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861.
纵观许多高校的模拟电子技术实验指导书,在OTL功率放大电路这一基本实验中,由于某些器件选型欠妥,致使实测数据与希望值相差悬殊,影响实验效果。文章就这一问题作一点分析讨论,并确定出较适合该的实验电路的相关器件。  相似文献   
862.
席志红  陈凯  谭信 《应用科技》2003,30(6):30-32
功率合成是电源设计中的一项重要技术。介绍了单管flyback converter功率合成的方法,讨论了单管、双管forward converter的并联电路和磁路,重点研究了单一变压器的两相、四相双管forward convert的并联电路和磁路的设计方案,阐述了该方案的优越性,经实验验证了方案的可行性。  相似文献   
863.
动态最优税率设计问题:一个Stackelberg微分对策模型   总被引:1,自引:1,他引:0  
张荣  刘星 《系统工程学报》2003,18(5):410-418
利用微分对策理论,定量地探讨动态最优税率的设计问题。首先在一定的假设条件下建立描述动态最优税率设计的Stackelberg微分对策模型,政府在此模型中充当对策的“主者(1eader)”,企业充当对策的“从者(fol-lower)”。然后利用极大值原理及倒向微分方程,分析当政府考虑到企业潜在的理性反应时,如何制定出最优的税率,使税收在考察时期里最大化,最后给出不同均衡解的经济含义以及模型可能的扩展。  相似文献   
864.
功耗估计是数字VLSI设计中需要重点考虑的因数。由于芯片管腿数的增加,通过穷举仿真获得电路平均功耗的方法也越来越不现实。文中将最小平方估计方法应用于COMS VLSI的平增功耗估计。该方法与电路功耗的概率分布无关,而且是无偏估计。在ISCAS85基准电路上的仿真结果表明,新方法与Monte Carlo方法相比,收敛速度有很大提高。  相似文献   
865.
基于详细水机电模型的水电系统动态过程仿真   总被引:6,自引:0,他引:6  
高慧敏  刘宪林 《系统仿真学报》2003,15(4):469-471,485
水力系统与电力系统模型精度失配、缺乏合理全面的水机电数学模型是制约水电系统动态过程仿真质量提高和应用范围扩展的主要原因。本文建立了适用于水机电联合仿真的详细水机电整体模型,该模型包括基于管道结构特征自动建立的复杂水系统弹性水击模型,差动式、阻抗式和圆筒式调压井通用模型,水轮机非线性解析模型,调速器模型,计及阻尼绕组作用的同步发电机与电网模型,励磁系统模型等,提出了联合求解弹性水击波过程和并网机组机电动态过程的数值算法。对具有复杂水系统的单机无穷大系统短路扰动过程进行仿真,结果合理可信,证实了水机电数学模型和数值方法的有效性。  相似文献   
866.
介绍一种新型大功率氧化物导电陶瓷.该陶瓷是以六角密堆(HCP)结构的ZnO为主要原料,添加少量杂质,采用电子陶瓷工艺研制而成.研究了陶瓷材料的差热分析(DTA)及扫描电子显微结构.测量了瓷体的电阻率.  相似文献   
867.
采用有限元方法分析了激光清洗过程中基片表面的温度分布,研究了激光清洗过程中清洗阈值和损伤阈值存在的原因,推导出使用波长为308nm,脉宽为28ns的准分子激光清洗硅片表面油脂的清洗阈值和损伤阈值,并进行了实验验证,其理论清洗阈值与实验结果是符合的  相似文献   
868.
用二次曲面方法求解多机系统故障临界清除时间   总被引:2,自引:0,他引:2  
为提高多机系统故障临界切除时间的求解精度和保证确定的误差方向,该文在主导不稳定平衡点处利用空间二次曲面来近似局部稳定域边界,根据持续故障轨线与空间二次曲面的交点来确定系统的故障临界清除时间.仿真结果表明,该方法具有固定的误差方向和较高的计算精度,误差基本能控制在10%以内,能够对系统的故障严重程度进行排序.另外,在网络中发生故障时计算性能可能没有切平面方法好,这方面的理论根据还需进一步的研究和探索.  相似文献   
869.
CaO颗粒脱硫反应动力区最大粒径的实验研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
为了最大限度地降低CaO颗粒表面的脱硫产物层对二氧化硫以及氧气分子扩散过程的负面影响,用TGA-2100热重分析仪对3种自制钙基脱硫剂颗粒的脱硫反应过程进行了系列实验研究.实验结果表明 当脱硫反应温度为800 ℃时,经过水合反应的脱硫剂的动力区直径达到最大值77~150 nm; 分析纯CaO和工业级石灰的动力区直径在900 ℃达到最大值; 在反应温度和颗粒直径相同的条件下,工业级石灰的动力区直径大于分析纯CaO的动力区直径.  相似文献   
870.
SiCl_4-H_2沉积多晶硅薄膜过程中放电功率的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
以SiCl4 和H2 为气源 ,用等离子体增强化学气相沉积技术 ,以 3 5 s的速率生长出了晶化度为 75 %的优质多晶硅薄膜 .着重分析放电功率的影响 ,结果表明 :随着功率的增大 ,薄膜沉积速率基本上线性增大 ,之后有减小的趋势 ;薄膜晶化度随功率的增大而减小 ;功率较大时 ,晶粒密度也大 ,且比较均匀 ,但晶粒尺寸较小 ,功率较小时 ,大尺寸的晶粒明显增多 ,但仍有较多的小晶粒存在  相似文献   
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