光电耦合降解废水制膜技术及其电化学特性的研究

首次采用了用导电玻璃制作TiO2薄膜电极的方法,并研究了外加偏电压对光降解效率的影响.通过实验可知,使用外加偏电压可以有效地促进光生电子和空穴的分离,进一步提高降解效率.     

Ni纳米颗粒膜输运性质的尺寸效应

采用离子束溅射方法制备了不同名义厚度的非连续Ni金属膜。用原位的直流电导和交流介电谱方法研究了其活化能与薄膜名义厚度的关系；通过原子力显微镜测量了颗粒直径和颗粒间距，估算出薄膜的充电能。比较表明，薄膜的活化能和充电能近似相等，与薄膜名义厚度的关系也很相近，符合Sheng—Abeles模型关于活化能来源于充电能的假设。     

电影对高校校园文化的影响

电影艺术有其特殊的魅力,能够提升大学生的精神品位,提高大学生的道德素质,丰富大学校园文化生活,对大学生的健康成长和校园精神文明建设产生重要影响。     

有机LED聚合物薄膜的制备工艺研究

采用两次重复的2^3析因实验设计，应用方差分析方法，研究了旋涂工艺中聚合物溶液的浓度，匀胶机的旋涂速度和加速度对旋涂的薄膜厚度和薄膜均匀性的影响。实验和分析的结果表明：溶液浓度和和旋涂速度对膜厚和薄膜均匀具有显著性的影响，而旋涂加速度对它们的影响则不显著。这一结论对于制备优质薄膜、改善聚合物发光器件性能具有重要的指导作用。     

微等离子体氧化法在TiO2膜的光催化活性研究

在不同的电流密度下 (5 ,1 0 ,1 5A/dm2 ) ,微等离子体氧化法在钛基体上产生了多孔的二氧化钛陶瓷膜 .所得膜层被用于降解若丹明B ,有一定的光催化活性 ,而且 1 0A/dm2 时所得膜层有较高的光催化活性 ,2h去除率达 90 % .经XRD和SEM分析膜层的表面形貌和结构 ,发现膜层的微孔尺寸和锐钛矿型二氧化钛的含量随着电流密度增加而增加 .1 0A/dm2 时所得膜高的催化活性归功于较大的比表面积及较高的锐钛矿型二氧化钛的结晶量     

金刚石涂层刀具干切削硅铝合金性能研究

由于金刚石薄膜涂层具有与天然金刚石相同的高硬度、低摩擦系数、高耐磨和高导热优异性能,因此适用于车削和现代高速干式切削加工,尤其高速切削硅铝合金可提高生产率。文章通过用金刚石薄膜涂层刀具对硅铝合金进行干式切削,探讨其切削性能。试验结果表明,金刚石薄膜涂层刀具磨损是由薄膜显微断裂而逐渐脱落的过程,进给量是影响工件表面粗糙度的主要因素。     

生物矿化研究进展

生物矿化与一般无机相的结晶明显不同，其无机矿物的结晶严格受生物体分泌的有机基质的控制，是在有机基质膜板诱导下的晶体生长。近年来受到化学、物理与生物以及材料学等多学科的关注。本文综述了该领域的发展过程、目前研究现状及相关前沿课题。     

Quasi—solid—state nanocrystalline TiO2 solar cells using gel network polymer electrolytes based on polysiloxanes

A quasi-solid-state dye-sensitized manocrystal-line porous TiO2 film solar cell was fabricated using a novel gel network polymer electrolyte based on polysiloxanes with both polyethylene oxide internal plasticized side chains and quaternary ammonium groups.The cell exhibited better photoelectrical conversion performance under 60 mW/cm^2 irradiation.The short photocurrnt (Isc) of 5.0mA/cm^2 and open voltage(Voc) of 0.68V were achieved,and the energy conversion efficiency(η) and fill factor (ff) were 3.4% and 0.60,respectively.     

Violet/blue photoluminescence from CeO_2 thin film

CeO2 is a rare-earth oxide which has a face centered cubic fluorite crystal structure. It has fine chemical stabil-ity and high dielectrics (e = 26). Its lattice constant has closely matched to silicon and the dismatch is about 0.35%. It is always investigated as insulator material in the silicon-on-insulator (SOI) structures, dielectric mate-rial and the buffer layer between the superconductor Yba2Cu3O7 and the Si substrate[1—6]. Recently, the PL of CeO2 was studied by many groups. The…     

C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜)的XPS及Raman谱测试分析

X射线光电子能谱测试(XPS)分析C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜)样品发现:把400℃退火后的样品继续加热到650℃并退火1h后,样品中除原有的Si晶体外,生成了SiC晶体,同时还出现了SiO2晶体,这表明一部分Si与C反应生成SiC的同时,氧气的氧化作用占主导地位,把大部分Si氧化成了SiO2.对比分析在650℃和750℃退火后样品的Raman谱发现:随着加热温度的升高,SiC与Si含量增加而SiO2含量减少.这表明:在750℃时,C原子的还原作用继400℃后再次占主导地位,又把一部分SiO2还原成Si.