双模腔场中原子的多光子辐射谱

研究了双模腔场中单个二能级原子的多光子辐射谱，分析了辐射谱的新特点．单模腔场中原子的多光子辐射谱和非简并观光子Ｊ—Ｃ模型中原子的辐射谱可做为特例得出．     

超实数域~＊R的拓扑结构

研究了超实数＊Ｒ上的两种常用拓扑──Ｑ－拓扑及Ｓ－拓扑的结构．证明了（＊Ｒ，Ｑ）是完全不连通的；＊Ｒ中的Ｑ－紧集只有有限集；＊Ｒ中的每个银河都是（＊Ｒ，Ｓ）的连通分支；＊Ｒ中每一长度有限的区间（可以不是闭的）都是Ｓ－紧的；以及＊Ｒ／≈既是（＊Ｒ，Ｑ）的上半连续分解，也是（＊Ｒ，Ｓ）的上半连续分解等Ｑ－拓扑及Ｓ－拓扑的一些基本性质．同时也纠正了前人关于Ｑ－拓扑性质的一些错误结论．     

硼酸铝钕晶体中钕离子的电声子耦合S因子

利用黄昆公式和晶格场动力学参数与静晶场参数的关系估算了硼酸铝钕(NAB)激光晶体中钕离子的 S 因子。进一步讨论了 Auzel 关于自激活激光晶体浓度猝灭效应准则的深层含意.     

温场对CZ硅单晶氧含量和径向扩展电阻均匀性的影响

利用测量熔体温度、液流模拟、红外吸收和扩展电阻探针研究了温场对硅单晶的氧含量和径向扩展电阻均匀性的影响。高温场中整个熔体的温度梯度与重力方向一致,矮温场中只有上部熔体的温度梯度与重力方向一致,而下部熔体的温度梯度与重力方向相反。高温场中整个熔体有热对流,矮温场中只有上部熔体有热对流。高温场中生长的单晶的氧含量明显高于矮温场中生长的单晶。高温场中生长的硅片,径向扩展电阻分布有中央平坦部分、剧烈起伏部分和边缘波纹起伏部分,矮温场中生长的硅片无剧烈起伏部分。这一部分可能是熔体中泰勒柱与热对流区之间的切变层是高氧熔体造成的。     

离子注入材料改性用强流金属离子源

为满足离子注入材料改性研究和实际应用的需要。研制了一个金属蒸汽真空弧(简称MEVVA)离子源.这是一新型离子源种,它利用阴极和阳极间的真空弧放电原理由阴极表面直接产生高密度金属等离子体,经一多孔三电极系统引出得到强流金属离子束.该源脉冲工作方式,已引出Al,Ti,Fe,Cu,Mo和W等离子,脉冲离子束流强度为0.6～1.26A,Ti的平均束流强度已达10mA.引出束流大小与源的工作参数、引出结构和电压以及阴极材料有关。该源没有气体负载,工作真空度为3×10~(-4)Pa。     

多肢剪力墙-框架体系在任意水平力作用下的内力和侧移计算

本文在剪力墙-框架结构连系梁连续化假设的基础上,推导了任意标高处具有集中力作用的多肢剪力墙-框架体系连系梁内力及结构侧移的解析公式,进而利用迭加原理求解任意荷载形式下结构的内力和侧移。这一方法也适用于求采用振型分解法计算结构动力响应时所需的柔度矩阵系数。文中列举了不同情况的算例。随着迭加次数的增大,采用本文方法所得结果与几种解析解的相对误差可控制在任意小的范围之内。     

一种评估光学系统焦深范围的方法

本文提出绘制特征孔径的子午和弧矢场曲曲线的方法,用以控制各种象差的平衡,达到纵观光学系统焦深范围的目的。     

广义Gauss映照(Ⅱ)

本文首先在Graussman纤维丛Q上引入两种标准联络,其中之一是Riemann联络;然后接着[1]对广义Gauss映照G作进一步探讨,主要计算了两种情况下G的张力场,从而得到了有关G的调和性的两种不同结果。     

泰前断裂构造的显微变形研究

本文通过对泰前断裂显微构造,石英组构特征进行研究,认为该断裂是一条自中生代形成以来经历了四次不同力学性质的活动断裂:断裂受到NE-SE向主压应力作用,发生了右旋压扭活动;断裂受到近东西向的主压应力作用,发生了右旋张扭活动;断裂受到NNW-近南北向的主压应力作用,发生了左旋压扭活动;断裂受到NE-SW向的主压应力作用,发生了左旋张扭活动。