温度对瓢虫柄腹姬小蜂实验种群的影响

为探明瓢虫柄腹姬小蜂适宜的寄生和繁殖温度范围,在实验条件下研究了不同温度(19～34℃)对瓢虫柄腹姬小蜂实验种群的影响.结果表明,随温度的升高,卵-成蜂羽化历期、雌蜂寿命、产卵历期和世代平均历期逐渐缩短,温度从19℃升至为34℃时,卵-成蜂羽化历期从19.31d缩短为9.86d,雌蜂寿命从20.8d缩短为3.3d,产卵历期从5.33d缩短为2.13d,世代平均历期从22.43d缩短为11.37d.在25℃下,每雌蜂寄生数、产子蜂数和产雌蜂数最多,分别为6.17,51.2,38.5头.在25℃下,每雌蜂每d产出雌性后代数最多.在25℃下,净增殖率R0、内禀增长率rm、周限增长率λ亦最大,分别为38.47,0.24,1.27.这些结果显示了适宜该蜂的寄生、繁殖温度在25～28℃之间.     

硅基片上光互连技术

综述了最近几年国际上有关硅基片上光互连技术的进展,并介绍了一些相关器件,如实现波分复用型片上光互连系统的关键器件:波导、波分复用/解复用器、激光器、探测器、调制器以及光交换器．并讨论了这些器件的工作原理以及性能特点．     

降雨对棒板(棒棒)空气间隙交流放电特性的影响

针对近年来我国输电线路频繁出现风偏闪络事故,分析认为暴雨是造成输电线路风偏闪络的原因之一。通过模拟降雨试验研究降雨强度、雨水电阻率、环境温度对棒板(棒棒)空气间隙交流放电特性的影响。试验结果表明：降雨强度、雨水电阻率均使棒板(棒棒)空气间隙交流放电电压降低,其中降雨强度对棒板空气间隙交流放电电压的影响最明显;降雨强度I=2~14 mm/min时,棒板间隙距离d=0.4、0.6、0.7 m的交流放电电压最大降低幅度分别为6.73%、6.54%、6.02%,而棒棒间隙的最大降低幅度分别为2.66％、3.22%、3.07%;降雨强度对棒板交流放电电压影响大,对棒棒影响小;暴雨情况下环境温度的升高使棒板空气间隙交流放电电压升高,其最大变化幅度为7.03%。     

异常温压复合地层注热流体井井筒传热计算

考虑到储层温度、压力对于注热开采井井筒热损失的重要性,利用热量传递基本理论和能量守恒原理,建立了含有异常温压储层的注热流体井井筒热损失计算模型。分析了地温梯度和地层压力系数对岩石热物性参数的影响,计算了不同流体注入速率和不同隔热层参数下的井筒热损失程度,并讨论了地层温度压力对井筒流体稳定时间和稳定温度的影响。结果表明,对于单一的砂质沉积,地层压力系数越高,岩石的导热系数越大,热扩散系数越小;温度异常对井筒热损失影响较为明显,存在高温、低压地层的井筒热损失小,井筒流体到达稳定状态时温度较高。该模型可用于现场同类油藏的井筒沿程温度预测。     

SmCo5硬磁薄膜的制备研究

以Cr层为底层和保护层,采用直流共溅射的方法在Si基片上制备了Cr(80 nm)/SmCo5(300nm)/Cr(8 nm)薄膜,并对样品进行550℃保温30 min的退火,然后分别利用EDX射线能谱仪、X射线衍射仪、原子力显微镜、振动样品磁强计分析研究了退火前后SmCo5薄膜样品的成分、结构、表面形貌、磁学性能及其变化规律.结果表明:在10-4Pa真空环境下,SmCo5薄膜在550℃退火,保温30 min后具有较好的硬磁性能,矫顽力Hc为1 738 Oe.     

某型检测仪的温度模拟电路设计

某型检测仪用于某型航空发动机温控装置的性能检测。温度模拟电路是该检测仪的重要组成部分。本文对温度模拟电路的设计进行了详细的叙述。该电路采用了先进的隔离传感器技术、可调恒流源技术以及热电偶测温技术,达到了设计和使用要求。     

闪发器热泵系统与单级压缩系统性能比较

文章建立了带闪发器前节流的涡旋压缩机热泵系统的数学模型,以哈尔滨的气象参数为例,利用迭代算法,对带闪发器的热泵系统进行了模拟仿真计算,比较了补气系统和单级压缩系统的性能,得出闪发器系统模式和普通单级压缩系统模式的最佳切换区域。     

对称薄膜双栅MOSFET温度特性的研究

文章对薄膜双栅MOSFET器件的温度特性进行了研究。首先对其进行理论分析,得到亚阈值电流、阈值电压和饱和电流等随温度的变化关系,并计算出理论结果,再用Medici模拟仿真加以验证,比较了不同温度下的输出特性、饱和漏电流、阈值电压与温度变化的关系,验证结果表明两者是一致的。     

Electrical and band-gap properties of amorphous zinc–ind ium–tin oxide thin films

Zinc–indium–tin oxide (ZITO) films were grown by pulsed-laser deposition. Three different material compositions were investigated: ZITO-30, ZITO-50 and ZITO-70 in which 30%,50% and 70%, respectively, of the indium in the In2O3 structure was replaced by substitution with zinc and tin in equal molar proportions (co-substitution): In22xZnxSnxO3, where x=0.3, 0.5, 0.7. All ZITO films grown at room temperature were amorphous. The first evidence of crystallinity was observed at higher deposition-temperature as the degree of co-substitution was increased. A decrease in mobility and conductivity was also observed as the degree of co-substitution was increased. The highest mobility for ZITO-30 and ZITO-50 was observed at deposition temperatures just prior to crystallization. The effect of deposition temperature on carrier concentration was minor compared to the effect of oxygen partial pressure during deposition.     

流体室温磷光法研究紫精衍生物与萘之间光诱导电子转移

在室温下以276 nm的光激发,紫精衍生物能够强烈猝灭萘的室温磷光.利用Sterner-Vohmer方程线性回归分析了实验结果,获得了不同猝灭剂紫精衍生物对萘室温磷光的猝灭常数KSV,在1.59×106~6.60×106L/mol之间.同时紫精衍生物的取代基碳链越长,其对萘室温磷光的猝灭常数越小.分析表明,导致萘室温磷光猝灭的原因是从萘到紫精衍生物的三重态电子转移过程.