Bi_(1.6)La_(0.4)Ti_2O_7薄膜的制备及性能研究

采用化学溶液沉积法在ITO基片上制备不同退火温度的掺镧钛酸铋Bi1.6La0.4Ti2O7(BLT)薄膜。研究了其结构、介电性能、漏电流密度与外加电压I-V关系曲线和光学带隙。XRD射线衍射测试结果表明,经500、550、600℃1 h退火后的薄膜的主晶相为烧绿石结构,无杂相生成,600℃时BLT薄膜衍射峰比其他两种温度的强。在1 kHz频率下测得的介电常数、损耗因子分别为114,3%;129,3%;194,6%。BLT薄膜的漏电流密度与外加电压关系曲线表明,BLT薄膜600℃的漏电流比550和500℃稍微减小。通过透射谱分析得到BLT薄膜的光学带隙几乎不受温度影响,均为3.7 eV。这些结果表明制备BLT固溶体薄膜较佳为退火温度600℃,具有较好的性能,在光电器件有良好的应用前景。     

不同分类下行业收入差距影响因素分析

行业收入差距的影响因素有很多,如垄断因素、制度因素、人力资本因素、行业自身因素等,其中垄断因素被认为是主要因素。在建立了行业收入差距影响因素测度指标后,运用线性回归方法分别分析了20个行业门类、95个行业大类、16个典型行业收入差距影响因素,发现行业分类不同,影响因素也不同。垄断因素和人力资本因素是影响行业收入差距的主要因素,且人力资本因素正逐渐成为主要影响因素。     

发散型阶梯式磁性液体密封的磁路设计及试验验证

为了在阶梯式磁性液体密封结构的密封间隙内获得最大的磁能积,以提高阶梯式磁性液体密封的耐压性能,在磁路理论和阶梯式磁性液体密封理论的基础上,对一种具有二级磁源的发散型阶梯式磁性液体密封结构进行了磁路设计,采用试验的方法验证了发散型阶梯式磁性液体密封耐压性能,并对计算结果进行了分析和讨论.结果表明:该种磁路结构设计方法是合理与可行的,对发散型阶梯式磁性液体密封的设计具有重要的参考意义.     

磁流体密封间隙对密封性能的影响

对磁流体在转轴密封中的应用作了探讨．阐明了磁流体密封的原理,根据磁学理论进行了磁回路的计算．在此基础上设计了磁流体密封的试验装置．实验中采用不同的密封间隙,以确定磁流体密封能力与密封间隙之间的关系．同时,进行了轴旋转和静止时磁流体密封能力变化的试验．试验结果表明,磁流体的密封能力随密封级数的增加而提高,随密封间隙的增大而减小,密封间隙在０．０５～０．２０ｍｍ时,效果较好,同时密封级数有一个最佳值     

资本市场东西部协调发展问题研究

我国东西部资本市场的发展差距是十分巨大的,从服务体系到资本市场参与率再到资产经营质量都存在着非均衡性。这种现状的形成既有制度性原因和区域原因的影响,又有历史性决策和意识方面的作用。为此,必须采取加大政策倾斜力度、组建西部区域性卷商团等措施,实现西部地区资本市场的快速发展。     

卤化银晶体能带结构的研究

利用扩展休克尔方法,结合自包容子程序,计算了卤化银晶体的能带结构,得出了带隙和价带宽度。结果表明三种晶体皆为非直接带隙物质。     

侧间隙的一个新定义——双螺杆几何学的研究

在双螺杆几何学的研究中, 存在于两螺杆间的间隙是一个重要的概念。文中对同向旋转双螺杆的侧间隙作了新的定义, 并建立了它的数学模型, 推导了其计算公式, 证明了侧间隙的不均匀性     

薄窄砂体流动单元划分方法研究

流动单元是储层物性特征的综合反映。从薄窄砂体储集层的基本特征出发,探讨影响渗流特征的地质因素,研究薄窄砂体储集层流动单元的划分方法,然后针对研究区目的层段进行流动单元研究。将研究区目的层段划分为26个垂向流动单元,在取芯井分析的基础上,结合其它静态资料将目的层段流动单元分为Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ四种类型,并建立各流动单元的分类标准,对非取芯井按测井解释的物性参数进行流动单元的分类,最后绘制出各沉积单元的平面流动单元分布图。     

可接受间隙匝道控制策略及其参数标定研究

对城市快速路入口匝道控制的作用和几种常用方法的优缺点进行了分析,结合广州市内环路的实际特点,提出了广州内环路入口匝道采用可接受间隙控制的方法。在此基础上,对入口匝道控制的临界交通量参数进行了调查与标定,为系统的应用打下坚实基础。     

构造宽间隔跳频码序列的两种算法之比较

为了对构造宽间隔跳频码序列的两种算法,即随机平移替代法和随机均匀转移替代法的性能进行有效的衡量和比较。首先对广义和狭义宽间隔跳频码序列进行了初步探讨,然后对两种算法分别进行了研究、分析、仿真和比较;最后得出结论：随机均匀转移替代法只能构造出广义宽间隔跳频码序列,其相关性性能稍好于随机平移替代法,但其均匀性性能较差,因而整体性能不如随机平移替代法;随机平移替代法可以构造狭义宽间隔跳频码序列,其性能比较理想,且易于实现,有较高的应用价值。