纳米粉体的制备技术

纳米材料是具有多种优异性能的新型材料 ,有广阔的应用前景 而纳米粉体则是构成纳米材料的基础 ,因此它的制备也就成为纳米材料制备的关键 本文对国内外纳米材料制备的研究动态进行了综述 ,以制备纳米Al2 O3粉体为例 ,论述了纳米粉体的各种制备技术 ,着重论述了液相合成技术、气相合成技术和固相合成技术 ,并评述了各种制备技术的优缺点     

利用自组装技术制备二维胶体球阵列

利用自组装技术制备了二维有序胶体阵列,并对其自组装机制进行了分析．以此二维有序胶体阵列为掩模可以制备二维金属薄膜孔洞阵列和硅基孔洞阵列,这在传感器和记录介质方面具有广泛应用．     

纳米结构TiO_2微孔复合膜涂膜液的研制

用异丙醇钛经溶胶 -凝胶过程制得了二氧化钛粒子溶胶 ,发现是由锐钛矿微晶组成的 ,溶胶中加入添加剂制得涂膜液在多孔AL2 O3 陶瓷支撑体上涂膜 ,可制得完整的复合TiO2 膜。     

纳米级CaCO3对聚氯乙烯/丙烯酸酯橡胶的增韧改性

采用丙烯酸酯橡胶(ACR)、纳米级CaCO₃对聚氯乙烯(PVC)进行增韧改性,并对该体系的断裂面形貌和加工流变性能进行了研究。结果表明,纳米级CaCO₃能进一步改善PVC/ACR共混合金的冲击性能;其加工流变性能不仅没有降低,而且略有提高.     

固相燃烧法制备MgO-CeO2纳米粉体

以硝酸铈、醋酸镁为原料,并以酒石酸铵作为还原剂和络合剂,固相反应法合成了前驱物,将前驱物燃烧制备了M gO(0.2)-C eO2(0.8)混合氧化物纳米粉体,考察研究了焙烧温度和酒石酸铵及其用量对样品粒径的影响.采用XRD、TEM、SEM等测试手段对样品的物相粒径形貌进行了表征.样品的形貌为蓬松絮状多孔性立体结构,是M gO纳米粒子担载到C eO2超细粒子表面上的混合氧化物纳米粉体.前驱物经600℃焙烧2 h所得样品平均粒径分别为M gO:6 nm、C eO2:10 nm,经700℃焙烧2 h M gO:8 nm、C eO2:12 nm,经800℃焙烧2h M gO:10 nm、C eO2:18 nm左右.实验发现在同一体系中形成混合氧化物时,两者有互相抑制颗粒生长的作用,则可以得到分散性好、粒径小的纳米粉体.     

纳米ZnO粉体的制备

以ZnCl2 为原料 ,以HN4 OH为沉淀剂 ,采用液相沉淀法 ,制备出纳米级ZnO粉体 .制得的纳米粉体粒径 30nm左右 ,粒径分窄、分散性较好 .在摩尔浓度变化的情况下 ,探讨了制备纳米级ZnO粉体的条件 .     

SnO2@TiO2纳米粒子的光催化性能

以纳米SnO2·nH2O胶体粒子为基质,采用活性层包覆法制备出复合光催化剂SnO2@TiO2.用其对有机磷农药DDVP的稀释液进行降解,并用SEM、TEM、XRD、BET和XPS等手段进行了表征.结果表明:SnO2@TiO2粒径在12nm左右,比表面积为72.27m2g,由锐钛型TiO2与金红石型SnO2组成,光催化活性明显优于单一的SnO2、TiO2.其最佳用量为3.0gL,并且可重复使用.添加剂H2O2、Fe3+的最佳浓度分别为1.65mmolL和0.5mmolL.     

纳米晶硅的光电特性

利用ＰＥＣＶＤ方法及后处理工艺制备了具有室温可见光区光致发光效应的纳米晶硅（ｎ－Ｓｉ／ＳｉＯ２）薄膜材料，对其光吸收，光能隙以及电导率等特性参数进行了测试研究。发现该薄膜的可见光区吸收比ＰＥＣＶＥ方法制备的微晶硅，非晶硅等薄膜的光吸收明显减弱，且光能隙增大。而电导率则大大提高，达到１０－１－１０－３ｃｍ－１Ω－１的量级。该材料光学性能的变化可用量子尺寸效应进行定性解释，但其电导率的大幅度增加还有待进一步的研究。     

拓扑绝缘体与低维超导体的电输运特性

拓扑绝缘体这种具有新奇量子特性的物质和具有百余年研究历史的超导体都是当前凝聚态物理学领域的研究热点．本文简要介绍了拓扑绝缘体、超导体的研究背景和基本特性,重点回顾了拓扑绝缘体、超导薄膜及纳米桥、超导纳米线以及纳米尺度下拓扑绝缘体．超导异质结构的电输运特性．并对该领域的进一步发展做出了展望．     

超重机的操作参数对纳米氧化锌粒径的影响

用超重机来研究转速、硝酸锌的浓度、气液比等操作参数对氧化锌粒径的影响。确定制备纳米氧化锌的工艺条件。利用超重力气液反应技术可以制备粒径为20-80nm的氧化锌粒子,此项研究了纳米氧化锌工业化生产奠定了基础。