基于田口法的在玻璃基板上溅射ITO薄膜制作工艺研究

利用射频磁控溅射方式将氧化铟锡(ITO)沉积在玻璃基板上,设定温度、压力、溅射功率为主要参数,每个参数均有3个水平,运用田口实验方法设计L9直交表,质量目标设定为方阻,以变异数分析得到的结果作为最优工艺参数条件,并测量膜厚、透光率.以X光衍射仪分析结晶状况、SEM观察结构及生长型态来了解其性质.结果显示功率对方阻的影响最大,贡献度占91%,而功率大,薄膜厚度越厚,晶粒粒径较大,结晶性较强,方阻减小及透过率降低.由于结晶性好也提高透光率,膜厚100~300 nm时,透光率80%以上.最优工艺参数为温度230 ℃、功率300 W及压力在1.5 mTorr下有方阻最小.     

掺杂离子导体动力学性质研究

研究了掺杂离子导体(DIC)的动力学性质,基于三分量导电键的随机-AC-网络模型,采用位置空间重整化方法解析计算了DIC系统的交流电导和介电响应等.首次讨论了粒子尺度大小对系统动力学性质的影响.     

氩气分压与膜厚对溅射Al膜微结构及应力的影响

在不同氩气分压下,用直流溅射法在室温Si基片上制备了不同厚度的Al膜。用光学干涉相移法和X射线衍射技术,对薄膜应力和微结构进行了测试分析。微结构分析表明:制备的Al膜均呈多晶状态,晶体结构仍为面心立方;氩气分压分别为1Pa和3Pa的Al膜相比,1Pa下制备的薄膜结晶程度明显优于3Pa下制备的薄膜。1Pa下Al膜平均晶粒尺寸随膜厚的增加由17.9nm逐渐增大到26.3nm;晶格常数由0.4037nm增大到0.4047nm,均比标准值0.40496nm稍小。应力分析表明:同一工作气体压强(氩气分压)下,Al膜的平均应力随着膜厚的增加变小,应力分布趋向均匀。相同时间1Pa和3Pa的Al膜,其微结构和应力有较大差别。     

升降压型整流器功率因数的校正

对一种采用Ｂｕｃｋ－Ｂｏｏｓｔ级联的主电路高功率因数整流器进行了理论和控制策略方面的研究,在此基础上,利用一高性能的ＤＳＰ作主控器,设计了实验电路与有关软件,给出了实验结果,结果表明,该方法具有较好的功率因数校正能力,并能提供输出电压从１７￣１１７％输入电压峰值的调压范围。     

交流等离子体显示器介质保护膜放电特性测量装置的研究

为了简捷地测量交流等离子体显示器(ACPDP)保护膜的放电特性,提出了用测量ACPDP放电特性和加速老化特性来探求保护膜发射和稳定性能的间接测量方法,并依此原理研制了模拟ACPDP放电特性的测量装置.该装置由驱动电源、放电室及真空系统组成,能够模拟ACPDP的工作条件和过程,可用来测量ACPDP工作过程中用不同材料、方法及工艺制成的保护膜的工作电压、稳定性等,从而衡量保护膜的二次电子发射性能,还可用来测量ACPDP放电单元内所充气体的种类、混合比例、压力以及放电间隙的距离等参数对ACPDP放电特性的影响     

具有优良绝缘性能的Ta2O5介质膜

介绍了一种具有优良绝缘性能的Ｔａ２Ｏ５介质膜,它由溅射／阳极氧化二步法工艺制备而成。用原子力显微镜对Ｔａ２Ｏ５膜进行了表面形貌分析,对它的电特性进行了测试,并与溅射Ｔａ２Ｏ５膜和阳极氧化Ｔａ２Ｏ５膜进行了比较。结果表明,溅射／阳极氧化Ｔａ２Ｏ５膜的漏电流比溅ＴＭＤＦＡ２Ｏ５膜和阳极氧化Ｔａ２Ｏ５膜分别减少了３－４和１－２个数量级,击穿场强也远高于后２种膜。     

CN_x薄膜的制备及电子结构

采用反应溅射方法制备了氮化碳薄膜,研究了反应气体压力、溅射功率对薄膜形成的影响,并用Ｘ射线电子能谱（ＸＰＳ） 和富里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）对样品的电子结构进行了分析．结果表明：反应气体Ｎ２ 的压力太高或太低、溅射功率太大或太小,均不利于氮化碳膜的形成;在Ｎ２ 压力为８ Ｐａ、溅射功率为２００ Ｗ 时,薄膜的氮原子数分数得到最大值４１％ ;ＸＰＳ和ＦＴＩＲ分析结果揭示了膜中没有自由的Ｎ原子,所有的Ｎ原子均与Ｃ原子作用形成化学键,而且Ｃ Ｎ 单键、Ｃ Ｎ 双键、Ｃ Ｎ 三键共存．膜中Ｃ Ｈ 和Ｎ Ｈ 振动模式的存在,说明沉积在Ｓｉ 衬底上的氮化碳薄膜有较强的从空气中吸收氢的能力．     

交流变频液压调速系统的问题及措施

交流变频液压调速系统具有节能效果好、可简化液压回路、调速范围大、噪声小等优点,已在液压电梯、注塑机等液压动力传动系统中应用。介绍了交流变频液压调速系统的几种典型回路的组成、原理及其主要应用。分析了交流变频液压调速系统主要存在的问题及对应措施。这些问题包括低速稳定性、响应快速性、启动或换向时的平稳性、调速精度及效率。对某一类问题分析了可采取的措施,这些措施对于设计和使用交流变频液压调速系统具有重要意义。     

无速度传感器矢量控制系统的全数字实现

提出了一种利用电机定子电压电流、通过全状态观察器来辨识感应电动机速度的方法,采用DSP作为控制核心来实现辨识和矢量变换控制,使系统实时性和可靠性更高;实验证明,此系统具有较好的动、静态性能。     

辅助离子束对孪生磁场中频反应溅射等离子体特性的影响

 在自行研制的离子束辅助孪生磁场中频反应溅射设备中制备光学氧化钛薄膜,利用郎缪尔静电探针研究等离子特性变化,同时测定基片表面的伏安（I-V）特性。结果表明,随离子束功率密度不断提高,等离子体电子密度不断增加,悬浮负电位绝对值减小,溅射阴极电压下降;基片表面经历从富电子向富阳离子转变,基片正电位不断提高;辅助离子束为109 W时,基片表面处于电中性等离子体平衡态。