可重构天线的研究进展

对可重构天线的研究进展作了比较全面的讨论。介绍了一些典型的可重构天线结构形式。通过改变天线的内部结构或尺寸改变天线的电流分布,从而改变天线的工作特性,这样就可实现天线的重构。大部分天线是通过开关来改变其结构或尺寸的。可重构天线按功能一般可分为3类:频率可重构天线、方向图可重构天线及频率和方向图可重构天线。     

斜入射到非磁化等离子体的电磁波的吸收

研究了不均匀非磁化等离子体片的目标隐身。给出了用WKB方法计算以任意角入射的电磁波在不均匀等离子体中的衰减。等离子体密度采用抛物线模型,计算了电磁波等离子体中的衰减与等离子体碰撞频率、电磁波频率、等离子体最大密度、电磁波入射角的关系。提出了隐身等离子体共振吸收的新概念。并对计算结果进行了讨论。     

基于单参数加权的多比特相位量化器技术

章讨论相位量化DRFM的关键器件——模数变换器(亦称相位量化器PQ)的单参数加权方法下的优化设计方法．以4bit相位量化为例，提出相位量化器的拓扑结构和编码方法．该拓扑结构具有对称性，消除负载不平衡对量化精度的影响；中编码的目的在于减少贮频信道数，简化DRFM的结构．上述优化设计方法可推广应用于任意比特数的相位量化器设计．     

无压渗透法制备SiC颗粒增强铝基复合材料的研究

利用无压渗透法制备出SiCp／Al复合材料，研究了SiCp／Al系统的界面微观结构及复合材料的机械性能，研究表明：SiCp／Al系统的界面处存在着界面反应，生成Si、A12O3和A13C4等产物，在界面处存在着Si和Mg元素的富集；复合材料的机械性能受界面反应和Si元素富集的影响，其中界面反应是最重要的影响因素。当界面反应控制在一定程度时，在基体与增强相的界面处形成比较充分的“机械绞合”，才会使复合材料的机械性能有较大提高，界面上Si元素的富集对机械性能的影响较为复杂，一方面它可以控制界面反应的过度发生，另一方面又会产生晶格畴变，这两方面效应的叠加，使之对复合材料机械性能的影响减弱，远小于界面反应对机械性能的影响。     

单片机89C52在多功能电度表中的应用研究

讨了一种以89C52单片机为核心构成的多功能电度表，它可以同时具有电能表、自动补偿、分时段测电能等多种功能，并以先进的LCD显示屏显示当前的功率因数、总电能值、所消耗的峰、谷、平电能值。     

高离化态Cu的光谱分析

利用束箔光谱技术研究HI—13串列加速器提供的能量为80MeV和110MeV的Cu束与靶室中的碳膜碰撞激发光谱的情况。     

E形宽带微带天线的时域有限差分法分析

该文应用时域有限差分法(FDTD)分析了同轴馈电E形宽带微带天线的阻抗特性，此天线的阻抗带宽可大于30％．计算中采用了一种简单的同轴馈电模型，数值结果与已有文献结果比较一致，说明了此模型的有效性．同时，也研究了输人电阻随馈源位置变化的特性．     

多重命中弹药激光同步起爆技术探讨

该文提出一种新型火炮引信技术思想，阐述了研究弹药多重命中体制的意义。探讨激光同步起爆技术的优点，计算了激光发射器功率和点火火药的能量匹配关系，计算和实验工作为激光同步起爆技术的进一步研究奠定了基础，该命中体制的应用为提高小口径弹药的威力提供新的思路，也可应用于其它武器系统中。     

多因素时间序列法的研究

该文分析现有的单因素时间序列法在实际应用中的不足之处，提出采用多无线性回归原理综合处理的多因素时间序列法。它首先利用单因素时间序列法对各项影响事物发展趋势的因素进行预测；然后利用多无线性回归法将各种因素综合起来，以求得事物的总发展趋势。利用股票数据对单因素法和多因素法两者进行比较，可以明显看出多因素法较之单因素法在预测精度上的优势。     

一种结构紧凑的新型微带单脉冲天线阵

该文提出了一种新的“十”字型微带结构单脉冲天线和差网络。用这种网络成功地设计并加工了微带单脉冲阵列天线。这个天线阵由 4个 8× 8幅度为均匀分布的微带天线子阵组成。和差网络和天线阵处于同一平面 ,因而具有结构紧凑、简单 ,加工方便和成本低的优点。根据实测结果 ,水平方向的和方向图与差方向图均与理论预估吻合良好 ,表明和差网络的设计是成功的。如果天线阵的幅度分布按低副瓣设计 ,则也可以用在微带低副瓣天线阵上。分析和实测都表明 ,这种天线阵还具有比常规天线阵带宽更宽的优点。