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21.
采用在等离子体增强化学气相沉积(PFCVD)系统中沉积a-Si:H和原位等离子体逐层氧化的方法制备a-Si:H/SO2多层膜.用快速热退火对a-Si:H/SiO2多层膜进行处理,制备nc—Si/SiO2多层膜,研究了这种方法对a-Si:H/SiO2多层膜发光特性的影响.研究发现对a-Si:H/SiO2多层膜作快速热退火处理,可获得位于绿光和红光两个波段的发光峰.研究了不同退火条件下发光峰的变化.通过对样品的TEM、Raman散射谱和红外吸收谱的分析,探讨了a-Si:H/SiO2多层膜在不同退火温度下的光致发光机理.  相似文献   
22.
用磁控溅射法在载玻片上制备了(Ni80Fe20/SiO2)n/Cu/(SiO2/Ni80Fe20)n复合结构多层膜, 并对其巨磁阻抗效应进行了研究.研究结果表明,采用多组双层结构(n>1)后,样品的巨磁阻抗效应明显增大;当n=3时,观测到最大的纵向巨磁阻抗(LMI)效应为10.81%,最大的横向巨磁阻抗(TMI)效应为17.08%.当n=4,5时,巨磁阻抗效应比n=3时略有减小. 由XRD谱和磁滞回线等,研究了双层结构(Ni80Fe20/SiO2)循环次数n引起的样品材料晶体结构和磁性能等变化,以及对样品巨磁阻抗效应的影响.  相似文献   
23.
本文利用电磁场理论,在 Voigt 位形中推导出铁磁/反铁磁多层结构磁极化激元的色散关系,并详细讨论了它的结构性质。铁磁/非磁多层结构和反铁磁/非磁多层结构可看成上述结构的极限情况。因此,在这种结构中测量磁极化激元将会产生更加丰富的结果。  相似文献   
24.
以巯基乙酸为稳定剂,在水相中直接合成表面带负电荷,具有良好的分散性CdS量子点.利用CdS量子点、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷和壳聚糖之间的静电吸引相互作用,在石英表面通过层层组装,构筑多层CdS量子点纳米薄膜.采用荧光光谱、荧光显微镜对Quartz/APES/CdS量子点自组装膜进行表征,并将该膜用于对DNA的界面荧光传...  相似文献   
25.
本文通过微磁学方法,较为系统地研究了同组合的硬磁/软磁多层膜的磁矩分和磁滞回,并出了成核场以及成核场和钉扎场分离的软磁厚度(临界厚度)的解析公.研究发现,当软磁厚度Ls较小时,钉扎场与成核场一致,磁滞回为矩形,对应的磁为刚性磁体;随着Ls增大,钉扎场与成核场发生分离,磁滞回在第二开发生倾斜,磁由刚性磁体变为交换弹簧磁体;随着软磁厚度进一增大,硬磁和软磁的磁矩反转对独立,磁由交换弹簧磁体变为退耦合磁体.解析推导表明,临界厚度和硬磁的磁晶异性的平方成反比,这一点与Kneller的估算公一致.据临界厚度的解析公,我们计算了同材料的临界厚度,并与实验值和Kneller等人的估算值进行了比较,探讨了差别产生的原因.  相似文献   
26.
研究了用磁控溅射法制备的Ni81Fe19/Cr82Al18双层膜中的交换耦合。样品的室温矫顽力与1/t^3/2M成线性关系,从而表明在N不i81Fe19/Cr82Al18中交换耦合力为铁磁/反铁磁界面的随机相互作用。另外还讨论了反铁磁层厚度对交换偏置的影响。  相似文献   
27.
28.
利用振动样品磁强计和电子顺磁共振谱仪研究了Fe-Ni/Cu多层膜中的层间耦合和二维效应,以及它们对磁性的影响,对于Fe-Ni(3.0nm)/Cu多层膜,面内饱和场Hs,矫顽力Hc,剩磁比均随Cu层厚度作同步振荡变化,对于Fe-Ni(2.0nm)/Cu和Fe-Ni(3.0nm)/Cu多层膜,有效饱和磁化强度与共振线宽ΔH,随Cu层厚度作同步振荡变化。在它们的铁磁共振谱中,除了一致进动共振模外,还存在  相似文献   
29.
用四探针法,纵向表面磁光效应,极克尔磁光谱仪和椭圆偏胱谱仪研究了离子束溅射法制备的「Co90Al10(1.6nm)/Cu」30多层膜中的层间耦合,磁光效应及光学性质。结果发现对于Co-Al/Cu多层膜,其面内饱和场HS,矫顽力HC,磁电阻ΔR/R,特别是等效介电函数δ,磁光极克尔角θK分别随Cu层厚度的变化同步作周期性的振荡,其 0.9mm。  相似文献   
30.
结合n≈k的超薄金属膜,F-P干涉滤光膜及高反Ag膜的光学特性提出了设计窄带高反膜的一种新方法,给出了可见光区的窄带高反膜的膜系结构,定理地分析了膜系的反射率,反射峰值,反射半波带宽等光谱反射特性,实验证实了理论设施和分析。同时,还提供了设计非可见光波段的窄带高反滤光片的方法。  相似文献   
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