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991.
992.
采用溶胶-凝胶法制备了聚甲基丙烯酸甲酯(PMM A)-聚甲基丙烯酸丁酯(PBM A)/T iO2杂化材料,并进行了结构表征和性能研究.以甲基丙烯酸甲酯(MM A)为杂化材料的主要成分,引入甲基丙烯酸丁酯(BM A)以改变PMM A/T iO2杂化材料易碎的缺点.实验结果表明:杂化材料中无机相与有机相通过S i-O-T i共价键相连,T iO2的加入增强了聚合物材料的抗紫外性. 相似文献
993.
智能故障诊断系统是电站仿真系统中的重要部分,它根据采集到的数据或经转换过的参数进行推理、判断出发生故障的设备.推理诊断采用专家系统和不确定性推理的技术.本文以UML(统一建模语言)为工具,对智能故障诊断系统进行面向对象分析、设计和建模. 相似文献
994.
以100Ah的锰酸锂锂离子二次电池锂离子电池组和30kW交流电机组成了动力系统,研制了MGL6486EV电动汽车。电池组的电压为304V,能量为37kWh,电池组采用了智能管理系统(BMS)和均衡系统。电动机采用全数字适量控制,并具有刹车能量回收和防溜车功能。在充电时智能充电机始终与BMS保持通信联系,以保证电池组安全快速充电。车辆最高车速可达117km/h,0~50km/h加速时间为6·80s,50~80km/h加速时间为7·34s,爬坡度超过20%,续驶里程为204km,百公里耗电仅为19kWh。到目前为止该车辆已运行5万多km。 相似文献
995.
为了方便平面W型微弹簧的设计和制造,对其刚度特性表征方面进行了研究.运用能量方法推导出平面W型微弹簧弹簧常数计算公式.通过镍质平面W型微弹簧的实际拉伸实验,对推导出的微弹簧弹簧常数计算公式进行了验证,公式计算结果与测试结果基本相符.同时在有限元模拟分析软件———ANSYS中进行了仿真计算,二者一致性很好.在公式和仿真计算的基础上,找出了各结构参数对其刚度的影响规律.研究结果为平面W型微弹簧的优化设计与加工提供了理论指导. 相似文献
996.
对烟草普通花叶病的发生与药剂防治进行研究的结果表明 ,花叶病在 4月上旬严重发生 ,于 5月上中旬达到高峰。在选用的几种药剂中 ,病毒必克防治效果最好 ,为 5 5 .6 5 % ;其次是菌克毒克的防效为 5 0 .8% ;金叶宝的防效为 36 .1% ,植病灵的防效最差 ,仅为 0 .9%。 相似文献
997.
制备了C60与聚吡咯的单层及双层复合膜。应用电化学分析法研究了它们的循环伏安性质以及石英晶体微天平性质。发现无论是单层还是双层C60聚吡咯薄膜的电化学行为都与C60固态薄膜和聚吡咯薄膜的电化学性质不同。结果表明,多层C60聚吡咯薄膜的电化学性质不如单层C60聚吡咯薄膜的稳定。且单层C60聚吡咯薄膜的电化学性质基本不受C60含量的影响。 相似文献
998.
NiCrBSi超音速火焰喷涂层的电化学腐蚀机制 总被引:2,自引:0,他引:2
采用超音速火焰喷涂方法在普通碳钢表面制备了NicrBsi合金涂层,然后将涂层在利用冰醋酸调整pH值到3的3.5%NaCl(质量分数)溶液中进行全浸泡试验.应用化学成分分析、电子探针分析方法分析了涂层腐蚀后的成分变化和分布,用高频等离子体发射光谱仪分析了腐蚀液中的离子存在情况,用X射线能谱分析了腐蚀产物,用扫描电镜观察了涂层腐蚀后的形貌.结果发现:NiCrBSi合金涂层没有发生成分选择性腐蚀;涂层的腐蚀包括表面宏观均匀腐蚀和腐蚀介质侵入涂层内部引发的腐蚀,后者起关键作用;腐蚀首先在涂层表面存在未熔颗粒及孔隙、夹杂和微裂纹的局部阳极区发生,随后沿孔隙、夹杂、微裂纹、层状组织等形成的阳极通道扩展;涂层的主要失效形式是片状或层状剥离;调整喷涂工艺参数以降低涂层的电化学不均匀性或进行封孔处理有助于提高涂层的耐蚀性能. 相似文献
999.
一种基于信号相关性检测的自适应小波变换及应用 总被引:2,自引:0,他引:2
为了克服传统小波变换的不足,提出了一种用样本相关性检测信号特征的自适应小波变换降噪方法.该方法以第二代小波变换为基础,在小波变换时提供多组备选的预测器和更新器,用变换样本与相邻样本之间的相关性来检测信号的局部特征,并根据相关系数的大小来确定每一尺度上的每个样本的最佳预测器和更新器,使小波能够较好地适应信号的局部特征.模拟实验和工程应用的结果表明,该方法克服了传统小波降噪方法丢失原始信号局部信息的缺陷,不仅可以有效地去除原始信号中的噪声,而且能够保留原始信号的局部特征. 相似文献
1000.
联苯基取代聚噻吩衍生物的合成及其发光性能研究 总被引:3,自引:0,他引:3
为了研究侧链芳香基团对聚噻吩衍生物发光性能的影响 ,采用偶联反应合成了反应单体 3-联苯基噻吩 ,然后在三氯化铁的氧化作用下聚合 ,得到了聚 (3-联苯基 )噻吩 (PBPTH) .通过红外光谱、紫外可见光谱以及核磁共振氢谱对材料的结构进行了表征 .在紫外光谱上 ,PBPTH的最大吸收峰位于 4 0 6nm处 ,比聚(3-辛基 )噻吩 (P3OT)的吸收峰蓝移了 34nm .在荧光光谱上 ,PBPTH的光致发光峰位于 5 36 8nm处 ,比P3OT的发光峰蓝移了 32nm .研究结果表明 :由于侧链联苯基的空间位阻作用 ,导致了聚合物共轭程度的降低 ,从而造成了吸收光谱和发光谱的蓝移 ;PBPTH的发光强度与P3OT相比有了明显的下降 ,说明联苯基生色团不足以补偿共轭程度降低对发光性能的影响 相似文献