基于BP神经网络的矩形窗电磁耦合分析

窗耦合是外界电磁干扰进入电子系统的主要途经之一,研究窗耦合对于电子系统电磁兼容性研究具有重要意义.传统的解析法、全波分析、实验研究等方法在对复杂电子系统电磁窗耦合分析中存在一定局限性.本文探讨了基于BP神经网络的矩形窗电磁耦合分析方法,利用试验测试数据结合BP神经网络建立窗耦合分析模型,获得在外界电磁波辐射下耦合到屏蔽腔中的功率与入射波功率大小、窗尺寸、腔体中位置及入射波极化方式的关系.利用该模型预测的结果与实验结果一致,该模型易于推广到的非规则窗或其他边界复杂的窗耦合问题中.     

铁磁半导体/半导体/铁磁半导体异质结中光子辅助量子输运特性

基于有效质量近似和Floquet理论,考虑自旋-轨道耦合和外场驱动作用下,研究铁磁半导体/半导体/铁磁半导体异质结中的量子输运特性.结果表明自旋-轨道相互作用不仅使自旋发生翻转,而且束缚态能级发生劈裂,从而使电导率中出现两个Fano共振峰.势阱两边的磁化强度以及两边磁化强度之间的夹角对自旋翻转和共振位置具有调制作用.     

SiC纳米线改性环氧树脂研究

实验以SiC纳米线为增强剂,利用回流法将偶联剂KH-550嫁接在SiC表面,进而使SiC粒子更好地分散在环氧树脂中.通过对复合材料拉伸强度的测试和断裂面形貌的分析,探讨了复合材料的增韧机理.实验结果表明:纳米SiC可提高环氧树脂的机械性能,而经过表面接枝处理的纳米SiC填充复合材料的抗拉伸等性能显著改善.同时在耐腐蚀测试中,由于偶联剂影响了复合材料的性质,使不同的复合材料在酸碱条件下优势各不相同.     

Na-3的杨-泰勒效应与能级分裂以及各向异性现象

 依据杨-泰勒效应理论和量子理论,利用群论与对称性分析的方法探讨了Na-3的杨-泰勒效应及其相关问题。构建了Na-3的E′ e′ 系统的电声耦合哈密顿量,利用么正平移变换将系统的哈密顿量分解为无声子激发部分与有声子激发部分之和,由此计算出了系统的基态与激发态及其能量。结果表明,由于电声耦合作用的缘故系统发生了杨-泰勒畸变。畸变使得系统在其势能面上形成了4个具有C 2v对称性势阱。无论Na-3处在哪一个势阱中,Na3原初的二重简并的基态能级都将发生分裂。畸变还导致Na-3从D 3h对称性降低到C 2v对称性,同时Na-3的振动频率发生了分解,频率的分解就意味着Na3在其振动平面上的各向同性遭到破坏而呈现出各向异性。     

周向波度机械密封的流固耦合

以波度密封为例,建立了考虑静环倾斜时流体动压型机械密封的流固耦合三维性能分析模型,研究了静环倾斜量、密封环弹性变形对端面压强分布、密封性能的影响规律;同时改变结构参数和操作参数,研究其对端面弹性变形的影响规律。结果表明：弹性变形及静环的倾斜对端面的压强分布、密封性能影响显著,使端面间隙由外径向内径形成收敛型,周向波度及...     

HSi-g-A151的制备及其对纳米Si_3N_4的表面改性

通过甲基含氢硅油与乙烯基硅氧烷(A151)的接枝反应,制备大分子硅氧烷偶联剂(HSi-g-A151),并用其对纳米Si3N4粉体进行表面修饰,通过沉降实验、透射电镜分析、粒度测定、热重分析和表面自由能分析等手段对改性前后的粉体进行表征.结果表明:大分子硅烷偶联剂对纳米Si3N4粉体为化学改性,改性后的纳米Si3N4粉体在二甲苯中悬浮稳定,粒径分布在30 nm左右,纳米颗粒表面自由能由79.8 J.m-2下降到39.4 J.m-2.     

非线性蛇簧联轴器强制主共振解的GA解法

把GA应用于同时求解非线性蛇簧联轴器簧片振动主共振的复数解问题,讨论了问题的模型,GA的适应函数和具体的算法.通过计算实例,用GA所求的解同近似频响曲线的解进行了比较.     

一种基于主机系统的容灾设计方案

设计了构建在IBM主机系统平台上的异地容灾备份系统.利用成熟的并行系统综合体技术搭建基本环境,在异地之间通过光纤带宽复用方法,实施了先进的GDPS/PPRC与GDPS/XRC技术.方案通过将并行综合体技术和GDPS技术有机结合,以达到系统的负载均衡、永不停顿的容灾运行能力.     

大转矩三段弧鼓形齿式联轴器

大转矩三段弧鼓形齿式联轴器 ,一直以来国内都无法满足要求 ,费用昂贵 ,从现有掌握的技术和国内先进加工手段 ,我公司对该类联轴器进行开发和技术攻关 ,结果表明 ,它不仅能满足我公司需要 ,节约大量外汇 ,而且还可替代进口轧机配的国外联轴器 ,占领国内市场。     

AIN/128°Y-X LiNbO_3层结构的声表面波特性研究

本文对A1N/128°Y-X LiNbO_3层结构的声表面波特性进行了研究。得到此层结构在较小的A1N膜厚时,不但具有延时温度系数(TCD)为零的特性;而且,在零TCD时,有高的机电耦合系数(k)及良好的频响特性。