

非晶硅PIN太阳能电池在强光照射下的光电转换现象

用两种不同波长、不同功率的单色光作为激发光源,研究非晶硅PIN太阳能电池的光电特性,测试并计算了有关数据,发现在高功率强光照射下,PIN太阳电池光电转换呈现一种异常的现象,对此作了理论解释。     

AVCO SiC(SCS-6)纤维的热分析和氧化研究

本文研究了AVCO碳化硅(SCS-6)单丝纤维的热性能、热暴露后的表面形态和氧化现象以及断口形貌,并对SiC的主动氧化和被动氧化进行了分析,得出了纤维的力学性能与其氧化现象的必然联系。     

水泥率值配料最优化计算方法

前言水泥率值一方面决定了水泥熟料矿物组成,同时对窖的煅烧也有着最大的影响,因此被广泛用作衡量熟料质量的主要技术经济指标,以及生料配料的依据。生料配料计算通常采用试凑法,而试凑法的精度太低,不能满足水泥工业日益发展的须要。本文从物料平衡原理出发,建立了水泥率值配料全新的数学模型和算法,和试凑法比较,计算精确度得到大幅度提高,而计算工作量却大幅度地减少,特别是过去用试凑法难于处理的退化情形,现在可以用加权最小二乘原理求出最优近似解。     

非晶与单晶硅电解掺氢的研究

用电解方法在非晶硅中掺入了原子氢，使非晶硅中悬挂键的ＥＳＲ信号明显下降，相应悬键密度由２．５×１０￣（１８）ｃｍ￣（－３）下降为８×１０￣（１７）ｃｍ￣（－３）．并发现以Ｈ＿３ＰＯ＿４为电解液时，对作为阴极的非晶硅和Ｐ型单晶硅均有轻度的腐蚀作用，在Ｈ＿２ＳＯ＿４中电解，温度高达２２０℃，对硅也无腐蚀作用．     

高温烧成碳化硅制品的2．5m~3梭式窑

介绍２．５ｍ３高温梭式窑的窑体结构、砌筑材料及窑的技术特性。经生产使用，以轻柴油为燃料，合理燃烧，该窑温度可达１５００℃，为碳化硅制品生产建立了高温烧成设备。     

Ti注入硅合成硅化物层精细结构分析

Ｔｉ离子注入硅化物已能得到特性优良的硅化物薄层，采用了深度分辨率高的掠角背散射和沟道技术发现注入层是３层结构，表面～１２０ｎｍ为合成的连续硅化钛多晶薄层，在该层中晶格无程度达到４０％～５０％，中间层厚度约为２００ｎｍ的高密度的晶格损伤区，晶格损伤率在硅与硅钛界面处最高，其值可达到７７％，并且随深度的增加而下降；第３层则是低密度晶格损伤层，束流密度的变化对晶格损伤率有一定的影响。