采用自举技术的不完全绝热电路

为了大规模集成电路的低能耗应用,提出了一种不完全绝热电路——自举能量回收逻辑电路(bootstrapenergyrecoverylogic,BERL)。该电路采用二相无交叠功率时钟。由于采用自举技术,使负载的冲放电过程不会产生非绝热损失,并且输出开关的导通电阻变小,使绝热损失降低。为了比较BERL电路与静态CMOS电路及PAL-2n绝热电路的能耗,设计了反相器链电路。Hspice软件仿真结果表明,BERL电路的工作频率可以超过400MHz。在10～100MHz下,BERL能耗只有静态CMOS电路的25%～33%。相对于PAL-2n电路,BERL也有较低的能耗。在200MHz下,BERL能耗只有PAL-2n的50%。负载越重,BERL电路的低能耗优势越明显。     

浅谈非智力因素与科学创造活动

当今时代,科学技术的每一个进步,都伴随着非智力因素的跃升,而且科学技术愈发达,创新对非智力因素的依赖性愈强,甚至可以弥补智力因素的不足。高度理性化的现代人,应当注重非理性思维的创造功能。     

易中天《品三国》补正

易中天教授在《品三国》中，把历史唯物主义具体化，提出了评论历史人物和历史事件的三项准则，即：“还原”、“比较”、“分析”。易教授在贯彻这三项原则时也难免有疏漏之处：一、把襄阳、赤壁之战说成曹刘之战不能成立；二、曹操一封信促成孙刘联盟的提法不妥；三、《白衣渡江》引用了《吕蒙传》上有两条错误的史料。     

依托课外科技文化活动,培养大学生的创新能力——本科教学《评估方案》中两观测点之实证研究

通过解读《普通高等学校本科教学工作水平评估方案（试行）》中的两个观测点——“课外科技文化活动”和“学生的创新精神与实践能力”，探讨了重庆文理学院近年来在这些观测点所做的努力．以此证明，开展课外科技文化活动是培养大学生创新能力的重要途径．     

Why-问题与科学解释

从亨佩尔开始，人们就把解释和Why一问题紧密的联系起来，其实解释不能简单地看成对Why—问题的回答，Why—问题也需要进一步的阐释。我们尝试对Why—问题的两种不同的分析方法——命题理论和对照理论进行阐释和评论。揭示两种方法的同并之处。基于学术界普遍认为对照理论优于命题理论的状况，本文着力反驳了对照理论，得出了对照理论未必优于命题理论的结论。     

TKSS—C型信号与系统实验箱的低通滤波器分析

对TKSS-C型信号与系统实验箱的低通滤波器实验模块进行了s平面几何分析，并利用MATLAB7．01中的Power Systems Blockset对其进行了仿真．     

一种高精度低功耗流水线ADC开关电容电路

提出一种新的电容失配校正方案及功耗驱动的OTA设计思路,通过对虚地电容的修正,将电容失配因子在取样保持系统中去除,达到提高电容匹配程度,降低OTA增益误差的要求,使开关电容部分的瞬态功耗下降.本文采用TSMC 0.18μm工艺设计了一个8位,取样速率为200MHz的流水线结构模数转换器作为验证电路,仿真结果说明此优化结构符合高精度和低功耗要求,可应用到流水线等高速模数转换电路中作为信号前端处理模块使用.     

超塑性板材气压成形模具的设计与计算

介绍了金属的“超塑性”概念及其特点,阐述了超塑性材料Zn-22%Al板材气压成形的原理,着重解释了其板材气压成形模具的设计与计算,对生产实际与理论探讨具有现实意义。     

与年龄相关的非线性时变种群系统的L2(Q)-解

本文讨论与年龄相关的非线性时变种群系统（P）的l^2（Q）－解，为进一步研究种群系统的最优控制问题提供了必要的理论基础．     

The concentration quenching characteristics of ~5D_3-~7F_J and ~5D_4-~7F_J (J=0―6) transitions of Tb~(3 ) in YBO_3:Tb~(3 ) phosphor

The photoluminescence quenching behaviors of 5D3-7FJ and 5D4-7FJ (J = 0―6) transitions of Tb3 in YBO3:Tb under 130―290 nm excitation were systematically investigated. The results revealed that the quenching concentrations of both 5D3-7FJ and 5D4-7FJ transitions of Tb3 in YBO3:Tb were mainly de-pendent on excitation wavelength. Particularly,the quenching concentrations of 5D4-7FJ transitions of Tb3 under 130―290 nm excitation were correlated with excitation bands of YBO3:Tb. The quenching concentrations of 5D3-7FJ transitions remained at low concentration (2%) under 186―290 nm excitation and then increased gradually with energy of incoming excitation photon when excited at 130―186 nm. This dependence should be involved in their excitation mechanisms and quenching pathway in particular excitation region.