多孔氧化铝膜的制备及其表征

在硫酸、磷酸及草酸溶液中 ,通过阳极氧化铝箔制备出了多孔氧化铝模板 ,用阶梯降压法将氧化铝层与铝基底分离 .透射电镜结果表明 :这种膜的孔间距 ,孔径以及晶胞尺寸均随所加氧化电压的增加而增加 .通过 FT- IR谱发现 ,在阳极氧化过程中 ,电解液阴离子也参与了多孔膜的形成 .XRD谱证明形成了无定形氧化铝     

CO选择性厚膜气敏元件及其特性

本文采用丝网印刷技术制作了CO选择性厚膜气敏元件,并对其加热器特性及气敏特性进行了研究。结果表明,元件的电参数具有较好的一致性;在低温下对CO具有较高的灵敏度和选择性。加热器在CO的工作温度下具有一定的稳定性。     

Ⅴ-Ti催化剂低氧催化氧化邻二甲苯制苯酐——Ⅱ.TiO_2晶体结构及助剂作用的影响

研究了V-Ti体系中TiO_2晶体结构与催化活性的联系,本系统中,当焙烧温度超过650℃,由于TiO_2由锐钛矿型转变为金红石型,使催化活性降低。助剂作用的ESCA、XRD、LRS研究表明,与通常V-Ti系催化剂不同,本催化剂由于助剂的作用,使V=O键减弱而利于活化;且随K助剂含量增加,V_2O_(4.33)晶胞的001面取向优化加强,更宜于催化活性的充分显示。     

超细Fe(OH)_2悬浮液氧化反应中氧传递速率

基于膜理论,分析了含有超细Fe(OH)_2颗粒的淤浆中氧气的传递速率。利用数值解与近似解法给出了增强因子与反应-扩散模数间的关系,两者符合很好。实验验证了Fe(OH)_2的氧化速率与其粒径成反比。     

超细Co-γ-Fe_2O_3磁粉的研制

应用TEM、XPS、XRD等分析技术,研究了包钴过程中各种因素对钴改性γ-Fe_2O_3磁粉的微观结构以及磁性能的影响。结果表明,钴铁氧体的形成是Co-γ-Fe_2O_3磁粉磁性能提高的主要原因。包少量钴(钴含量<1%),可使原磁粉的矫顽力提高约6.37kA/m。     

溶胶-凝胶法制备氧化钼薄膜

以MoCl_3(OC_2H_5)_2为原料,应用溶胶-凝胶法制备了透明均匀的氧化钼薄膜。实验发现,合适的工艺条件为:浸透液浓度0.1～1.0mol/L,浸透湿度40～60％,H_2O/MoCl_3(OC_2H_5)_2摩尔比2～4,热处理温度300℃。薄膜在300℃以下热处理是非晶态的,加热到350℃时,有MoO_3晶相出现。应用红外吸收光谱、X-射线衍射对干凝胶的结构和组成进行了研究,在空气气氛中热处理干凝胶,主晶相是MoO_3,加热到600℃时,存在Mo_9O_(26)晶相;在氩气中,300℃是MoO_2晶相,400℃以上则为MoO_2和η-Mo_4O-(11)两种晶相,在1Pa真空中,300～400℃有MoO_2、Mo_8O_(23)和MoO_(28)三种晶相,600℃则转化为MoO_2和ν-Mo_4O_(11)两种晶相。应用DTA对凝胶进行热分析表明:在98℃左右,溶剂C_2H_5OH和吸附水挥发,加热到400℃以上,残余有机物开始氧化分解。     

方石英含量对氧化物结合SiC材料性能的影响

讨论了方石英含量对氧化物结合SiC材料性能的影响.结果表明,材料中方石英含量的增加是造成材料强度降低的重要原因.但是适量方石英的存在对提高材料的断裂韧性有益.通过对材料中SiO_2组份含量的调整,可以改善材料强度与韧性的匹配,提高材料的综合使用性能.     

Pr1.8Bi0.1Sr0.8Ca0.3Cu2O6的制备,结构和性能研究

本文报道了新的含铜的氧化物的物相 Pr_(1.3)Bi_(0.1)Sr_(0.3)Ca_(0.2)Cu_2O_6的制奋、单晶结构和电磁性能.由单晶 X 射线衍射数据分析,该氧化物属四方晶系,空间群 D_(4λ)~(17)—l4/mmm.测得晶胞常数为α=3.831×10~(-10)m,c=19.642×10~(-10)m,Z=2,V=288.3×10~(-20)m~3。在4.5—300K 温度范围内,该物相不显超导性能。经高压纯氧气氛焙烧或经纯160 Pa 氧焙烧后再经氩气氛处理的 Pr_(2-x)(Sr,Ca)_(l+2)Cu_2O_(?)(x≈0至0.4)样品也不显超导性能.     

超高压脉冲综合治理SO2,NOx和CO2气体

应用超高压脉冲电晕放电在ｎｓ数量级内产生“爆炸”式的巨大能量，使反应器内的ＳＯ２、ＮＯｘ、ＣＯ２分子获得了活化能，几乎全部成为活化分子，在定向反应作用下分解成气体分子Ｏ２、Ｎ２和固体微粒Ｓ、Ｃ。在１８０℃的常压条件下气体分解率均在７５％￣９０％。     

CuO／CeO2体系中表面Cu（Ⅱ）组份的状态及还原过程

采用ＴＰＲ结合ＸＲＤ定理研究了ＣｕＯ／ＣｅＯ２体系中Ｃｕ（Ⅱ）的分散状态及还原过程，结果表明：ＣｕＯ在ＣｅＯ２表面的分散容量为１．１５ｍｍｏｌ／１００ｍ＾２，Ｃｕ（Ⅱ）可以以高分散态Ｃｕ（Ⅱ?嵌入到表面空位中以晶相ＣｕＯ（当ＣｕＯ含量超过分散容量时）形式存在，在还朱过程中首先是处于表面空位中的Ｃｕ（Ⅱ）被还原，随后晶相ＣｕＯ中的Ｃｕ（Ⅱ）进入该空位再被还原，从而导致表面连续嵌入和还原过程的发生。