面向光通信应用的CMOS 28 Gbps低功耗高抖动容限CDR电路设计

为了解决光模块中高功耗芯片恶化激光调制器性能，以及解决收发端时钟基准偏差导致误码率高的问题，设计了一款低功耗高抖动容限的时钟数据恢复电路（CDR）。通过采用压控振荡器（VCO）型全速时钟的CDR系统架构和电感峰化的时钟缓冲技术，降低了CDR芯片的功耗；通过在CDR积分通路中引入零点补偿电阻，提高了CDR的抖动容限。该CDR采用CMOS 65 nm工艺设计和1.1 V电源供电，后端仿真结果表明：当CDR电路工作在28 Gbps时，功耗是2.18 pJ/bit，能容忍的固定频差是5 000 ppm，恢复时钟的抖动峰峰值是5.6 ps，抖动容限达到了设计指标，且满足CIE-25/28G协议规范。     

重瓦斯油及其窄馏分加氢反应性能考察

对Athabasca油砂沥青重瓦斯油以及不同馏程范围的窄馏分的物化性质进行了考察。结果显示 ,随着馏分沸程的增加 ,硫、氮等杂原子含量以及碱性氮和非碱性氮含量的增加。各种不同馏程范围馏分以及窄馏分的加氢精制反应性能表明 ,馏分中的氮化物含量 ,尤其是非碱性氮化物的含量 ,与其脱氮反应性能有密切关系。随着馏分终馏点的增加或者随着窄馏分馏程的变重 ,加氢脱硫和加氢脱氮转化率以及碱性氮和非碱性氮转化率均有所降低 ,其中非碱性氮的转化率下降幅度较大。由窄馏分的加氢反应性能考察可知 ,各类化合物的易脱除顺序为 :含硫化合物 ,碱性氮化物 ,非碱性氮化物     

基于频域窄带莱斯噪声消除机制的OFDM网络信号发射精度增强算法

为改善当前OFDM网络信号精度增强算法中难以高效消除频域窄带莱斯噪声,且系统误码率较高的不足,提出了一种基于频域窄带莱斯噪声消除机制的OFDM网络信号精度增强算法.首先,基于128频相移键控调制方法,在获取信号时域特征的基础上,引入快速傅里叶变换,对信号进行离散化,并基于信号投影机制,构建正交星座图,实现信号投影矢量在预发射状态下的正交分层排序,消除了信源状态下频域窄带莱斯噪声对系统的干扰;随后,引入快速傅里叶逆变换,对预发射信号进行加密处理,且通过量化评估模型对信号精度进行优化提升,有效节约了传输带宽,提高了信号发射性能,改善了信道抗衰落效果.仿真实验表明,与当前常见的时间窗消除机制(time window elimination mechanism, TWE)、频率拓扑映射机制(frequency topology mapping, FT)相比,本文算法的误码率更低,且具有更高的信号增益效果.     

窄边四边形插值定理的优化

Zenisek等人给出了窄边四边形上的双线性插值定理 ,但是误差估计式中的常数不是最优的 .首先给出Poincar啨不等式和?坏仁降母慕问?,并通过证明过程的精细估计 ,给出了窄边四边形插值定理优化形式 ,优化定理中的常数比原来相应常数小得多 (约为原来常数的 1/ 2～ 1/ 5 ) .     

关于置换凸体的结构

利用极值分析研究了，n=3，4时，Ⅳ中置换凸体的结构特征．R^3中置换凸体是一个六边形，R^4中置换凸体是一个由8个六边形和6个四边形组成的十四面体．     

NF无梭织带机引纬机构的运动分析

NF无梭织带机引纬机构是由一组平面四连杆机构与一组空间RSSR机构组合而成。本文运用复数矢量法、坐标变换法分别对其平面机构、空间机构作了运动学解析,建立了适于计算机求解的数学模型。文末还给出了其数值计算结果。所得结论对生产厂、使用厂均有一定的指导意义。     

完全四点(线)形的调和性在初等几何中的应用

探讨完全四点 (线 )形的调和性在初等几何中的应用     

群机器人狭窄通道相遇问题的解决方法

对于群机器人狭窄通道相遇问题提出一种方法——最大有效时长法。该方法能够有效解决机器人死锁问题,并降低机器人的决策难度。与人工力矩控制器配合,能使机器人高效、迅速地通过狭窄通道到达目的地;并且方法简单、计算量少。最后,仿真结果证明能有效解决群机器人狭窄通道问题。     

窄分散共聚倍半硅氧烷微球的制备与形成机理

将氨丙基三乙氧基硅烷(APS)和苯基三乙氧基硅烷(PTES)在碱催化下水解共缩聚,制备了窄分散的聚氨丙基/苯基倍半硅氧烷(PAPSQ)微球.采用扫描电镜和粒度分析仪研究了APS/PTES摩尔比、水/硅摩尔比、共溶剂、四甲基氢氧化铵(TMAOH)浓度和单体总浓度等反应条件对PAPSQ微球形貌和大小的影响,并对PAPSQ微球在不同反应条件下的形成机理进行了探讨.结果表明:APS/PTES摩尔比为1/4、水硅摩尔比为50、TMAOH浓度为0.025 mol/L、单体总浓度为0.25 mol/L、以乙醇为共溶剂时,PAPSQ微球粒径在0.7～1.0μm之间,呈窄分散性;以氨水为催化剂、异丙醇为共溶剂时,产物微球粒径较大,粒径分布较宽;较低的水硅摩尔比和TMAOH浓度下,只形成部分球形粒子;两单体总浓度过高时,难以形成微球.     

逆变式高频窄脉冲微弧氧化电源的设计

为增强微弧氧化过程中电弧的可控性,从脉冲能量控制角度,设计了一种逆变式高频窄脉冲微弧氧化电源.该电源在传统的两级逆变电路结构基础上,增加了阻抗匹配电路,实现了变极性模式下回路及负载中能量的快速释放与存储.文中还详述了实现多种模式输出的协同控制策略及对应的电路工作模式,分析了电源的负载特性,并通过仿真和实验波形验证了该负载特性等效模型的有效性.实验结果表明,通过提高电源输出脉冲频率(最高20 k Hz)及减小脉冲宽度(最窄20μs),可实现对脉冲能量的精密控制和提高系统的能量利用率;高频窄脉冲处理模式获得的膜层表面孔隙率和表面粗糙度更低.